IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊,。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能,。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī),、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域,。IGBT功率模塊是電壓型控制,，輸入阻抗大,，驅(qū)動(dòng)功率小,，控制電路簡(jiǎn)單，開關(guān)損耗小,，通斷速度快,，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn),。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件,，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體化。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低,，開關(guān)頻率高（可達(dá)20khz）,，這兩點(diǎn)非常顯著的特性，**近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳,，相繼東芝,、富士、ir,摩托羅拉亦已在開發(fā)研制新品種。IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系,。松江區(qū)質(zhì)量IGBT模塊報(bào)價(jià)

正式商用的高壓大電流IGBT器件至今尚未出現(xiàn),，其電壓和電流容量還很有限，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的需求,，特別是在高壓領(lǐng)域的許多應(yīng)用中,，要求器件的電壓等級(jí)達(dá)到10KV以上。目前只能通過IGBT高壓串聯(lián)等技術(shù)來實(shí)現(xiàn)高壓應(yīng)用,。國(guó)外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件,，德國(guó)的EUPEC生產(chǎn)的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經(jīng)獲得實(shí)際應(yīng)用，日本東芝也已涉足該領(lǐng)域,。與此同時(shí),，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷開發(fā)IGBT的高耐壓、大電流,、高速,、低飽和壓降、高可靠性,、低成本技術(shù),，主要采用1um以下制作工藝，研制開發(fā)取得一些新進(jìn)展,。 [1]奉賢區(qū)進(jìn)口IGBT模塊供應(yīng)商盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合;

確定IGBT 的門極電荷對(duì)于設(shè)計(jì)一個(gè)驅(qū)動(dòng)器來說,，**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時(shí)的IGBT 門極總電荷)，如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中能夠找到這個(gè)參數(shù),，那么我們就可以運(yùn)用公式計(jì)算出：門極驅(qū)動(dòng)能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]門極驅(qū)動(dòng)功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅(qū)動(dòng)器總功率 P = PG + PS（驅(qū)動(dòng)器的功耗）平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開關(guān)頻率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)峰值電流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min其中的 RG min = RG extern + RG intern

fsw max. : 比較高開關(guān)頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時(shí)的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實(shí)際上在很多情況下,，數(shù)據(jù)手冊(cè)中這個(gè)門極電荷參數(shù)沒有給出，門極電壓在上升過程中的充電過程也沒有描述,。這時(shí)候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測(cè)試方法測(cè)量出開通能量E,，然后再計(jì)算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE6. 檢測(cè)IGBT模塊的的辦法,。

當(dāng)晶閘管全部導(dǎo)通時(shí),，靜態(tài)閂鎖出現(xiàn)。只在關(guān)斷時(shí)才會(huì)出現(xiàn)動(dòng)態(tài)閂鎖,。這一特殊現(xiàn)象嚴(yán)重地限制了安全操作區(qū),。為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現(xiàn)象，有必要采取以下措施：一是防止NPN部分接通,，分別改變布局和摻雜級(jí)別,。二是降低NPN和PNP晶體管的總電流增益。此外,，閂鎖電流對(duì)PNP和NPN器件的電流增益有一定的影響,，因此,，它與結(jié)溫的關(guān)系也非常密切；在結(jié)溫和增益提高的情況下,，P基區(qū)的電阻率會(huì)升高,，破壞了整體特性。因此,，器件制造商必須注意將集電極最大電流值與閂鎖電流之間保持一定的比例,，通常比例為1：5。 [2]IGBT的驅(qū)動(dòng)原理與電力MOSFET基本相同,，通斷由柵射極電壓uGE決定,。徐匯區(qū)如何IGBT模塊銷售價(jià)格

電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使電阻RN減小，使通態(tài)壓降小,。松江區(qū)質(zhì)量IGBT模塊報(bào)價(jià)

· 驅(qū)動(dòng)器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅(qū)動(dòng)功率PG,。驅(qū)動(dòng)器的比較大平均輸出電流必須大于計(jì)算值?！?驅(qū)動(dòng)器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計(jì)算得到的比較大峰值電流,。· 驅(qū)動(dòng)器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對(duì)IGBT 的門極充放電,。在POWER-SEM 驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)表中,，給出了每脈沖的比較大輸出電荷，該值在選擇驅(qū)動(dòng)器時(shí)必須要考慮,。另外在IGBT驅(qū)動(dòng)器選擇中還應(yīng)該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力,。松江區(qū)質(zhì)量IGBT模塊報(bào)價(jià)

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