什么是MOSFET，mos管是金屬(metal),、氧化物(oxide),、半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator),、半導(dǎo)體,。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型back gate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下,，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會(huì)影響器件的性能,。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的,。場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化,。FET的增益等于它的跨導(dǎo),， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,，詳情參考右側(cè)圖片（P溝道耗盡型MOS管）,。而P溝道常見的為低壓mos管,。場效應(yīng)管具有較長的使用壽命，可靠性高,，降低了設(shè)備的維護(hù)成本,。廣州小噪音場效應(yīng)管廠商

電壓和電流的選擇。額定電壓越大,，器件的成本就越高,。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓,。這樣才能提供足夠的保護(hù),，使MOSFET不 會(huì)失效。就選擇MOSFET而言,，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓,，即較大VDS。設(shè)計(jì)工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關(guān)電子設(shè)備(如電機(jī) 或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變,。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同,；通常，便攜式設(shè)備為20V,、FPGA電源為20～30V,、85～220VAC應(yīng)用為450～600V。在連續(xù)導(dǎo)通模式下,，MOSFET處于穩(wěn)態(tài),，此時(shí)電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件,。一旦確定了這些條件下的較大電流,，只需直接選擇能承受這個(gè)較大電流的器件便可。結(jié)型場效應(yīng)管規(guī)格場效應(yīng)管的工作溫度范圍需要在規(guī)定的范圍內(nèi),，以確保正常工作,。

MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的,，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的,。寄生電容的存在使得在設(shè)計(jì)或選擇驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候要麻煩一些，但沒有辦法避免,，后邊再詳細(xì)介紹,。在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管,。這個(gè)叫體二極管,，在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載（如馬達(dá)），這個(gè)二極管很重要,?？梢栽贛OS管關(guān)斷時(shí)為感性負(fù)載的電動(dòng)勢提供擊穿通路從而避免MOS管被擊穿損壞,。順便說一句，體二極管只在單個(gè)的MOS管中存在,，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。

場效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）結(jié)型場效應(yīng)管的柵源電壓不能接反,，可以在開路狀態(tài)下保存,，而絕緣柵型場效應(yīng)管在不使用時(shí)，由于它的輸入電阻非常高,，須將各電極短路,，以免外電場作用而使管子損壞。（2）焊接時(shí),，電烙鐵外殼必須裝有外接地線,，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對于少量焊接,，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接,。特別在焊接絕緣柵場效應(yīng)管時(shí)，要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接,，并且要斷電焊接,。（3）用25W電烙鐵焊接時(shí)應(yīng)迅速，若用45～75W電烙鐵焊接,，應(yīng)用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱,。結(jié)型場效應(yīng)管可用表電阻檔定性地檢查管子的質(zhì)量（檢查各PN結(jié)的正反向電阻及漏源之間的電阻值），而絕緣柵場效管不能用萬用表檢查,，必須用測試儀,，而且要在接入測試儀后才能去掉各電極短路線。取下時(shí),，則應(yīng)先短路再取下,，關(guān)鍵在于避免柵極懸空。在進(jìn)行場效應(yīng)管電路調(diào)試時(shí),，應(yīng)逐步調(diào)整柵極電壓,，觀察輸出變化，以確保電路性能達(dá)到預(yù)期,。

絕緣柵場效應(yīng)管：1,、絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）的分類：絕緣柵場效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道型和P溝道型,。無論是什么溝道,，它們又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。2,、它是由金屬,、氧化物和半導(dǎo)體所組成,，所以又稱為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)管，簡稱MOS場效應(yīng)管,。3,、絕緣柵型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管為例)它是利用UGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,，然后達(dá)到控制漏極電流的目的,。在制造管子時(shí)，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷,，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道,，即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID,。當(dāng)柵極電壓改變時(shí)，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變,，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變,，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。場效應(yīng)管在數(shù)字電子電路中的應(yīng)用日益普遍,，可以用于高速通訊,、計(jì)算機(jī)處理和控制系統(tǒng)中。佛山VMOS場效應(yīng)管廠商

場效應(yīng)管的使用方法包括選擇合適的工作點(diǎn)和電源電壓,，以及連接正確的外部電路,。廣州小噪音場效應(yīng)管廠商

場效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）在安裝場效應(yīng)管時(shí)，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件,；為了防管件振動(dòng),，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時(shí),，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行,，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。（2）使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后,。以VNF306為例,，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，較大功率才能達(dá)到30W,。（3）多管并聯(lián)后,，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加，使放大器的高頻特性變壞,，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩,。為此，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過4個(gè),，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻,。廣州小噪音場效應(yīng)管廠商