可控硅一個關鍵用途在于做為無觸點開關。在自動化設備中,用無觸點開關代替通用繼電器已被逐步應用,。其***特點是無噪音,壽命長,。可控硅***陽極A1與第二陽極A2間,，無論所加電壓極性是正向還是反向,，只要控制極G和***陽極A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導通呈低阻狀態(tài),。此時A1,、A2間壓降也約1V。雙向可控硅一旦導通,，即使失去觸發(fā)電壓,，也能繼續(xù)保持導通狀態(tài)。只有當***陽極A1,、第二陽極A2電流減小,，小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時,，雙向可控硅才截斷,，此時只有重新加觸發(fā)電壓方可導通。它只有導通和關斷兩種狀態(tài),。崇明區(qū)進口晶閘管廠家現(xiàn)貨

可控硅元件的結(jié)構不管可控硅的外形如何,，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構。見圖1,。它有三個PN結(jié)（J1,、J2、J3）,，從J1結(jié)構的P1層引出陽極A,，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G,，所以它是一種四層三端的半導體器件,。結(jié)構原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構元件，共有三個PN結(jié),，分析原理時,，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,，其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件,，也稱作雙向晶閘管,。楊浦區(qū)銷售晶閘管聯(lián)系人額定通態(tài)電流（IT）即大穩(wěn)定工作電流，俗稱電流,。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安,。

四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式由于在雙向可控硅的主電極上，無論加以正向電壓或是反向電壓,，也不管觸發(fā)信號是正向還是反向,，它都能被觸發(fā)導通，因此它有以下四種觸發(fā)方式：(1)當主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓,，控制極G對***電極Tl所加的也是正向觸發(fā)信號（圖5a）,。雙向可控硅觸發(fā)導通后，電流I2l的方向從T2流向T1,。由特性曲線可知,，這時雙向可控硅觸發(fā)導通規(guī)律是按***象限的特性進行的，又因為觸發(fā)信號是正向的,，所以把這種觸發(fā)叫做“***象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式,。

“雙向可控硅”：是在普通可控硅的基礎上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,，而且*需一個觸發(fā)電路,，是比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意,。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取**個字母)交流半導體開關：ACsemiconductorswitch(取前兩個字母)以上兩組名詞組合成“TRIAC”三端雙向可控硅中文譯意“三端雙向可控硅開關”,。由此可見“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱。雙 向：Bi-directional(取***個字母)控 制：Controlled(取***個字母)整流器：Rectifier(取***個字母)反向重復峰值電壓（VRRM）或斷態(tài)重復峰值電壓（VDRM）,，俗稱耐壓,。

·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值,。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍。 同時,， 可控硅承受斷態(tài)重復峰值電壓VD R M 和反向重復峰值電壓 V R R M 時的峰值電流應小于器件規(guī)定的IDRM 和 IRRM,。 [1]·通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗,，應盡可能選擇VT M 小的可控硅,。 [1]可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多,。楊浦區(qū)銷售晶閘管聯(lián)系人

在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通,。崇明區(qū)進口晶閘管廠家現(xiàn)貨

為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡來限制電壓的變化,，以防止誤觸發(fā),。一般，電阻取100R,，電容取100nF,。值得注意的是此電阻不能省掉。3,、關于轉(zhuǎn)換電流變化率當負載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時,，會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,，這種情況**易在感性負載的情況下發(fā)生，很容易導致器件的損壞,。此時可以在負載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感,。4、關于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT在處于截止狀態(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時,，內(nèi)部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導通,。這在高溫下尤為嚴重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT,，或可采用高速可控硅(晶閘管),。崇明區(qū)進口晶閘管廠家現(xiàn)貨

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