合理的熱設計余量,，這個就不多說了，各個企業(yè)都有自己的降額規(guī)范,，嚴格執(zhí)行就可以了,，不行就加散熱器。MOSFET發(fā)熱原因分析,，做電源設計,，或者做驅動方面的電路，難免要用到MOS管,。MOS管有很多種類,，也有很多作用。做電源或者驅動的使用,，當然就是用它的開關作用,。無論N型或者P型MOS管，其工作原理本質是一樣的,。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流,。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發(fā)生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應,，因此在開關應用中,，MOS管的開關速度應該比三極管快。MOSFET有三個電極：柵極、漏極和源極,。廣州MOS場效應管制造

對比：場效應管與三極管的各自應用特點：1.場效應管的源極s,、柵極g、漏極d分別對應于三極管的發(fā)射極e,、基極b,、集電極c，它們的作用相似,。2.場效應管是電壓控制電流器件,，由vGS控制iD，其放大系數(shù)gm一般較小,，因此場效應管的放大能力較差,；三極管是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC,。3.場效應管柵極幾乎不取電流（ig»0）,；而三極管工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效應管的柵極輸入電阻比三極管的輸入電阻高,。4.場效應管是由多子參與導電,；三極管有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度,、輻射等因素影響較大,，因而場效應管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強,。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應選用場效應管,。深圳強抗輻場效應管參考價場效應管具有很高的耐壓特性，可承受較高的電壓,，適用于高壓電路,。

導通時隔離變壓器上的電壓為（1-D）Ui、關斷時為DUi,，若主功率管S可靠導通電壓為12V,，而隔離變壓器原副邊匝比N1/N2為12/［（1-D）Ui］。為保證導通期間GS電壓穩(wěn)定C值可稍取大些,。該電路具有以下優(yōu)點：①電路結構簡單可靠,，具有電氣隔離作用。當脈寬變化時,，驅動的關斷能力不會隨著變化,。②該電路只需一個電源，即為單電源工作,。隔直電容C的作用可以在關斷所驅動的管子時提供一個負壓,，從而加速了功率管的關斷,，且有較高的抗干擾能力。但該電路存在的一個較大缺點是輸出電壓的幅值會隨著占空比的變化而變化,。當D較小時,，負向電壓小，該電路的抗干擾性變差,，且正向電壓較高,，應該注意使其幅值不超過MOSFET柵極的允許電壓,。當D大于0.5時驅動電壓正向電壓小于其負向電壓,，此時應該注意使其負電壓值不超過MOAFET柵極允許電壓。所以該電路比較適用于占空比固定或占空比變化范圍不大以及占空比小于0.5的場合,。

MOS管三個極分別是什么及判定方法：mos管的三個極分別是：G（柵極）,，D（漏極）s（源及），要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值,，漏極和源及才能導通,。判斷柵極G，MOS驅動器主要起波形整形和加強驅動的作用：假如MOS管的G信號波形不夠陡峭,，在點評切換階段會造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉換效率,，MOS管發(fā)燒嚴峻，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容,，假如G信號驅動能力不夠,，將嚴峻影響波形跳變的時間。將G-S極短路,，選擇萬用表的R×1檔,，黑表筆接S極，紅表筆接D極,，阻值應為幾歐至十幾歐,。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大，并且交換表筆后仍為無限大,，則證實此腳為G極,，由于它和另外兩個管腳是絕緣的。場效應管有三種類型,，分別是MOSFET,、JFET和IGBT，它們各自具有不同的特性和應用領域,。

與雙極型晶體管相比,，場效應管具有如下特點。（1）場效應管是電壓控制器件,，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）,；（2）場效應管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。（3）它是利用多數(shù)載流子導電,，因此它的溫度穩(wěn)定性較好,；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；（5）場效應管的抗輻射能力強,；（6）由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲,，所以噪聲低。場效應管還具有低輸出阻抗,，可以提供較大的輸出電流,。深圳強抗輻場效應管參考價

JFET具有電路簡單、工作穩(wěn)定的特點,，適合于低頻放大器設計,。廣州MOS場效應管制造

漏極電流iD沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內各點與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓較大,，這里溝道較厚,，而漏極一端電壓較小，其值為VGD=vGS－vDS,，因而這里溝道較薄,。但當vDS較小（vDS 隨著vDS的增大,，靠近漏極的溝道越來越薄,，當vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT(或vDS=vGS－VT)時，溝道在漏極一端出現(xiàn)預夾斷,，如圖2(b)所示,。再繼續(xù)增大vDS，夾斷點將向源極方向移動,，如圖2(c)所示,。由于vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區(qū)，故iD幾乎不隨vDS增大而增加,，管子進入飽和區(qū),，iD幾乎只由vGS決定。廣州MOS場效應管制造