場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：1,、開啟電壓，開啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓,。2,、跨導(dǎo),，跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制才能,，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權(quán)衡場(chǎng)效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù),。3,、漏源擊穿電壓，漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí),，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓,。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS,。4,、較大耗散功率，較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù),，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的較大漏源耗散功率,。運(yùn)用時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量。5,、較大漏源電流,，較大漏源電流IDSM是另一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),，漏源間所允許經(jīng)過(guò)的較大電流,。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM。場(chǎng)效應(yīng)管具有體積小,、重量輕的優(yōu)點(diǎn),，便于在緊湊的電子設(shè)備中使用。珠海絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管尺寸

對(duì)比：場(chǎng)效應(yīng)管與三極管的各自應(yīng)用特點(diǎn)：1.場(chǎng)效應(yīng)管的源極s,、柵極g,、漏極d分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b,、集電極c,，它們的作用相似。2.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流器件,，由vGS控制iD,，其放大系數(shù)gm一般較小，因此場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力較差,；三極管是電流控制電流器件,，由iB（或iE）控制iC。3.場(chǎng)效應(yīng)管柵極幾乎不取電流（ig»0）,；而三極管工作時(shí)基極總要吸取一定的電流,。因此場(chǎng)效應(yīng)管的柵極輸入電阻比三極管的輸入電阻高,。4.場(chǎng)效應(yīng)管是由多子參與導(dǎo)電；三極管有多子和少子兩種載流子參與導(dǎo)電,，而少子濃度受溫度,、輻射等因素影響較大，因而場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好,、抗輻射能力強(qiáng),。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。珠海小噪音場(chǎng)效應(yīng)管廠家精選場(chǎng)效應(yīng)管在無(wú)線電領(lǐng)域具有普遍應(yīng)用,，如射頻放大器,、混頻器、振蕩器等,，提高通信質(zhì)量,。

MOS管發(fā)熱情況有：1.電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),，而不是在開關(guān)狀態(tài),。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開關(guān),，G級(jí)電壓要比電源高幾V,，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反,。沒(méi)有完全打開而壓降過(guò)大造成功率消耗,，等效直流阻抗比較大，壓降增大,，所以U*I也增大,，損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的較忌諱的錯(cuò)誤,。2.頻率太高,，主要是有時(shí)過(guò)分追求體積，導(dǎo)致頻率提高,，MOS管上的損耗增大了,，所以發(fā)熱也加大了。3.沒(méi)有做好足夠的散熱設(shè)計(jì),，電流太高,，MOS管標(biāo)稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達(dá)到,。所以ID小于較大電流,，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱片,。4.MOS管的選型有誤,，對(duì)功率判斷有誤,，MOS管內(nèi)阻沒(méi)有充分考慮，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大,。

mos管,，mos管是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導(dǎo)體,，MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下,，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能,，這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的,。MOS電容的特性能被用來(lái)形成MOS管，Gate,，電介質(zhì)和backgate保持原樣,。在GATE的兩邊是兩個(gè)額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個(gè)稱為source,，另一個(gè)稱為drain,，假設(shè)source 和backgate都接地，drain接正電壓,，只要GATE對(duì)BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓,，就不會(huì)形成channel。場(chǎng)效應(yīng)管的價(jià)格相對(duì)較低,，適合大規(guī)模生產(chǎn),。

MOS管開關(guān)電路圖：頭一種應(yīng)用，由PMOS來(lái)進(jìn)行電壓的選擇,，當(dāng)V8V存在時(shí),，此時(shí)電壓全部由V8V提供，將PMOS關(guān)閉,，VBAT不提供電壓給VSIN,，而當(dāng)V8V為低時(shí)，VSIN由8V供電,。注意R120的接地,，該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低，確保PMOS的正常開啟,，這也是前文所描述的柵極高阻抗所帶來(lái)的狀態(tài)隱患,。D9和D10的作用在于防止電壓的倒灌。D9可以省略,。這里要注意到實(shí)際上該電路的DS接反,，這樣由附生二極管導(dǎo)通導(dǎo)致了開關(guān)管的功能不能達(dá)到,，實(shí)際應(yīng)用要注意。場(chǎng)效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,，用于放大或開關(guān)電路中的信號(hào),。東莞單極型場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià)格

場(chǎng)效應(yīng)管的體積小，適合集成在微型電子設(shè)備中,。珠海絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管尺寸

MOSFET的作用如下：1.可應(yīng)用于放大,。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換,。3.可以用作可變電阻,。4.可以方便地用作恒流源。5.可以用作電子開關(guān),。6.在電路設(shè)計(jì)上的靈活性大,。柵偏壓可正可負(fù)可零，三極管只能在正向偏置下工作,，電子管只能在負(fù)偏壓下工作,。另外輸入阻抗高，可以減輕信號(hào)源負(fù)載,，易于跟前級(jí)匹配,。珠海絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管尺寸