大電流高電壓的IGBT已模塊化，它的驅(qū)動電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外,，已制造出集成化的IGBT**驅(qū)動電路,。其性能更好,，整機的可靠性更高及體積更小,。選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表,。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時,，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時,，開關損耗增大,，使原件發(fā)熱加劇，因此,，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流,。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大,，發(fā)熱加劇,，選用時應該降等使用。為了減少接觸熱阻,，在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂,。崇明區(qū)如何IGBT模塊供應商

常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器,、開關電源,、照明電路、牽引傳動等領域,。 圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極,。N+ 區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。在漏,、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成）,，稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ）,，它是IGBT 特有的功能區(qū),，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴,，進行導電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極,。 IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導通,。松江區(qū)品牌IGBT模塊聯(lián)系人由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。

在使用IGBT的場合,，當柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓,，則IGBT就會損壞,，為防止此類故障，應在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻,。在安裝或更換IGBT模塊時,，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻,，比較好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂,。一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發(fā)熱,，而發(fā)生故障,。因此對散熱風扇應定期進行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器,，當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作 [1],。

門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計算IGBT 驅(qū)動器電路所需輸出功率的關鍵參數(shù),。該電容幾乎不受溫度影響,，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 的值,，在實際電路應用中不是一個特別有用的參數(shù),，因為它是通過電橋測得的，在測量電路中,，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V),，在這種測量條件下，所測得的結(jié)電容要比VCE=600V 時要大一些(如圖2)。由于門極的測量電壓太低(VGE=0V )而不是門極的門檻電壓,，在實際開關中存在的米勒效應（Miller 效應）在測量中也沒有被包括在內(nèi),，在實際使用中的門極電容Cin值要比IGBT 數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 值大很多。因此,，在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies值在實際應用中**只能作為一個參考值使用,。此時，仍然是由N漂移區(qū)中的耗盡層承受外部施加的電壓,。

· 驅(qū)動器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅(qū)動功率PG,。驅(qū)動器的比較大平均輸出電流必須大于計算值?！?驅(qū)動器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計算得到的比較大峰值電流?！?驅(qū)動器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對IGBT 的門極充放電。在POWER-SEM 驅(qū)動器的數(shù)據(jù)表中,，給出了每脈沖的比較大輸出電荷,，該值在選擇驅(qū)動器時必須要考慮。另外在IGBT驅(qū)動器選擇中還應該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力,。柵射極間施加反壓或不加信號時,，MOSFET內(nèi)的溝道消失，晶體管的基極電流被切斷,，IGBT關斷。崇明區(qū)如何IGBT模塊供應商

在溫度發(fā)生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象,，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方;崇明區(qū)如何IGBT模塊供應商

fsw max. : 比較高開關頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實際上在很多情況下,，數(shù)據(jù)手冊中這個門極電荷參數(shù)沒有給出，門極電壓在上升過程中的充電過程也沒有描述,。這時候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測試方法測量出開通能量E,，然后再計算出QG,。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE崇明區(qū)如何IGBT模塊供應商

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