Q 為柵極電荷，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊,。例如,，常見IGBT驅(qū)動器(如TX-KA101)輸出正電壓15V，負(fù)電壓-9V,，則U=24V,，假設(shè) F=10KHz，Q=2.8uC可計(jì)算出 P=0.67w ,，柵極電阻應(yīng)選取2W電阻,，或2個(gè)1W電阻并聯(lián)。三,、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項(xiàng)1,、盡量減小柵極回路的電感阻抗,，具體的措施有：a)驅(qū)動器靠近IGBT減小引線長度；b) 驅(qū)動的柵射極引線絞合,，并且不要用過粗的線,；c) 線路板上的 2 根驅(qū)動線的距離盡量靠近；d) 柵極電阻使用無感電阻,；e) 如果是有感電阻,，可以用幾個(gè)并聯(lián)以減小電感。2,、IGBT 開通和關(guān)斷選取不同的柵極電阻為了減少接觸熱阻,，在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。閔行區(qū)選擇IGBT模塊品牌

2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓,。在IGBT關(guān)斷期間,，由于電路中其他部分的工作，會在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號,，這些信號輕則會使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài),，增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài),。因此,，比較好給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5～15 V)，使IGBT在柵極出現(xiàn)開關(guān)噪聲時(shí)仍能可靠截止,。3)具有柵極電壓限幅電路,，保護(hù)柵極不被擊穿。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V,，驅(qū)動信號超出此范圍就可能破壞柵極,。閔行區(qū)選擇IGBT模塊品牌GTR飽和壓降低，載流密度大,，但驅(qū)動電流較大,；

通常為達(dá)到更好的驅(qū)動效果，IGBT開通和關(guān)斷可以采取不同的驅(qū)動速度,，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的,。IGBT驅(qū)動器有些是開通和關(guān)斷分別輸出控制，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了,。有些驅(qū)動器只有一個(gè)輸出端,，這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個(gè)電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，用以調(diào)節(jié)2個(gè)方向的驅(qū)動速度,。3,、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻，防止在未接驅(qū)動引線的情況下,，偶然加主電高壓,，通過米勒電容燒毀IGBT,。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。

基片的應(yīng)用在管體的P+和N+ 區(qū)之間創(chuàng)建了一個(gè)J1結(jié),。當(dāng)正柵偏壓使柵極下面反演P基區(qū)時(shí),，一個(gè)N溝道形成，同時(shí)出現(xiàn)一個(gè)電子流,，并完全按照功率MOSFET的方式產(chǎn)生一股電流,。如果這個(gè)電子流產(chǎn)生的電壓在0.7V范圍內(nèi)，那么,，J1將處于正向偏壓,，一些空穴注入N-區(qū)內(nèi)，并調(diào)整陰陽極之間的電阻率,，這種方式降低了功率導(dǎo)通的總損耗,，并啟動了第二個(gè)電荷流。***的結(jié)果是,，在半導(dǎo)體層次內(nèi)臨時(shí)出現(xiàn)兩種不同的電流拓?fù)洌阂粋€(gè)電子流(MOSFET 電流)；空穴電流（雙極）,。 [4]uGE大于開啟電壓UGE(th)時(shí),，MOSFET內(nèi)形成溝道，為晶體管提供基極電流,，IGBT導(dǎo)通,。 [2]在安裝或更換IGBT模塊時(shí)，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度,。

由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V,。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。 因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：1. 在使用模塊時(shí),，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分,，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,，再觸摸;2. 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時(shí),，在配線未接好之前請先不要接上模塊;3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。盡量在底板良好接地的情況下操作,。閔行區(qū)選擇IGBT模塊品牌

在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時(shí),，在配線未接好之前請先不要接上模塊;閔行區(qū)選擇IGBT模塊品牌

Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）如果IGBT數(shù)據(jù)手冊中已經(jīng)給出了正象限的門極電荷曲線，那么只用Cies 近似計(jì)算負(fù)象限的門極電荷會更接近實(shí)際值：門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT當(dāng)為各個(gè)應(yīng)用選擇IGBT驅(qū)動器時(shí),，必須考慮下列細(xì)節(jié)：閔行區(qū)選擇IGBT模塊品牌

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