IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系,。IGBT 處于導通態(tài)時,，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低,。盡管等效電路為達林頓結構,，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。由于N+ 區(qū)存在電導調制效應,，所以IGBT 的通態(tài)壓降小,，耐壓1000V的IGBT 通態(tài)壓降為2 ～ 3V 。IGBT 處于斷態(tài)時,，只有很小的泄漏電流存在,。 [1]動態(tài)特性IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的,，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,，又增加了一段延遲時間,。td(on) 為開通延遲時間， tri 為電流上升時間,。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和,。漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成,。此時，仍然是由N漂移區(qū)中的耗盡層承受外部施加的電壓,。黃浦區(qū)進口IGBT模塊品牌

為了抑制n+pn-寄生晶體管的工作IGBT采用盡量縮小p+n-p晶體管的電流放大系數α作為解決閉鎖的措施,。具體地來說，p+n-p的電流放大系數α設計為0.5以下,。 IGBT的閉鎖電流IL為額定電流（直流）的3倍以上,。IGBT的驅動原理與電力MOSFET基本相同，通斷由柵射極電壓uGE決定,。 [2]導通IGBT硅片的結構與功率MOSFET 的結構十分相似,，主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個N+ 緩沖層（NPT-非穿通-IGBT技術沒有增加這個部分），其中一個MOSFET驅動兩個雙極器件,。長寧區(qū)品牌IGBT模塊報價在用導電材料連接模塊驅動端子時,，在配線未接好之前請先不要接上模塊;

Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）如果IGBT數據手冊中已經給出了正象限的門極電荷曲線，那么只用Cies 近似計算負象限的門極電荷會更接近實際值：門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT當為各個應用選擇IGBT驅動器時,，必須考慮下列細節(jié)：

IGBT功率模塊采用IC驅動,，各種驅動保護電路，高性能IGBT芯片,，新型封裝技術,，從復合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB,、電力模塊IPEM,。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產品水平為1200—1800A/1800—3300V,，IPM除用于變頻調速外,，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB,，用于艦艇上的導彈發(fā)射裝置,。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術組裝PEBB，**降低電路接線電感,，提高系統(tǒng)效率,，現已開發(fā)成功第二代IPEM，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中,。智能化,、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點。保管時,，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物;

測量靜態(tài)測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子,、紅表筆接2端子,顯示電阻應為無窮大; 表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應為無窮大;表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.若符合上述情況表明此IGBT的兩個單元沒有明顯的故障. 動態(tài)測試: 把萬用表的檔位放在乘10K檔,用黑表筆接4端子,紅表筆接5端子,此時黑表筆接3端子紅表筆接1端子, 此時電阻應為300-400歐,把表筆對調也有大約300-400歐的電阻表明此IGBT單元是完好的. 用同樣的方法測試1,、2端子間的IGBT,若符合上述的情況表明該IGBT也是完好的,。 由于此氧化膜很薄,，其擊穿電壓一般達到20～30V。黃浦區(qū)進口IGBT模塊品牌

開關損耗增大,，使原件發(fā)熱加劇,，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流,。黃浦區(qū)進口IGBT模塊品牌

常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機,、變頻器、開關電源,、照明電路,、牽引傳動等領域。 圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構,， N+ 區(qū)稱為源區(qū),，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū),，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。在漏,、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）,。而在漏區(qū)另一側的P+ 區(qū)稱為漏注入區(qū)（ Drain injector ）,，它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用,，向漏極注入空穴，進行導電調制,，以降低器件的通態(tài)電壓,。附于漏注入區(qū)上的電極稱為漏極。 IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP 晶體管提供基極電流,，使IGBT 導通。黃浦區(qū)進口IGBT模塊品牌

茵菲菱新能源(上海)有限公司在同行業(yè)領域中,，一直處在一個不斷銳意進取,，不斷制造創(chuàng)新的市場高度，多年以來致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價值理念的產品標準,，在上海市等地區(qū)的電工電氣中始終保持良好的商業(yè)口碑,，成績讓我們喜悅，但不會讓我們止步，殘酷的市場磨煉了我們堅強不屈的意志,，和諧溫馨的工作環(huán)境，富有營養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新,，勇于進取的無限潛力,，茵菲菱供應攜手大家一起走向共同輝煌的未來，回首過去,，我們不會因為取得了一點點成績而沾沾自喜,，相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍，我們更要明確自己的不足,，做好迎接新挑戰(zhàn)的準備,，要不畏困難，激流勇進,，以一個更嶄新的精神面貌迎接大家,，共同走向輝煌回來！