對于大功率IGBT,，選擇驅動電路基于以下的參數(shù)要求：器件關斷偏置、門極電荷,、耐固性和電源情況等,。門極電路的正偏壓VGE負偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態(tài)壓降,、開關時間,、開關損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響,。門極驅動條件與器件特性的關系見表1,。柵極正電壓 的變化對IGBT的開通特性、負載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響,，而門極負偏壓則對關斷特性的影響比較大,。在門極電路的設計中，還要注意開通特性,、負載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問題(見表1),。當柵極和發(fā)射極短接并在集電極端子施加一個正電壓時，P/NJ3結受反向電壓控制,。松江區(qū)銷售IGBT模塊廠家現(xiàn)貨

IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系,。IGBT 處于導通態(tài)時，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管,，所以其B 值極低,。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分,。由于N+ 區(qū)存在電導調制效應,，所以IGBT 的通態(tài)壓降小，耐壓1000V的IGBT 通態(tài)壓降為2 ～ 3V ,。IGBT 處于斷態(tài)時,，只有很小的泄漏電流存在。 [1]動態(tài)特性IGBT 在開通過程中,，大部分時間是作為MOSFET 來運行的,，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,，又增加了一段延遲時間,。td(on) 為開通延遲時間， tri 為電流上升時間,。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和,。漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。徐匯區(qū)哪里IGBT模塊供應商此時,，仍然是由N漂移區(qū)中的耗盡層承受外部施加的電壓,。

2010年,，中國科學院微電子研究所成功研制國內***可產(chǎn)業(yè)化IGBT芯片，由中國科學院微電子研究所設計研發(fā)的15-43A /1200V IGBT系列產(chǎn)品（采用Planar NPT器件結構）在華潤微電子工藝平臺上流片成功,，各項參數(shù)均達到設計要求,，部分性能優(yōu)于國外同類產(chǎn)品。這是我國國內***自主研制可產(chǎn)業(yè)化的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）產(chǎn)品,，標志著我國全國產(chǎn)化IGBT芯片產(chǎn)業(yè)化進程取得了重大突破,，擁有了***條專業(yè)的完整通過客戶產(chǎn)品設計驗證的IGBT工藝線。該科研成果主要面向家用電器應用領域,，聯(lián)合江蘇矽萊克電子科技有限公司進行市場推廣,，目前正由國內***的家電企業(yè)用戶試用，微電子所和華潤微電子將聯(lián)合進一步推動國產(chǎn)自主IGBT產(chǎn)品的大批量生產(chǎn),。 [2

通常為達到更好的驅動效果，IGBT開通和關斷可以采取不同的驅動速度,，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的,。IGBT驅動器有些是開通和關斷分別輸出控制，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了,。有些驅動器只有一個輸出端,，這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡，用以調節(jié)2個方向的驅動速度,。3,、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻，防止在未接驅動引線的情況下,，偶然加主電高壓,，通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge,。GTR飽和壓降低,，載流密度大，但驅動電流較大,；

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點,。GTR飽和壓降低，載流密度大,，但驅動電流較大,；MOSFET驅動功率很小，開關速度快,，但導通壓降大,，載流密度小,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低,。IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機,、變頻器、開關電源,、照明電路,、牽引傳動等領域。這次從穿通(PT)型技術先進到非穿通(NPT)型技術,，是基本的,，也是很重大的概念變化。嘉定區(qū)質量IGBT模塊聯(lián)系人

因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一,。松江區(qū)銷售IGBT模塊廠家現(xiàn)貨

IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,，Ugs 越高,， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 ,、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分,。在截止狀態(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔,，反向電壓由J1結承擔,。如果無N+ 緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平,，加入N+緩沖區(qū)后,，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了IGBT 的某些應用范圍,。IGBT 的轉移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關系曲線,。它與MOSFET 的轉移特性相同，當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時,，IGBT 處于關斷狀態(tài),。在IGBT 導通后的大部分漏極電流范圍內， Id 與Ugs呈線性關系,。比較高柵源電壓受比較大漏極電流限制,，其比較好值一般取為15V左右。松江區(qū)銷售IGBT模塊廠家現(xiàn)貨

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