晶閘管T在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號(hào),。它屬于NPNP四層器件,，三個(gè)電極分別是T1、T2,、G,。因該器件可以雙向?qū)ǎ食T極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子,，用T1,、T2,。表示，不再劃分成陽(yáng)極或陰極,。其特點(diǎn)是,，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1，的電壓均為正時(shí),，T2是陽(yáng)極,，T1是陰極。反之,，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1的電壓均為負(fù)時(shí),，T1變成陽(yáng)極，T2為陰極,。雙向晶閘管的伏安特性,，由于正、反向特性曲線具有對(duì)稱性,，所以它可在任何一個(gè)方向?qū)?。普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。黃浦區(qū)選擇晶閘管供應(yīng)商

常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路,、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路,、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,，等等?？煽毓璧闹饕獏?shù)有：1,、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2,、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號(hào)，陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,。可控硅承受的正向電壓峰值,，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值3,、 反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時(shí)，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。4,、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度,。楊浦區(qū)品牌晶閘管廠家現(xiàn)貨可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍,；

1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中,，如果柵極上的噪聲電壓超過(guò)VGT,，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通,。應(yīng)用安裝時(shí),，首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時(shí),，可用絞線或屏蔽線來(lái)減小干擾的侵入,。在然后G與MT1之間加一個(gè)1KΩ的電阻來(lái)降低其靈敏度，也可以再并聯(lián)一個(gè)100nf的電容,，來(lái)濾掉高頻噪聲,。2、關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí),，在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移,。當(dāng)負(fù)載電流過(guò)零時(shí)，雙向可控硅(晶閘管)開始換向,，但由于相移的關(guān)系,，電壓將不會(huì)是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓,。如果這時(shí)換向電壓的變化超過(guò)允許值時(shí),，就沒有足夠的時(shí)間使結(jié)間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài),。

設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2,；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,，設(shè)流過(guò)J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽(yáng)極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽(yáng)極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2）） （1—1）硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化,。當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓,，而門極未受電壓的情況下,，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小,，故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0 晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài),。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。

四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式由于在雙向可控硅的主電極上,，無(wú)論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發(fā)信號(hào)是正向還是反向,，它都能被觸發(fā)導(dǎo)通,，因此它有以下四種觸發(fā)方式：(1)當(dāng)主電極T2對(duì)Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對(duì)***電極Tl所加的也是正向觸發(fā)信號(hào)（圖5a）,。雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后,，電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知,，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是按***象限的特性進(jìn)行的,，又因?yàn)橛|發(fā)信號(hào)是正向的，所以把這種觸發(fā)叫做“***象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式,。使用時(shí),，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。浦東新區(qū)選擇晶閘管廠家現(xiàn)貨

α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。黃浦區(qū)選擇晶閘管供應(yīng)商

⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT）,，俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安,。4,，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值,。常用可控硅的封裝形式有TO-92,、TO-126、TO-202AB,、TO-220,、TO-220ABC、TO-3P,、SOT-89,、TO-251、TO-252,、SOT-23,、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管,，就可以構(gòu)成可控整流電路。以**簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例,，在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。黃浦區(qū)選擇晶閘管供應(yīng)商

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