IGBT的觸發(fā)和關斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓,，柵極電壓可由不同的驅動電路產(chǎn)生,。當選擇這些驅動電路時，必須基于以下的參數(shù)來進行：器件關斷偏置的要求,、柵極電荷的要求,、耐固性要求和電源的情況,。因為IGBT柵極- 發(fā)射極阻抗大，故可使用MOSFET驅動技術進行觸發(fā),，不過由于IGBT的輸入電容較MOSFET為大,，故IGBT的關斷偏壓應該比許多MOSFET驅動電路提供的偏壓更高。IGBT的開關速度低于MOSFET,，但明顯高于GTR,。IGBT在關斷時不需要負柵壓來減少關斷時間，但關斷時間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加,。IGBT的開啟電壓約3～4V,，和MOSFET相當。IGBT導通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近,，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低,。6. 檢測IGBT模塊的的辦法。閔行區(qū)質量IGBT模塊銷售價格

N溝型的 IGBT工作是通過柵極－發(fā)射極間加閥值電壓VTH以上的（正）電壓,，在柵極電極正下方的p層上形成反型層（溝道）,，開始從發(fā)射極電極下的n-層注入電子。該電子為p+n-p晶體管的少數(shù)載流子,，從集電極襯底p+層開始流入空穴,，進行電導率調制（雙極工作），所以可以降低集電極－發(fā)射極間飽和電壓,。在發(fā)射極電極側形成n+pn－寄生晶體管,。若n+pn－寄生晶體管工作，又變成p+n－ pn+晶閘管,。電流繼續(xù)流動,，直到輸出側停止供給電流。通過輸出信號已不能進行控制,。一般將這種狀態(tài)稱為閉鎖狀態(tài),。青浦區(qū)品牌IGBT模塊品牌保管時，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物;

測量靜態(tài)測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子,、紅表筆接2端子,顯示電阻應為無窮大; 表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子,、紅表筆接1端子, 顯示電阻應為無窮大;表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.若符合上述情況表明此IGBT的兩個單元沒有明顯的故障. 動態(tài)測試: 把萬用表的檔位放在乘10K檔,用黑表筆接4端子,紅表筆接5端子,此時黑表筆接3端子紅表筆接1端子, 此時電阻應為300-400歐,把表筆對調也有大約300-400歐的電阻表明此IGBT單元是完好的. 用同樣的方法測試1、2端子間的IGBT,若符合上述的情況表明該IGBT也是完好的,。 

對于大功率IGBT,，選擇驅動電路基于以下的參數(shù)要求：器件關斷偏置、門極電荷,、耐固性和電源情況等,。門極電路的正偏壓VGE負偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態(tài)壓降、開關時間,、開關損耗,、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅動條件與器件特性的關系見表1,。柵極正電壓 的變化對IGBT的開通特性,、負載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響，而門極負偏壓則對關斷特性的影響比較大,。在門極電路的設計中,，還要注意開通特性、負載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問題(見表1),。一般散熱片底部安裝有散熱風扇,，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障,。

IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,，Ugs 越高,， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 ,、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分,。在截止狀態(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔,，反向電壓由J1結承擔,。如果無N+ 緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平,，加入N+緩沖區(qū)后,，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了IGBT 的某些應用范圍,。IGBT 的轉移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關系曲線,。它與MOSFET 的轉移特性相同，當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時,，IGBT 處于關斷狀態(tài),。在IGBT 導通后的大部分漏極電流范圍內， Id 與Ugs呈線性關系,。比較高柵源電壓受比較大漏極電流限制,，其比較好值一般取為15V左右。在用導電材料連接模塊驅動端子時,，在配線未接好之前請先不要接上模塊;黃浦區(qū)質量IGBT模塊品牌

為了抑制n+pn-寄生晶體管的工作IGBT采用盡量縮小p+n-p晶體管的電流放大系數(shù)α作為解決閉鎖的措施,。閔行區(qū)質量IGBT模塊銷售價格

Rlimit =10～100Ω,C=10～470μF,Creset=10nF.一,、柵極電阻Rg的作用1,、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT,、MOSFET)的柵射（或柵源）極之間是容性結構，柵極回路的寄生電感又是不可避免的,，如果沒有柵極電阻,，那柵極回路在驅動器驅動脈沖的激勵下要產(chǎn)生很強的振蕩，因此必須串聯(lián)一個電阻加以迅速衰減,。2,、轉移驅動器的功率損耗電容電感都是無功元件，如果沒有柵極電阻,，驅動功率就將絕大部分消耗在驅動器內部的輸出管上,，使其溫度上升很多。閔行區(qū)質量IGBT模塊銷售價格

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