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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-06-22

可控硅這種通過(guò)觸發(fā)信號(hào)(小的觸發(fā)電流)來(lái)控制導(dǎo)通(可控硅中通過(guò)大電流)的可控特性,,正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征,。普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R×100擋位來(lái)測(cè),。大家知道,晶閘管G,、K之間是一個(gè)PN結(jié)(a),相當(dāng)于一個(gè)二極管,,G為正極,、K為負(fù)極,所以,,按照測(cè)試二極管的方法,,找出三個(gè)極中的兩個(gè)極,測(cè)它的正,、反向電阻,,電阻小時(shí),萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G,,可以用剛才演示用的示教板電路,。接通電源開(kāi)關(guān)S,按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB,,燈泡發(fā)光就是好的,,不發(fā)光就是壞的。按封裝形式分類(lèi):可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型,。浦東新區(qū)選擇晶閘管品牌

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雙向可控硅屬于NPNPN五層器件,,三個(gè)電極分別是T1、T2,、G,。因該器件可以雙向?qū)ǎ食T(mén)極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子,,用T1,、T2表示,不再劃分成陽(yáng)極或陰極,。其特點(diǎn)是,,當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1,的電壓均為正時(shí),,T2是陽(yáng)極,,T1是陰極。反之,,當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1的電壓均為負(fù)時(shí),,T1變成陽(yáng)極,T2為陰極,。雙向可控硅由于正,、反向特性曲線具有對(duì)稱性,所以它可在任何一個(gè)方向?qū)?。雙向可控硅***陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間,,無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向,只要控制極G和***陽(yáng)極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓,,就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài),。此時(shí)A1、A2間壓降也約1V,。雙向可控硅一旦導(dǎo)通,,即使失去觸發(fā)電壓,也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài),。只有當(dāng)***陽(yáng)極A1,、第二陽(yáng)極A2電流減小,小于維持電流或A1,、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒(méi)有觸發(fā)電壓時(shí),,雙向可控硅才截?cái)啵藭r(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通,。嘉定區(qū)進(jìn)口晶閘管設(shè)計(jì)大,;塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等,。

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常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路,、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路,、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,,等等,。可控硅的主要參數(shù)有:1,、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,,陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。2,、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào),,陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,??煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值3,、 反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓,,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時(shí),,不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。4,、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度,。

雙向可控硅可被認(rèn)為是一對(duì)反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成,工作原理與普通單向可控硅相同,。雙向可控硅有兩個(gè)主電極T1和T2,, 一個(gè)門(mén)極G, 門(mén)極使器件在主電極的正反兩個(gè)方向均可觸發(fā)導(dǎo)通,,所以雙向可控硅在第1和第3象限有對(duì)稱的伏安特性。雙向可控硅門(mén)極加正,、負(fù)觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導(dǎo)通,,因此有四種觸發(fā)方式。雙向可控硅應(yīng)用為正常使用雙向可控硅,,需定量掌握其主要參數(shù),,對(duì)雙向可控硅進(jìn)行適當(dāng)選用并采取相應(yīng)措施以達(dá)到各參數(shù)的要求。 [1]·耐壓級(jí)別的選擇: 通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和 VR R M(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓,。 選用時(shí),,額定電壓應(yīng)為正常工作峰值電壓的2~3倍,作為允許的操作過(guò)電壓裕量,。 [1]通常,,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。

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再由這三組英文名詞的較早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅,。以“BCR”來(lái)命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱,如:BCR1AM-12,、BCR8KM,、BCR08AM等等。雙 向:Bi-directional(取***個(gè)字母)三 端:Triode(取***個(gè)字母)由以上兩組單詞組合成“BT”,,也是對(duì)雙向可控硅產(chǎn)品的型號(hào)命名,,典型的生產(chǎn)商如:意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司,,均以此來(lái)命名雙向可控硅,。**型號(hào)如:PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E,、BT136-600E,、BT138-600E、BT139-600E,、等等,。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅;控制極觸發(fā)電流(IGT),,俗稱觸發(fā)電流,。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。嘉定區(qū)進(jìn)口晶閘管設(shè)計(jì)

如果把二極管換成晶閘管,,就可以構(gòu)成可控整流電路,。浦東新區(qū)選擇晶閘管品牌

在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件(俗稱"死硅")更為可貴的可控性,。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)??煽毓枘芤院涟布?jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,,如果超過(guò)此功率,因元件開(kāi)關(guān)損耗***增加,,允許通過(guò)的平均電流相降低,,此時(shí),標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用,??煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍,;反應(yīng)極快,,在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷,;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,,無(wú)火花、無(wú)噪音,;效率高,,成本低等等??煽毓璧娜觞c(diǎn):靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差,;容易受干擾而誤導(dǎo)通。浦東新區(qū)選擇晶閘管品牌

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