（四）按電流容量分類(lèi)：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。（五）按關(guān)斷速度分類(lèi)：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126,、TO-202AB,、TO-220、TO-220AB,、TO-3P,、SOT-89、TO-251,、TO-252等,。盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合,，但實(shí)際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝,，有的還帶散熱板,。典型產(chǎn)品有BCMlAM(1A/600V)、BCM3AM(3A/600V),、2N6075(4A/600V),，MAC218-10(8A/800V)等。大功率雙向可控硅大多采用RD91型封裝,。金屬封裝可控硅又分為螺栓形,、平板形、圓殼形等多種,；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。浦東新區(qū)選擇晶閘管設(shè)計(jì)

安裝過(guò)程中，螺絲刀決不能對(duì)器件塑料體施加任何力量,；和接頭片接觸的散熱器表面應(yīng)處理,，保證平坦，10mm上允許偏差0.02mm,；安裝力矩（帶墊圈）應(yīng)在0.55nm 和0.8nm 之間,；應(yīng)避免使用自攻絲螺釘，因?yàn)閿D壓可能導(dǎo)致安裝孔周?chē)穆∑?，影響器件和散熱器之間的熱接觸,。安裝力矩?zé)o法控制，也是這種安裝方法的缺點(diǎn),；器件應(yīng)首先機(jī)械固定,，然后焊接引線。這可減少引線的不適當(dāng)應(yīng)力,。一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類(lèi)似于真空閘流管,，所以國(guó)際上通稱(chēng)為硅晶體閘流管,，簡(jiǎn)稱(chēng)可控硅T。又由于可控硅**初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱(chēng)為硅可控整流元件,，簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅SCR,。奉賢區(qū)品牌晶閘管廠家現(xiàn)貨Ug到來(lái)得早，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早,；

畫(huà)出它的波形（c）及（d）,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出,。Ug到來(lái)得早,，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早,；Ug到來(lái)得晚，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚,。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL,。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱(chēng)為電角度,。這樣,，在U2的每個(gè)正半周，從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱(chēng)為控制角α,；在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯，α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。

在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件（俗稱(chēng)“死硅”）更為可貴的可控性,。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài),。可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,，如果超過(guò)此頻率,，因元件開(kāi)關(guān)損耗***增加，允許通過(guò)的平均電流相降低,，此時(shí),，標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍,；反應(yīng)極快,，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷,；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,，無(wú)火花、無(wú)噪音,；效率高,，成本低等等,。可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差,；容易受干擾而誤導(dǎo)通,。大；塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路,。像可調(diào)壓輸出直流電源等等,。

·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來(lái)表示它的額定電流值,。由于可控硅的過(guò)載能力比一般電磁器件小,，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍。 同時(shí),， 可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VD R M 和反向重復(fù)峰值電壓 V R R M 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM 和 IRRM,。 [1]·通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗,，應(yīng)盡可能選擇VT M 小的可控硅,。 [1]按封裝形式分類(lèi)：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型,。徐匯區(qū)選擇晶閘管聯(lián)系人

按引腳和極性分類(lèi)：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅。浦東新區(qū)選擇晶閘管設(shè)計(jì)

雙向可控硅的相位控制與單向可控硅很類(lèi)似,但因雙向可控硅能雙向?qū)?在正負(fù)半周均能觸發(fā),可作為全波功率控制之用.因此雙向可控硅除具有單向可控硅的優(yōu)點(diǎn),更方便交流功率控制,。右圖(a)為雙向可控硅相位控制電路à電子技術(shù)中,常把交流電的半個(gè)周期定為180°,，稱(chēng)為電角度。這樣,在交流電的正,、負(fù)半周,從規(guī)定時(shí)刻(通常為零值),，開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱(chēng)為控制角αz晶閘管導(dǎo)通期間所對(duì)應(yīng)的電角度叫導(dǎo)通角0。在右圖(a)中,適當(dāng)調(diào)整觸發(fā)電路的RC時(shí)間常數(shù)即可改變它的控制角,。右圖(b)(c)分別是控制角為30°和導(dǎo)通:角150°時(shí)的UAi-z及負(fù)載的電壓波形,。一般雙向可控硅所能控制的負(fù)載遠(yuǎn)比單向可控硅小,大體上而言約在600 V,40 A以下。 [2]浦東新區(qū)選擇晶閘管設(shè)計(jì)

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