Q 為柵極電荷，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè),。例如,，常見(jiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V，負(fù)電壓-9V,，則U=24V,，假設(shè) F=10KHz，Q=2.8uC可計(jì)算出 P=0.67w ,，柵極電阻應(yīng)選取2W電阻,，或2個(gè)1W電阻并聯(lián)。三,、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項(xiàng)1,、盡量減小柵極回路的電感阻抗，具體的措施有：a)驅(qū)動(dòng)器靠近IGBT減小引線長(zhǎng)度,；b) 驅(qū)動(dòng)的柵射極引線絞合,，并且不要用過(guò)粗的線；c) 線路板上的 2 根驅(qū)動(dòng)線的距離盡量靠近,；d) 柵極電阻使用無(wú)感電阻,；e) 如果是有感電阻，可以用幾個(gè)并聯(lián)以減小電感,。2,、IGBT 開(kāi)通和關(guān)斷選取不同的柵極電阻當(dāng)集電極被施加一個(gè)反向電壓時(shí)，J1 就會(huì)受到反向偏壓控制,，耗盡層則會(huì)向N-區(qū)擴(kuò)展,。閔行區(qū)質(zhì)量IGBT模塊銷售廠家

IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流,，使IGBT 導(dǎo)通,。反之，加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流,，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子）,，對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí),，也具有低的通態(tài)電壓,。IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時(shí)對(duì)其進(jìn)行保護(hù)的電路,。寶山區(qū)哪里IGBT模塊廠家現(xiàn)貨IGBT的閉鎖電流IL為額定電流（直流）的3倍以上,。

Rlimit =10～100Ω,C=10～470μF,Creset=10nF.一、柵極電阻Rg的作用1,、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT,、MOSFET)的柵射（或柵源）極之間是容性結(jié)構(gòu)，柵極回路的寄生電感又是不可避免的,，如果沒(méi)有柵極電阻,，那柵極回路在驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)脈沖的激勵(lì)下要產(chǎn)生很強(qiáng)的振蕩，因此必須串聯(lián)一個(gè)電阻加以迅速衰減,。2,、轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)器的功率損耗電容電感都是無(wú)功元件，如果沒(méi)有柵極電阻,，驅(qū)動(dòng)功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的輸出管上,，使其溫度上升很多。

對(duì)于大功率IGBT,，選擇驅(qū)動(dòng)電路基于以下的參數(shù)要求：器件關(guān)斷偏置,、門極電荷、耐固性和電源情況等,。門極電路的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門極電阻RG的大小,，對(duì)IGBT的通態(tài)壓降,、開(kāi)關(guān)時(shí)間,、開(kāi)關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響,。門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系見(jiàn)表1,。柵極正電壓 的變化對(duì)IGBT的開(kāi)通特性、負(fù)載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響,，而門極負(fù)偏壓則對(duì)關(guān)斷特性的影響比較大,。在門極電路的設(shè)計(jì)中，還要注意開(kāi)通特性,、負(fù)載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問(wèn)題(見(jiàn)表1),。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。

3,、調(diào)節(jié)功率開(kāi)關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小,，開(kāi)關(guān)器件通斷快,，開(kāi)關(guān)損耗小,；反之則慢,，同時(shí)開(kāi)關(guān)損耗大。但驅(qū)動(dòng)速度過(guò)快將使開(kāi)關(guān)器件的電壓和電流變化率**提高,，從而產(chǎn)生較大的干擾,，嚴(yán)重的將使整個(gè)裝置無(wú)法工作，因此必須統(tǒng)籌兼顧,。二,、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種不同的考慮下,，柵極電阻的選取會(huì)有很大的差異,。初試可如下選取：不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定要求,，可在其參數(shù)手冊(cè)的推薦值附近調(diào)試,。2、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅(qū)動(dòng)的功率決定,，一般來(lái)說(shuō)柵極電阻的總功率應(yīng)至少是柵極驅(qū)動(dòng)功率的2倍,。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率 P=FUQ，其中：F 為工作頻率,；U 為驅(qū)動(dòng)輸出電壓的峰峰值,；這時(shí)，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞,。青浦區(qū)選擇IGBT模塊聯(lián)系人

在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊;閔行區(qū)質(zhì)量IGBT模塊銷售廠家

Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊(cè)中找到）如果IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中已經(jīng)給出了正象限的門極電荷曲線,，那么只用Cies 近似計(jì)算負(fù)象限的門極電荷會(huì)更接近實(shí)際值：門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 適用于Cies 的測(cè)試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2-- 適用于Cies 的測(cè)試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT當(dāng)為各個(gè)應(yīng)用選擇IGBT驅(qū)動(dòng)器時(shí),，必須考慮下列細(xì)節(jié)：閔行區(qū)質(zhì)量IGBT模塊銷售廠家

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