從晶閘管的內(nèi)部分析工作過程：晶閘管是四層三端器件,，它有J1、J2,、J3三個PN結(jié),，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復(fù)合管.當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時,，為使晶閘管導(dǎo)通,，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用,。中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此,，兩個互相復(fù)合的晶體管電路,，當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時，就會形成強(qiáng)烈的正反饋,，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,，晶體管飽和導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單,，沒有反向耐壓問題,，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用。靜安區(qū)如何晶閘管聯(lián)系人

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個,，如表1一5所示,。正反向重復(fù)蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級，1000V以上的管子每200V為一級,。取電壓教除以100做為級別標(biāo)志,，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,，用宇毋表示,，如表1一所示。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V,，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅,。綜上所述，小結(jié)如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,，有三個電極,，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由上海銷售晶閘管銷售廠家Ug到來得早，晶閘管導(dǎo)通的時間就早,；

至于型號后綴字母的觸發(fā)電流,，各個廠家的**含義如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA,，C=15mA,，F(xiàn)=25mA，G=50mA,，R=200uA或5mA,，型號沒有后綴字母之觸發(fā)電流，通常為25-35mA,；PHILIPS公司的觸發(fā)電流**字母沒有統(tǒng)一的定義,，以產(chǎn)品的封裝不同而不同。意法ST公司：TW=5mA,，SW=10mA,，CW=35mA,，BW=50mA，C=25mA,，B=50mA,，H=15mA，T=15mA,，注意：以上觸發(fā)電流均有一個上下起始誤差范圍,，產(chǎn)品PDF文件中均有詳細(xì)說明一般分為最小值/典型值/最大值，而非“=”一個參數(shù)值,。

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126,、TO-202AB,、TO-220、TO-220AB,、TO-3P,、SOT-89、TO-251,、TO-252等,。盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合，但實(shí)際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件,。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝,，有的還帶散熱板。典型產(chǎn)品有BCMlAM(1A/600V),、BCM3AM(3A/600V),、2N6075(4A/600V)，MAC218-10(8A/800V)等,。大功率雙向可控硅大多采用RD91型封裝。在自動控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動器件,，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。

安裝過程中,，螺絲刀決不能對器件塑料體施加任何力量,；和接頭片接觸的散熱器表面應(yīng)處理,，保證平坦，10mm上允許偏差0.02mm,；安裝力矩（帶墊圈）應(yīng)在0.55nm 和0.8nm 之間,；應(yīng)避免使用自攻絲螺釘，因?yàn)閿D壓可能導(dǎo)致安裝孔周圍的隆起,，影響器件和散熱器之間的熱接觸,。安裝力矩?zé)o法控制，也是這種安裝方法的缺點(diǎn),；器件應(yīng)首先機(jī)械固定,，然后焊接引線。這可減少引線的不適當(dāng)應(yīng)力,。一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管,，所以國際上通稱為硅晶體閘流管,，簡稱可控硅T。又由于可控硅**初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,，簡稱為可控硅SCR,。按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅,。黃浦區(qū)如何晶閘管銷售價格

通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。靜安區(qū)如何晶閘管聯(lián)系人

雙向可控硅的相位控制與單向可控硅很類似,但因雙向可控硅能雙向?qū)?在正負(fù)半周均能觸發(fā),可作為全波功率控制之用.因此雙向可控硅除具有單向可控硅的優(yōu)點(diǎn),更方便交流功率控制,。右圖(a)為雙向可控硅相位控制電路à電子技術(shù)中,常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度,。這樣,在交流電的正,、負(fù)半周,從規(guī)定時刻(通常為零值)，開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角αz晶閘管導(dǎo)通期間所對應(yīng)的電角度叫導(dǎo)通角0,。在右圖(a)中,適當(dāng)調(diào)整觸發(fā)電路的RC時間常數(shù)即可改變它的控制角,。右圖(b)(c)分別是控制角為30°和導(dǎo)通:角150°時的UAi-z及負(fù)載的電壓波形。一般雙向可控硅所能控制的負(fù)載遠(yuǎn)比單向可控硅小,大體上而言約在600 V,40 A以下,。 [2]靜安區(qū)如何晶閘管聯(lián)系人

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