· 驅(qū)動器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅(qū)動功率PG,。驅(qū)動器的比較大平均輸出電流必須大于計算值?！?驅(qū)動器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計算得到的比較大峰值電流?！?驅(qū)動器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對IGBT 的門極充放電,。在POWER-SEM 驅(qū)動器的數(shù)據(jù)表中,，給出了每脈沖的比較大輸出電荷，該值在選擇驅(qū)動器時必須要考慮,。另外在IGBT驅(qū)動器選擇中還應(yīng)該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力,。MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快,，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小。青浦區(qū)品牌IGBT模塊聯(lián)系人

通常為達到更好的驅(qū)動效果,，IGBT開通和關(guān)斷可以采取不同的驅(qū)動速度,，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的。IGBT驅(qū)動器有些是開通和關(guān)斷分別輸出控制,，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了,。有些驅(qū)動器只有一個輸出端，這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),，用以調(diào)節(jié)2個方向的驅(qū)動速度,。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻,，防止在未接驅(qū)動引線的情況下,，偶然加主電高壓，通過米勒電容燒毀IGBT,。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge,。黃浦區(qū)質(zhì)量IGBT模塊品牌通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號，以減少寄生電感,。

1979年,，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成),，其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵,。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體)工藝被采用到IGBT中來,。[2]在那個時候,，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT(非穿通)型設(shè)計。后來,，通過采用PT(穿通)型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個***改進,，這是隨著硅片上外延的技術(shù)進步，以及采用對應(yīng)給定阻斷電壓所設(shè)計的n+緩沖層而進展的[3],。幾年當(dāng)中,，這種在采用PT設(shè)計的外延片上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu)，其設(shè)計規(guī)則從5微米先進到3微米。

b,、主電路用螺絲擰緊,，控制極g要用插件，盡可能不用焊接方式,。c,、裝卸時應(yīng)采用接地工作臺，接地地面,，接地腕帶等防靜電措施,。  d、儀器測量時,，將1000電阻與g極串聯(lián),。e、要在無電源時進行安裝,。f,焊接g極時,，電烙鐵要停電并接地，選用定溫電烙鐵**合適,。當(dāng)手工焊接時,，溫度260±5℃.時間（10±1）秒，松香焊劑,。波峰焊接時,，PCB板要預(yù)熱80℃-105℃,在245℃時浸入焊接3-4IGBT發(fā)展趨向是高耐壓、大電流,、高速度,、低壓降、高可靠,、低成本為目標的,，特別是發(fā)展高壓變頻器的應(yīng)用，簡化其主電路,，減少使用器件,，提高可靠性，降**造成本,，簡化調(diào)試工作等,，都與IGBT有密切的內(nèi)在聯(lián)系，所以世界各大器件公司都在奮力研究,、開發(fā),，予估近2-3年內(nèi)，會有突破性的進展,。已有適用于高壓變頻器的有電壓型HV-IGBT,igct,電流型sgct等,。由于N+ 區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),，所以IGBT 的通態(tài)壓降小，耐壓1000V的IGBT 通態(tài)壓降為2 ～ 3V ,。

由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離,。由于此氧化膜很薄,，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一,。 因此使用中要注意以下幾點：1. 在使用模塊時,，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時,，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,，再觸摸;2. 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊;3. 盡量在底板良好接地的情況下操作,。其相互關(guān)系見下表,。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大,。嘉定區(qū)哪里IGBT模塊供應(yīng)商

1979年,，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。青浦區(qū)品牌IGBT模塊聯(lián)系人

IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP 晶體管提供基極電流,，使IGBT 導(dǎo)通。反之,，加反向門極電壓消除溝道,，流過反向基極電流，使IGBT 關(guān)斷,。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后,，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N 一層的電阻,，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓,。 [1] [4]IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性,、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。青浦區(qū)品牌IGBT模塊聯(lián)系人

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