IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線,。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高,， Id 越大,。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 ,、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ,，正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān),，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N+ 緩沖區(qū),，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平,，加入N+緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達到幾十伏水平,，因此限制了IGBT 的某些應(yīng)用范圍,。IGBT 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性相同,，當(dāng)柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時,，IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT 導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi),， Id 與Ugs呈線性關(guān)系,。比較高柵源電壓受比較大漏極電流限制，其比較好值一般取為15V左右,。特別是用作高頻開關(guān)時,，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇,，選用時應(yīng)該降等使用,。虹口區(qū)選擇IGBT模塊廠家現(xiàn)貨

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離,，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機,、變頻器,、變頻家電等領(lǐng)域,。IGBT功率模塊是電壓型控制,，輸入阻抗大,，驅(qū)動功率小，控制電路簡單,，開關(guān)損耗小,，通斷速度快，工作頻率高,，元件容量大等優(yōu)點,。實質(zhì)是個復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點于一體化,。又因先進的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低,，開關(guān)頻率高（可達20khz），這兩點非常顯著的特性,，**近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳,，相繼東芝、富士,、ir,摩托羅拉亦已在開發(fā)研制新品種,。奉賢區(qū)品牌IGBT模塊設(shè)計80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體)工藝被采用到IGBT中來,。

Q 為柵極電荷,，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊。例如,，常見IGBT驅(qū)動器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,，負電壓-9V，則U=24V,，假設(shè) F=10KHz,，Q=2.8uC可計算出 P=0.67w ，柵極電阻應(yīng)選取2W電阻,，或2個1W電阻并聯(lián),。三、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項1,、盡量減小柵極回路的電感阻抗,，具體的措施有：a)驅(qū)動器靠近IGBT減小引線長度；b) 驅(qū)動的柵射極引線絞合,，并且不要用過粗的線,；c) 線路板上的 2 根驅(qū)動線的距離盡量靠近；d) 柵極電阻使用無感電阻,；e) 如果是有感電阻,，可以用幾個并聯(lián)以減小電感。2,、IGBT 開通和關(guān)斷選取不同的柵極電阻

IGBT是強電流,、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化,。MOSFET由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率,，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然***一代功率MOSFET器件大幅度改進了RDS(on)特性,，但是在高電平時,，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 高出很多。IGBT較低的壓降,，轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力,，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，與同一個標(biāo)準(zhǔn)雙極器件相比,，可支持更高電流密度,，并簡化 IGBT驅(qū)動器的原理圖。 [1]常溫的規(guī)定為5～35℃ ,，常濕的規(guī)定在45～75%左右,。

IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流,，使IGBT 導(dǎo)通,。反之，加反向門極電壓消除溝道,，流過反向基極電流,，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后,，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子）,，對N 一層進行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻,，使IGBT 在高電壓時,，也具有低的通態(tài)電壓。 [1] [4]IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性,、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性,。其相互關(guān)系見下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時,，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大,。靜安區(qū)質(zhì)量IGBT模塊設(shè)計

為了減少接觸熱阻，在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。虹口區(qū)選擇IGBT模塊廠家現(xiàn)貨

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用,，在實際使用中除IGBT自身外,，IGBT 驅(qū)動器的作用對整個換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要。驅(qū)動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統(tǒng)的可靠性,。驅(qū)動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導(dǎo)致 IGBT 和驅(qū)動器損壞,。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動器輸出性能的計算方法以供選型時參考,。圖2IGBT 的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻,。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容,、CCE 是集電極-發(fā)射極電容,、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。虹口區(qū)選擇IGBT模塊廠家現(xiàn)貨

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