設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2,；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik,；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2）） （1—1）硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化,。當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓,，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中,，Ig=0,(a1+a2)很小,，故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0 晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍,；普陀區(qū)銷售晶閘管聯(lián)系人

當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié),，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行,。當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí),，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時(shí)，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài),。式（1—1）中，在晶閘管導(dǎo)通后,，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通,。晶閘管在導(dǎo)通后，門極已失去作用。崇明區(qū)選擇晶閘管品牌控制極觸發(fā)電流（IGT）,，俗稱觸發(fā)電流,。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種,。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。常用可控硅的封裝形式有TO-92,、TO-126、TO-202AB,、TO-220,、TO-220AB、TO-3P,、SOT-89,、TO-251、TO-252等,。盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合,，但實(shí)際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝,，有的還帶散熱板,。典型產(chǎn)品有BCMlAM(1A/600V)、BCM3AM(3A/600V),、2N6075(4A/600V),，MAC218-10(8A/800V)等。大功率雙向可控硅大多采用RD91型封裝,。

另外,，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí)，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,，防止電壓過高控制極反向擊穿,。若測(cè)得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路,，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞,?？煽毓枋强煽毓枵髟暮?jiǎn)稱,，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上,，可控硅的功用不僅是整流,，它還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,，等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,，其有體積小、效率高,、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè),、交通運(yùn)輸,、***科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單,，沒有反向耐壓?jiǎn)栴}，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用,。

實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,，對(duì)可控硅來說，觸發(fā)信號(hào)加入控制極,，可控硅立即導(dǎo)通,。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí),，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,，如果Ea極性反接,，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時(shí),，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作,。反過來,，Ea接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的,，可控硅也不能導(dǎo)通,。另外，如果不加觸發(fā)信號(hào),，而正向陽極電壓大到超過一定值時(shí),，可控硅也會(huì)導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了,。使用時(shí),，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。普陀區(qū)銷售晶閘管聯(lián)系人

大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中,；高頻熔煉爐等,。普陀區(qū)銷售晶閘管聯(lián)系人

至于型號(hào)后綴字母的觸發(fā)電流，各個(gè)廠家的**含義如下：PHILIPS公司：D=5mA,，E=10mA,，C=15mA，F(xiàn)=25mA,，G=50mA,，R=200uA或5mA，型號(hào)沒有后綴字母之觸發(fā)電流,，通常為25-35mA,；PHILIPS公司的觸發(fā)電流**字母沒有統(tǒng)一的定義，以產(chǎn)品的封裝不同而不同,。意法ST公司：TW=5mA,，SW=10mA，CW=35mA,，BW=50mA,，C=25mA，B=50mA,，H=15mA,，T=15mA,，注意：以上觸發(fā)電流均有一個(gè)上下起始誤差范圍，產(chǎn)品PDF文件中均有詳細(xì)說明一般分為最小值/典型值/最大值,，而非“=”一個(gè)參數(shù)值,。普陀區(qū)銷售晶閘管聯(lián)系人

茵菲菱新能源(上海)有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中，一直處在一個(gè)不斷銳意進(jìn)取,，不斷制造創(chuàng)新的市場(chǎng)高度,，多年以來致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價(jià)值理念的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，在上海市等地區(qū)的電工電氣中始終保持良好的商業(yè)口碑,，成績(jī)讓我們喜悅,，但不會(huì)讓我們止步，殘酷的市場(chǎng)磨煉了我們堅(jiān)強(qiáng)不屈的意志,，和諧溫馨的工作環(huán)境,，富有營(yíng)養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新，勇于進(jìn)取的無限潛力,，茵菲菱供應(yīng)攜手大家一起走向共同輝煌的未來,，回首過去，我們不會(huì)因?yàn)槿〉昧艘稽c(diǎn)點(diǎn)成績(jī)而沾沾自喜,，相反的是面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)越來越激烈的市場(chǎng)氛圍,，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備,，要不畏困難,，激流勇進(jìn)，以一個(gè)更嶄新的精神面貌迎接大家,，共同走向輝煌回來,！