正式商用的高壓大電流IGBT器件至今尚未出現(xiàn),，其電壓和電流容量還很有限,，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的需求，特別是在高壓領(lǐng)域的許多應(yīng)用中,，要求器件的電壓等級(jí)達(dá)到10KV以上,。目前只能通過IGBT高壓串聯(lián)等技術(shù)來實(shí)現(xiàn)高壓應(yīng)用,。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件,，德國的EUPEC生產(chǎn)的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經(jīng)獲得實(shí)際應(yīng)用，日本東芝也已涉足該領(lǐng)域,。與此同時(shí),，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷開發(fā)IGBT的高耐壓,、大電流、高速,、低飽和壓降,、高可靠性、低成本技術(shù),，主要采用1um以下制作工藝,，研制開發(fā)取得一些新進(jìn)展。 [1]IGBT的閉鎖電流IL為額定電流（直流）的3倍以上,。奉賢區(qū)銷售IGBT模塊費(fèi)用

IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系,。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時(shí)，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管,，所以其B 值極低,。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分,。由于N+ 區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),，所以IGBT 的通態(tài)壓降小，耐壓1000V的IGBT 通態(tài)壓降為2 ～ 3V ,。IGBT 處于斷態(tài)時(shí),，只有很小的泄漏電流存在。 [1]動(dòng)態(tài)特性IGBT 在開通過程中,，大部分時(shí)間是作為MOSFET 來運(yùn)行的,，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時(shí)間,。td(on) 為開通延遲時(shí)間,， tri 為電流上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時(shí)間ton 即為td (on) tri 之和,。漏源電壓的下降時(shí)間由tfe1 和tfe2 組成,。青浦區(qū)質(zhì)量IGBT模塊銷售價(jià)格此時(shí)，仍然是由N漂移區(qū)中的耗盡層承受外部施加的電壓,。

1947年12月，美國貝爾實(shí)驗(yàn)室的肖克利,、巴丁和布拉頓組成的研究小組,，研制出一種點(diǎn)接觸型的鍺晶體管。晶體管的問世,，是20世紀(jì)的一項(xiàng)重大發(fā)明,，是微電子**的先聲。晶體管出現(xiàn)后,，人們就能用一個(gè)小巧的,、消耗功率低的電子器件，來代替體積大,、功率消耗大的電子管了,。晶體管的發(fā)明又為后來集成電路的誕生吹響了號(hào)角。20世紀(jì)**初的10年,，通信系統(tǒng)已開始應(yīng)用半導(dǎo)體材料,。20世紀(jì)上半葉，在無線電愛好者中***流行的礦石收音機(jī),，就采用礦石這種半導(dǎo)體材料進(jìn)行檢波,。半導(dǎo)體的電學(xué)特性也在電話系統(tǒng)中得到了應(yīng)用。晶體管的發(fā)明,，**早可以追溯到1929年,，當(dāng)時(shí)工程師利蓮費(fèi)爾德就已經(jīng)取得一種晶體管的**。但是,，限于當(dāng)時(shí)的技術(shù)水平,，制造這種器件的材料達(dá)不到足夠的純度，而使這種晶體管無法制造出來,。

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通,。反之,，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷,。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后,，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N 一層的電阻,，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓,。IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作,，并同時(shí)對(duì)其進(jìn)行保護(hù)的電路。非穿通(NPT)技術(shù)則是基于不對(duì)少子壽命進(jìn)行殺傷而有很好的輸運(yùn)效率,，不過其載流子注入系數(shù)卻比較低,。

這次從穿通(PT)型技術(shù)先進(jìn)到非穿通(NPT)型技術(shù)，是**基本的,，也是很重大的概念變化,。這就是：穿通(PT)技術(shù)會(huì)有比較高的載流子注入系數(shù)，而由于它要求對(duì)少數(shù)載流子壽命進(jìn)行控制致使其輸運(yùn)效率變壞,。另一方面,，非穿通(NPT)技術(shù)則是基于不對(duì)少子壽命進(jìn)行殺傷而有很好的輸運(yùn)效率，不過其載流子注入系數(shù)卻比較低,。進(jìn)而言之,，非穿通(NPT)技術(shù)又被軟穿通(LPT)技術(shù)所代替，它類似于某些人所謂的“軟穿通”(SPT)或“電場截止”(FS)型技術(shù),，這使得“成本—性能”的綜合效果得到進(jìn)一步改善,。1996年，CSTBT(載流子儲(chǔ)存的溝槽柵雙極晶體管)使第5代IGBT模塊得以實(shí)現(xiàn)[6],，它采用了弱穿通(LPT)芯片結(jié)構(gòu),，又采用了更先進(jìn)的寬元胞間距的設(shè)計(jì)。包括一種“反向阻斷型”(逆阻型)功能或一種“反向?qū)ㄐ汀?逆導(dǎo)型)功能的IGBT器件的新概念正在進(jìn)行研究,，以求得進(jìn)一步優(yōu)化,。柵射極間施加反壓或不加信號(hào)時(shí)，MOSFET內(nèi)的溝道消失,，晶體管的基極電流被切斷,，IGBT關(guān)斷。徐匯區(qū)選擇IGBT模塊聯(lián)系人

MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,，開關(guān)速度快,，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小。奉賢區(qū)銷售IGBT模塊費(fèi)用

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用,，在實(shí)際使用中除IGBT自身外,，IGBT 驅(qū)動(dòng)器的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性,。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致 IGBT 和驅(qū)動(dòng)器損壞,。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出性能的計(jì)算方法以供選型時(shí)參考。圖2IGBT 的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻,。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖,，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容、CCE 是集電極-發(fā)射極電容,、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）,。奉賢區(qū)銷售IGBT模塊費(fèi)用

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