通常為達到更好的驅(qū)動效果，IGBT開通和關(guān)斷可以采取不同的驅(qū)動速度，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的,。IGBT驅(qū)動器有些是開通和關(guān)斷分別輸出控制,，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了。有些驅(qū)動器只有一個輸出端,，這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),，用以調(diào)節(jié)2個方向的驅(qū)動速度。3,、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻,，防止在未接驅(qū)動引線的情況下，偶然加主電高壓,，通過米勒電容燒毀IGBT,。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。在用導電材料連接模塊驅(qū)動端子時,，在配線未接好之前請先不要接上模塊;黃浦區(qū)進口IGBT模塊設(shè)計

IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動,，各種驅(qū)動保護電路，高性能IGBT芯片,，新型封裝技術(shù),，從復合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB,、電力模塊IPEM,。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V,，IPM除用于變頻調(diào)速外，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器,。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB,，用于艦艇上的導彈發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB,，**降低電路接線電感,，提高系統(tǒng)效率，現(xiàn)已開發(fā)成功第二代IPEM,，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中,。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點,。黃浦區(qū)進口IGBT模塊設(shè)計IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān),。

2010年，中國科學院微電子研究所成功研制國內(nèi)***可產(chǎn)業(yè)化IGBT芯片,，由中國科學院微電子研究所設(shè)計研發(fā)的15-43A /1200V IGBT系列產(chǎn)品（采用Planar NPT器件結(jié)構(gòu)）在華潤微電子工藝平臺上流片成功,，各項參數(shù)均達到設(shè)計要求，部分性能優(yōu)于國外同類產(chǎn)品,。這是我國國內(nèi)***自主研制可產(chǎn)業(yè)化的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）產(chǎn)品,，標志著我國全國產(chǎn)化IGBT芯片產(chǎn)業(yè)化進程取得了重大突破,，擁有了***條專業(yè)的完整通過客戶產(chǎn)品設(shè)計驗證的IGBT工藝線。該科研成果主要面向家用電器應用領(lǐng)域,，聯(lián)合江蘇矽萊克電子科技有限公司進行市場推廣,，目前正由國內(nèi)***的家電企業(yè)用戶試用，微電子所和華潤微電子將聯(lián)合進一步推動國產(chǎn)自主IGBT產(chǎn)品的大批量生產(chǎn),。 [2

圖1（a）所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極,。N基 區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成）,，稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）,。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū),，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴,，進行導電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極,。電導調(diào)制效應使電阻RN減小,，使通態(tài)壓降小。

Rlimit =10～100Ω,C=10～470μF,Creset=10nF.一,、柵極電阻Rg的作用1,、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射（或柵源）極之間是容性結(jié)構(gòu),，柵極回路的寄生電感又是不可避免的,，如果沒有柵極電阻，那柵極回路在驅(qū)動器驅(qū)動脈沖的激勵下要產(chǎn)生很強的振蕩,，因此必須串聯(lián)一個電阻加以迅速衰減,。2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動器的功率損耗電容電感都是無功元件,，如果沒有柵極電阻,，驅(qū)動功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動器內(nèi)部的輸出管上，使其溫度上升很多。IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系,。虹口區(qū)進口IGBT模塊品牌

裝IGBT模塊的容器,，應選用不帶靜電的容器。黃浦區(qū)進口IGBT模塊設(shè)計

絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點,，具有良好的特性,，應用領(lǐng)域很***；IGBT也是三端器件：柵極,，集電極和發(fā)射極,。絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點，具有良好的特性,，應用領(lǐng)域很***,；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發(fā)射極,。 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件,，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件。I黃浦區(qū)進口IGBT模塊設(shè)計

茵菲菱新能源(上海)有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中,，一直處在一個不斷銳意進取,，不斷制造創(chuàng)新的市場高度，多年以來致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價值理念的產(chǎn)品標準,，在上海市等地區(qū)的電工電氣中始終保持良好的商業(yè)口碑,，成績讓我們喜悅，但不會讓我們止步,，殘酷的市場磨煉了我們堅強不屈的意志,，和諧溫馨的工作環(huán)境，富有營養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新,，勇于進取的無限潛力,，茵菲菱供應攜手大家一起走向共同輝煌的未來，回首過去,，我們不會因為取得了一點點成績而沾沾自喜，相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍,，我們更要明確自己的不足,，做好迎接新挑戰(zhàn)的準備，要不畏困難,，激流勇進,，以一個更嶄新的精神面貌迎接大家，共同走向輝煌回來,！