IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負(fù)向電壓,，柵極電壓可由不同的驅(qū)動電路產(chǎn)生。當(dāng)選擇這些驅(qū)動電路時,，必須基于以下的參數(shù)來進(jìn)行：器件關(guān)斷偏置的要求,、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況,。因為IGBT柵極- 發(fā)射極阻抗大,，故可使用MOSFET驅(qū)動技術(shù)進(jìn)行觸發(fā)，不過由于IGBT的輸入電容較MOSFET為大,，故IGBT的關(guān)斷偏壓應(yīng)該比許多MOSFET驅(qū)動電路提供的偏壓更高,。IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET，但明顯高于GTR,。IGBT在關(guān)斷時不需要負(fù)柵壓來減少關(guān)斷時間,，但關(guān)斷時間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3～4V,，和MOSFET相當(dāng),。IGBT導(dǎo)通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近,，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。閔行區(qū)銷售IGBT模塊廠家現(xiàn)貨

在使用IGBT的場合,，當(dāng)柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓,，則IGBT就會損壞,，為防止此類故障，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻,。在安裝或更換IGBT模塊時,，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻,，比較好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂,。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱,，而發(fā)生故障,。因此對散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器,，當(dāng)溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作 [1],。上海銷售IGBT模塊報價這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成)，其特點是通過強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵,。

1979年,，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成),，其特點是通過強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵,。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體)工藝被采用到IGBT中來,。[2]在那個時候,，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT(非穿通)型設(shè)計。后來,，通過采用PT(穿通)型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個***改進(jìn),，這是隨著硅片上外延的技術(shù)進(jìn)步，以及采用對應(yīng)給定阻斷電壓所設(shè)計的n+緩沖層而進(jìn)展的[3],。幾年當(dāng)中,，這種在采用PT設(shè)計的外延片上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu)，其設(shè)計規(guī)則從5微米先進(jìn)到3微米,。

大電流高電壓的IGBT已模塊化,，它的驅(qū)動電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外,，已制造出集成化的IGBT**驅(qū)動電路。其性能更好,，整機(jī)的可靠性更高及體積更小,。選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表,。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時,，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時,，開關(guān)損耗增大,，使原件發(fā)熱加劇，因此,，選用IGBT模塊時額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流,。特別是用作高頻開關(guān)時，由于開關(guān)損耗增大,，發(fā)熱加劇,，選用時應(yīng)該降等使用。IGBT的閉鎖電流IL為額定電流（直流）的3倍以上,。

IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系,。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管,，所以其B 值極低,。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分,。由于N+ 區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),，所以IGBT 的通態(tài)壓降小，耐壓1000V的IGBT 通態(tài)壓降為2 ～ 3V ,。IGBT 處于斷態(tài)時,，只有很小的泄漏電流存在。 [1]動態(tài)特性IGBT 在開通過程中,，大部分時間是作為MOSFET 來運(yùn)行的,，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,，又增加了一段延遲時間,。td(on) 為開通延遲時間， tri 為電流上升時間,。實際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和,。漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,，驅(qū)動功率小而飽和壓降低,。閔行區(qū)銷售IGBT模塊廠家現(xiàn)貨

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鑒于尾流與少子的重組有關(guān),，尾流的電流值應(yīng)與芯片的溫度,、IC 和VCE密切相關(guān)的空穴移動性有密切的關(guān)系。因此,，根據(jù)所達(dá)到的溫度,，降低這種作用在終端設(shè)備設(shè)計上的電流的不理想效應(yīng)是可行的，尾流特性與VCE,、IC和 TC有關(guān),。柵射極間施加反壓或不加信號時,，MOSFET內(nèi)的溝道消失,，晶體管的基極電流被切斷，IGBT關(guān)斷,。 [2]反向阻斷當(dāng)集電極被施加一個反向電壓時,，J1 就會受到反向偏壓控制，耗盡層則會向N-區(qū)擴(kuò)展,。因過多地降低這個層面的厚度,，將無法取得一個有效的阻斷能力，所以,，這個機(jī)制十分重要,。另一方面，如果過大地增加這個區(qū)域尺寸,，就會連續(xù)地提高壓降,。 [2]正向阻斷閔行區(qū)銷售IGBT模塊廠家現(xiàn)貨

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