場效應(yīng)晶體管：截止區(qū)：當(dāng) UGS 小于開啟電壓 UGSTH時,，MOS 不導(dǎo)通,。可變電阻區(qū)：UDS 很小,，I_DID 隨UDS 增大而增大,。恒流區(qū)：UDS 變化,，I_DID 變化很小,。擊穿區(qū)：UDS 達(dá)到一定值時,，MOS 被擊穿，I_DID 突然增大,，如果沒有限流電阻,，將被燒壞。過損耗區(qū)：功率較大,，需要加強(qiáng)散熱,，注意較大功率。場效應(yīng)管主要參數(shù),。場效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù),，但普通運(yùn)用時主要關(guān)注以下一些重點(diǎn)參數(shù)：飽和漏源電流IDSS,，夾斷電壓Up，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管,，或開啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）,、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS,、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM,。場效應(yīng)管的類型包括N溝道和P溝道兩種，可以根據(jù)具體需求選擇,。嘉興場效應(yīng)管市場價格

與雙極型晶體管相比,，場效應(yīng)管具有如下特點(diǎn)。（1）場效應(yīng)管是電壓控制器件,，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）,；（2）場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大,。（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù),；（5）場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng),；（6）由于它不存在雜亂運(yùn)動的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低,。深圳半導(dǎo)體場效應(yīng)管參數(shù)熟練掌握場效應(yīng)管的使用方法和注意事項(xiàng),，對于電子工程師來說是提升電路設(shè)計(jì)能力和解決實(shí)際問題的重要技能。

MOS管的工作原理,，在開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路,，如圖2漏極原封不動地接負(fù)載，叫開路漏極,，開路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓,，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流。是理想的模擬開關(guān)器件,。這就是MOS管做開關(guān)器件的原理,。當(dāng)然MOS管做開關(guān)使用的電路形式比較多了。NMOS管的開路漏極電路,，在開關(guān)電源應(yīng)用方面,，這種應(yīng)用需要MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷。比如,，DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個MOS管來執(zhí)行開關(guān)功能,，這些開關(guān)交替在電感里存儲能量，然后把能量釋放給負(fù)載,。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率,，因?yàn)轭l率越高,，磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間,，MOS管只相當(dāng)于一個導(dǎo)體,。因此，我們電路或者電源設(shè)計(jì)人員較關(guān)心的是MOS的較小傳導(dǎo)損耗,。

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS,，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向,。注②：柵源較大電壓VGSS,，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層,，只要電壓一定值超過絕緣層耐壓均會擊穿,，故有兩個方向“±”。注③：漏級較大電流ID與體二極管流過的反向漏級較大電流IDR（或稱為IS）一般規(guī)格書中數(shù)值一致,，均為流過N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體襯底形成的PN結(jié)的較大電流,。注④：ID（pulse）需要看施加電流的脈沖寬度，脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書數(shù)據(jù),。注⑤：雪崩電流IAP同樣需要關(guān)注脈沖寬度,。IGBT結(jié)合了場效應(yīng)管和雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)，適用于高電壓和高頻率的場合,。

場效應(yīng)管主要參數(shù)：一,、飽和漏源電流。飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流,。二、夾斷電壓,，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，使漏源間剛截止時的柵極電壓。三,、開啟電壓,。開啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓,。四,、跨導(dǎo)?？鐚?dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能,，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權(quán)衡場效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。場效應(yīng)管在功率電子領(lǐng)域有普遍應(yīng)用,，如電機(jī)驅(qū)動,、電源管理等,。深圳半導(dǎo)體場效應(yīng)管參數(shù)

場效應(yīng)管利用輸入電場控制輸出電流,，因此具有高輸入電阻和低輸出阻礙的特點(diǎn)。嘉興場效應(yīng)管市場價格

MOSFET的特性和作用：MOS管導(dǎo)作用,，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,，由于SiO2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在,，電壓VGS產(chǎn)生電場從而導(dǎo)致源source和drain是可以對調(diào)的,，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,，這個兩個區(qū)是一樣的,，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的,。目前在市場應(yīng)用方面,，排名頭一的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計(jì)算機(jī)主板,、NB,、計(jì)算機(jī)類適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品,，隨著國情的發(fā)展計(jì)算機(jī)主板,、計(jì)算機(jī)類適配器、LCD顯示器對MOS管的需求有要超過消費(fèi)類電子電源適配器的現(xiàn)象了,。第三的就屬網(wǎng)絡(luò)通信,、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了,，這些產(chǎn)品對于MOS管的需求也是很大的,，特別是現(xiàn)在汽車電子對于MOS管的需求直追消費(fèi)類電子了。嘉興場效應(yīng)管市場價格