2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關斷期間,，由于電路中其他部分的工作,，會在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號，這些信號輕則會使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài),，增加管子的功耗,。重則將使調壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此,，比較好給處于截止狀態(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5～15 V),，使IGBT在柵極出現(xiàn)開關噪聲時仍能可靠截止。3)具有柵極電壓限幅電路,，保護柵極不被擊穿,。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V,，驅動信號超出此范圍就可能破壞柵極,。當集電極被施加一個反向電壓時，J1 就會受到反向偏壓控制,，耗盡層則會向N-區(qū)擴展,。楊浦區(qū)品牌IGBT模塊品牌

Q 為柵極電荷，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊,。例如,，常見IGBT驅動器(如TX-KA101)輸出正電壓15V，負電壓-9V,，則U=24V,，假設 F=10KHz，Q=2.8uC可計算出 P=0.67w ,，柵極電阻應選取2W電阻,，或2個1W電阻并聯(lián)。三,、設置柵極電阻的其他注意事項1,、盡量減小柵極回路的電感阻抗，具體的措施有：a)驅動器靠近IGBT減小引線長度,；b) 驅動的柵射極引線絞合,，并且不要用過粗的線；c) 線路板上的 2 根驅動線的距離盡量靠近,；d) 柵極電阻使用無感電阻,；e) 如果是有感電阻,，可以用幾個并聯(lián)以減小電感。2,、IGBT 開通和關斷選取不同的柵極電阻奉賢區(qū)銷售IGBT模塊廠家現(xiàn)貨盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合;

?IGBT電源模塊?是一種由絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構成的功率模塊,。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管,，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點,。GTR飽和壓降低，載流密度大,，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,，開關速度快，但導通壓降大,，載流密度小,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低,。

為了抑制n+pn-寄生晶體管的工作IGBT采用盡量縮小p+n-p晶體管的電流放大系數(shù)α作為解決閉鎖的措施,。具體地來說，p+n-p的電流放大系數(shù)α設計為0.5以下,。 IGBT的閉鎖電流IL為額定電流（直流）的3倍以上,。IGBT的驅動原理與電力MOSFET基本相同，通斷由柵射極電壓uGE決定,。 [2]導通IGBT硅片的結構與功率MOSFET 的結構十分相似,，主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個N+ 緩沖層（NPT-非穿通-IGBT技術沒有增加這個部分），其中一個MOSFET驅動兩個雙極器件,。這次從穿通(PT)型技術先進到非穿通(NPT)型技術,，是基本的，也是很重大的概念變化,。

表1 IGBT門極驅動條件與器件特性的關系由于IGBT的開關特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅動電路的變化而變化,，因而驅動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作,。IGBT對其驅動電路提出了以下要求,。1)向IGBT提供適當?shù)恼驏艍骸２⑶以贗GBT導通后,。柵極驅動電路提供給IGBT的驅動電壓和電流要有足夠的幅度,，使IGBT的功率輸出級總處于飽和狀態(tài)。瞬時過載時,，柵極驅動電路提供的驅動功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū),。IGBT導通后的管壓降與所加柵源電壓有關，在漏源電流一定的情況下,，VGE越高,，VDS值就越低,，器件的導通損耗就越小，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力,。但是,， VGE并非越高越好，一般不允許超過20 V,，原因是一旦發(fā)生過流或短路,，柵壓越高，則電流幅值越高,，IGBT損壞的可能性就越大,。通常，綜合考慮取+15 V為宜,。裝IGBT模塊的容器,，應選用不帶靜電的容器。楊浦區(qū)品牌IGBT模塊品牌

為了減少接觸熱阻,，在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂,。楊浦區(qū)品牌IGBT模塊品牌

IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線,。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,，Ugs 越高， Id 越大,。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 ,、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分,。在截止狀態(tài)下的IGBT ,，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔,。如果無N+ 緩沖區(qū),，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后,，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平,，因此限制了IGBT 的某些應用范圍。IGBT 的轉移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關系曲線,。它與MOSFET 的轉移特性相同,，當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時，IGBT 處于關斷狀態(tài),。在IGBT 導通后的大部分漏極電流范圍內,， Id 與Ugs呈線性關系。比較高柵源電壓受比較大漏極電流限制,，其比較好值一般取為15V左右,。楊浦區(qū)品牌IGBT模塊品牌

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