5,、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下，控制極斷路,，維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等,?？煽毓栌卸喾N分類方法。（一）按關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅,、門極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以,。松江區(qū)哪里晶閘管銷售廠家

雙向可控硅的相位控制與單向可控硅很類似,但因雙向可控硅能雙向?qū)?在正負(fù)半周均能觸發(fā),可作為全波功率控制之用.因此雙向可控硅除具有單向可控硅的優(yōu)點(diǎn),更方便交流功率控制,。右圖(a)為雙向可控硅相位控制電路à電子技術(shù)中,常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱為電角度,。這樣,在交流電的正,、負(fù)半周,從規(guī)定時(shí)刻(通常為零值)，開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角αz晶閘管導(dǎo)通期間所對應(yīng)的電角度叫導(dǎo)通角0,。在右圖(a)中,適當(dāng)調(diào)整觸發(fā)電路的RC時(shí)間常數(shù)即可改變它的控制角。右圖(b)(c)分別是控制角為30°和導(dǎo)通:角150°時(shí)的UAi-z及負(fù)載的電壓波形,。一般雙向可控硅所能控制的負(fù)載遠(yuǎn)比單向可控硅小,大體上而言約在600 V,40 A以下,。 [2]松江區(qū)進(jìn)口晶閘管設(shè)計(jì)大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等,。

應(yīng)用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線,。由圖可見，雙向可控硅的特性曲線是由一,、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線組合成的,。***象限的曲線說明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時(shí)，我們稱為正向電壓,，并用符號(hào)U21表示,。當(dāng)這個(gè)電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時(shí)，圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導(dǎo)通,，這時(shí)的通態(tài)電流為I21,，方向是從T2流向Tl。從圖中可以看到,，觸發(fā)電流越大,，轉(zhuǎn)折電壓就越低，這種情形和普通可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是一致的,， 當(dāng)加到主電極上的電壓使Tl對T2的極性為正時(shí),，叫做反向電壓，并用符號(hào)U12表示,。當(dāng)這個(gè)電壓達(dá)到轉(zhuǎn)折電壓值時(shí),，圖3（b）觸發(fā)導(dǎo)通,，這時(shí)的電流為I12，其方向是從T1到T2,。這時(shí)雙向可控硅的特性曲線,，如圖4中第三象限所示。

為了克服上述問題,，可以在端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來限制電壓的變化,，以防止誤觸發(fā)。一般,，電阻取100R,，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉,。3,、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí),，會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,，這種情況**易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生，很容易導(dǎo)致器件的損壞,。此時(shí)可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感,。4、關(guān)于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個(gè)小于它的VDFM的高速變化的電壓時(shí),，內(nèi)部電容的電流會(huì)產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通,。這在高溫下尤為嚴(yán)重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個(gè)RC緩沖電路來限制VD/DT,，或可采用高速可控硅(晶閘管),。大；塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路,。像可調(diào)壓輸出直流電源等等,。

在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性,。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)?？煽毓枘芤院涟布?jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗***增加,，允許通過的平均電流相降低,，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用,?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍,；反應(yīng)極快,，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷,；無觸點(diǎn)運(yùn)行,，無火花、無噪音,；效率高,，成本低等等?？煽毓璧娜觞c(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差,；容易受干擾而誤導(dǎo)通。向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。金山區(qū)選擇晶閘管廠家現(xiàn)貨

α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。松江區(qū)哪里晶閘管銷售廠家

安裝過程中,，螺絲刀決不能對器件塑料體施加任何力量,；和接頭片接觸的散熱器表面應(yīng)處理，保證平坦,，10mm上允許偏差0.02mm,；安裝力矩（帶墊圈）應(yīng)在0.55nm 和0.8nm 之間,；應(yīng)避免使用自攻絲螺釘,，因?yàn)閿D壓可能導(dǎo)致安裝孔周圍的隆起，影響器件和散熱器之間的熱接觸,。安裝力矩?zé)o法控制,，也是這種安裝方法的缺點(diǎn)；器件應(yīng)首先機(jī)械固定,，然后焊接引線,。這可減少引線的不適當(dāng)應(yīng)力。一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,，創(chuàng)制于1957年,，由于它特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管,，簡稱可控硅T,。又由于可控硅**初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR,。松江區(qū)哪里晶閘管銷售廠家

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