IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時(shí),，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管,，所以其B 值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu),，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分,。由于N+ 區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，所以IGBT 的通態(tài)壓降小,，耐壓1000V的IGBT 通態(tài)壓降為2 ～ 3V ,。IGBT 處于斷態(tài)時(shí),，只有很小的泄漏電流存在。 [1]動(dòng)態(tài)特性IGBT 在開通過程中,，大部分時(shí)間是作為MOSFET 來運(yùn)行的,，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,，又增加了一段延遲時(shí)間,。td(on) 為開通延遲時(shí)間， tri 為電流上升時(shí)間,。實(shí)際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時(shí)間ton 即為td (on) tri 之和,。漏源電壓的下降時(shí)間由tfe1 和tfe2 組成。只在關(guān)斷時(shí)才會(huì)出現(xiàn)動(dòng)態(tài)閂鎖,。這一特殊現(xiàn)象嚴(yán)重地限制了安全操作區(qū),。嘉定區(qū)質(zhì)量IGBT模塊設(shè)計(jì)

2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關(guān)斷期間,，由于電路中其他部分的工作,，會(huì)在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號(hào)，這些信號(hào)輕則會(huì)使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài),，增加管子的功耗,。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此,，比較好給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5～15 V),，使IGBT在柵極出現(xiàn)開關(guān)噪聲時(shí)仍能可靠截止。3)具有柵極電壓限幅電路,，保護(hù)柵極不被擊穿,。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V，驅(qū)動(dòng)信號(hào)超出此范圍就可能破壞柵極,。長(zhǎng)寧區(qū)如何IGBT模塊報(bào)價(jià)在那個(gè)時(shí)候,，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT(非穿通)型設(shè)計(jì)。

IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP 晶體管提供基極電流,，使IGBT 導(dǎo)通。反之,，加反向門極電壓消除溝道,，流過反向基極電流，使IGBT 關(guān)斷,。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N 一層的電阻,，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓,。 [1] [4]IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性,、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。

b,、主電路用螺絲擰緊,，控制極g要用插件，盡可能不用焊接方式,。c,、裝卸時(shí)應(yīng)采用接地工作臺(tái)，接地地面,，接地腕帶等防靜電措施,。  d、儀器測(cè)量時(shí),，將1000電阻與g極串聯(lián),。e、要在無電源時(shí)進(jìn)行安裝,。f,焊接g極時(shí),，電烙鐵要停電并接地，選用定溫電烙鐵**合適,。當(dāng)手工焊接時(shí),，溫度260±5℃.時(shí)間（10±1）秒，松香焊劑,。波峰焊接時(shí),，PCB板要預(yù)熱80℃-105℃,在245℃時(shí)浸入焊接3-4IGBT發(fā)展趨向是高耐壓、大電流,、高速度,、低壓降、高可靠,、低成本為目標(biāo)的,，特別是發(fā)展高壓變頻器的應(yīng)用，簡(jiǎn)化其主電路,，減少使用器件,，提高可靠性，降**造成本,，簡(jiǎn)化調(diào)試工作等,，都與IGBT有密切的內(nèi)在聯(lián)系,，所以世界各大器件公司都在奮力研究、開發(fā),，予估近2-3年內(nèi),，會(huì)有突破性的進(jìn)展。已有適用于高壓變頻器的有電壓型HV-IGBT,igct,電流型sgct等,。柵射極間施加反壓或不加信號(hào)時(shí),，MOSFET內(nèi)的溝道消失，晶體管的基極電流被切斷,，IGBT關(guān)斷,。

N溝型的 IGBT工作是通過柵極－發(fā)射極間加閥值電壓VTH以上的（正）電壓，在柵極電極正下方的p層上形成反型層（溝道）,，開始從發(fā)射極電極下的n-層注入電子,。該電子為p+n-p晶體管的少數(shù)載流子，從集電極襯底p+層開始流入空穴,，進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制（雙極工作）,，所以可以降低集電極－發(fā)射極間飽和電壓。在發(fā)射極電極側(cè)形成n+pn－寄生晶體管,。若n+pn－寄生晶體管工作,，又變成p+n－ pn+晶閘管。電流繼續(xù)流動(dòng),，直到輸出側(cè)停止供給電流,。通過輸出信號(hào)已不能進(jìn)行控制。一般將這種狀態(tài)稱為閉鎖狀態(tài),。在安裝或更換IGBT模塊時(shí),，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。長(zhǎng)寧區(qū)如何IGBT模塊報(bào)價(jià)

保管時(shí),，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物;嘉定區(qū)質(zhì)量IGBT模塊設(shè)計(jì)

Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊(cè)中找到）如果IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中已經(jīng)給出了正象限的門極電荷曲線,，那么只用Cies 近似計(jì)算負(fù)象限的門極電荷會(huì)更接近實(shí)際值：門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 適用于Cies 的測(cè)試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2-- 適用于Cies 的測(cè)試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT當(dāng)為各個(gè)應(yīng)用選擇IGBT驅(qū)動(dòng)器時(shí)，必須考慮下列細(xì)節(jié)：嘉定區(qū)質(zhì)量IGBT模塊設(shè)計(jì)

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