德國Polos-BESM系列光刻機采用無掩模激光直寫技術，突破傳統(tǒng)光刻對物理掩膜的依賴,，支持用戶通過軟件直接輸入任意圖案進行快速曝光,。其亞微米分辨率（most小線寬0.8 μm）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圓上實現(xiàn)高精度微納結構加工18,。系統(tǒng)體積緊湊，only占桌面空間，搭配閉環(huán)自動對焦（1秒完成）和半自動多層對準功能,，大幅提升實驗室原型開發(fā)效率，適用于微流體芯片設計,、電子元件制造等領域,。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩,。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用,。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術帶到了桌面上,，進一步提升了其優(yōu)勢,。Polos-μPrinter 入選《半導體技術》年度創(chuàng)新產品,，推動無掩模光刻技術普及。PSP光刻機分辨率1.5微米

針對植入式醫(yī)療設備的長期安全性問題,，某生物電子實驗室利用 Polos 光刻機在聚乳酸（）基底上制備可降解電極,。其無掩模技術避免了傳統(tǒng)掩模污染，使電極的金屬殘留量低于 0.01μg/mm2,，生物相容性測試顯示細胞存活率達 99%,。通過自定義螺旋狀天線圖案，開發(fā)出的可降解心率監(jiān)測器,，在體內降解周期可控制在 3-12 個月,，信號傳輸穩(wěn)定性較同類產品提升 50%，相關技術已進入臨床前生物相容性評價階段,。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng),。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小,，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體,、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域,。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會,。廣東POLOSBEAM光刻機MAX層厚可達到10微米環(huán)保低能耗設計：固態(tài)光源能耗較傳統(tǒng)設備降低30%,，符合綠色實驗室標準。

無掩模激光光刻：科研效率的revolution性提升,！Polos-BESM系列采用無掩模激光直寫技術,，用戶可通過軟件直接輸入任意圖案，省去傳統(tǒng)光刻中掩膜制備的高昂成本與時間,。其405 nm紫外光源和亞微米分辨率（most小線寬0.8 μm）支持5英寸晶圓的高精度加工,，特別適合實驗室快速原型開發(fā)。閉環(huán)自動對焦系統(tǒng)（1秒完成）和半自動多層對準功能,，remarkable提升微流體芯片和MEMS器件的研發(fā)效率62,。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案,。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小,，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體,、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域,。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會,。

Polos-BESM支持GDS文件直接導入和多層曝光疊加,，簡化射頻器件（如IDC電容器）制造流程。研究團隊利用類似設備成功制備高頻電路元件,，驗證了其在5G通信和物聯(lián)網硬件中的潛力,。其高重復性（0.1 μm）確保科研成果的可轉化性,，助力國產芯片產業(yè)鏈突破技術封鎖56,。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案,。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小,，非常適合研究實驗室,，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域,。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。雙光子聚合擴展：結合Nanoscribe技術實現(xiàn)3D微納打印,，拓展微型機器人制造,。

超表面通過納米結構調控光場，傳統(tǒng)電子束光刻成本高昂且效率低下,。Polos 光刻機的激光直寫技術在石英基底上實現(xiàn)了亞波長量級的圖案曝光,，將超表面器件制備成本降低至傳統(tǒng)方法的 1/5。某光子學實驗室利用該設備,，研制出寬帶消色差超表面透鏡,，在 400-1000nm 波長范圍內成像誤差小于 5μm。其靈活的圖案編輯功能還支持實時優(yōu)化結構參數(shù),，使器件研發(fā)周期從數(shù)周縮短至 24 小時,，推動超表面技術從理論走向集成光學應用。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案,。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室,，并broad應用于微流體,、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會,。德國 SPS Polos：深耕微納加工 35 年，專注半導體與生命科學領域,，全球布局 6 大技術中心,，服務 500 + 科研機構。廣東POLOSBEAM光刻機MAX層厚可達到10微米

光束引擎高速掃描：SPS POLOS μ單次寫入400 μm區(qū)域,，壓電驅動提升掃描速度,。PSP光刻機分辨率1.5微米

在科研領域，設備的先進程度往往決定了研究的深度與廣度,。德國的 Polos - BESM,、Polos - BESM XL、SPS 光刻機 POLOS μ 帶來了革新之光,。它們運用無掩模激光光刻技術,，摒棄了傳統(tǒng)光刻中昂貴且制作周期長的掩模，極大降低了成本,。這些光刻機可輕松輸入任意圖案進行曝光,，在微流體、電子學和納 / 微機械系統(tǒng)等領域大顯身手,。例如在微流體研究中,，能precise制造復雜的微通道網絡，助力藥物傳輸,、細胞培養(yǎng)等研究,。在電子學方面，可實現(xiàn)高精度的電路圖案曝光,，為芯片研發(fā)提供有力支持,。其占用空間小，對于空間有限的研究實驗室來說堪稱完美,。憑借出色特性,，它們已助力眾多科研團隊取得成果，成為科研創(chuàng)新的得力助手 。PSP光刻機分辨率1.5微米