5,、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,，控制極斷路,，維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽(yáng)極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世,，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通,，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等?？煽毓栌卸喾N分類方法,。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅,、門極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。普通晶閘管基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。閔行區(qū)選擇晶閘管聯(lián)系人

將兩只單向可控硅SCRl,、SCR2反向并聯(lián)．再將控制板與本觸發(fā)電路連接,，就組成了一個(gè)簡(jiǎn)單實(shí)用的大功率無(wú)級(jí)調(diào)速電路。這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源,，只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源,，兩個(gè)控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動(dòng)直流電壓產(chǎn)生，調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導(dǎo)通角,，增大R2的阻值到一定程度,便可使兩個(gè)主可控硅阻斷,，因此R2還可起開(kāi)關(guān)的作用。該電路的另一個(gè)特點(diǎn)是兩只主可控硅交替導(dǎo)通,，一個(gè)的正向壓降就是另一個(gè)的反向壓降,，因此不存在反向擊穿問(wèn)題。但當(dāng)外加電壓瞬時(shí)超過(guò)阻斷電壓時(shí),，SCR1,、SCR2會(huì)誤導(dǎo)通，導(dǎo)通程度由電位器R2決定,。SCR3與周圍元件構(gòu)成普通移相觸發(fā)電路,，其原理這里從略,。長(zhǎng)寧區(qū)銷售晶閘管供應(yīng)商不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),。

Philips公司的產(chǎn)品型號(hào)前綴為“BTA”字頭的,，通常是指三象限的雙向可控硅。而意法ST公司,，則以“BT”字母為前綴來(lái)命名元件的型號(hào)并且在“BT”后加“A”或“B”來(lái)表示絕緣與非絕緣組合成：“BTA”,、“BTB”系列的雙向可控硅型號(hào)，如：三象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C,、BTA12-600B,、BTA16-600B、BTA41-600B等等,；四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C,、BTB12-600B、BTB16-600B,、BTB41-600B等等,；ST公司所有產(chǎn)品型號(hào)的后綴字母(型號(hào)***一個(gè)字母)帶“W”的，均為“三象限雙向可控硅”,。如“BW”,、“CW”、“SW”,、“TW”,；**型號(hào)如:BTB12-600BW、BTA26-700CW,、BTA08-600SW等,。

晶閘管特性單向晶聞管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)為了能夠直觀地認(rèn)識(shí)晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板（圖3）,。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來(lái),，通過(guò)開(kāi)關(guān)S接在直流電源上。注意陽(yáng)極A是接電源的正極,，陰極K接電源的負(fù)極,，控制極G通過(guò)按鈕開(kāi)關(guān)SB接在1.5V直流電源的正極（這里使用的是KP1型晶閘管，若采用KP5型,，應(yīng)接在3V直流電源的正極）,。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接，也就是說(shuō),，給晶閘管陽(yáng)極和控制極所加的都是正向電壓,。合上電源開(kāi)關(guān)S，小燈泡不亮,，說(shuō)明晶閘管沒(méi)有導(dǎo)通,；再按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB,，給控制極輸入一個(gè)觸發(fā)電壓，小燈泡亮了,，說(shuō)明晶閘管導(dǎo)通了。這個(gè)演示實(shí)驗(yàn)給了我們什么啟發(fā)呢按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。

可控硅元件的結(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),。見(jiàn)圖1,。它有三個(gè)PN結(jié)（J1、J2,、J3）,，從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽(yáng)極A，從N2層引出陰級(jí)K,，從P2層引出控制極G,，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件。結(jié)構(gòu)原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,，共有三個(gè)PN結(jié),，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,，其等效圖解如右圖所示,。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管,。過(guò)零觸發(fā)-一般是調(diào)功,，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā),，導(dǎo)通可控硅,。虹口區(qū)選擇晶閘管設(shè)計(jì)

使用時(shí)，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。閔行區(qū)選擇晶閘管聯(lián)系人

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126,、TO-202AB,、TO-220,、TO-220AB、TO-3P,、SOT-89,、TO-251、TO-252等,。盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合,，但實(shí)際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝,，有的還帶散熱板,。典型產(chǎn)品有BCMlAM(1A/600V)、BCM3AM(3A/600V),、2N6075(4A/600V),，MAC218-10(8A/800V)等。大功率雙向可控硅大多采用RD91型封裝,。閔行區(qū)選擇晶閘管聯(lián)系人

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