MOSFET的作用如下：1.可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器。2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換,。3.可以用作可變電阻,。4.可以方便地用作恒流源,。5.可以用作電子開關(guān),。6.在電路設(shè)計上的靈活性大。柵偏壓可正可負(fù)可零,，三極管只能在正向偏置下工作,，電子管只能在負(fù)偏壓下工作。另外輸入阻抗高,，可以減輕信號源負(fù)載,，易于跟前級匹配。確保場效應(yīng)管的散熱問題,，提高其穩(wěn)定性和可靠性,。廣州VMOS場效應(yīng)管制造

MOS管的工作原理，在開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路,，如圖2漏極原封不動地接負(fù)載,，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓,，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流,。是理想的模擬開關(guān)器件。這就是MOS管做開關(guān)器件的原理,。當(dāng)然MOS管做開關(guān)使用的電路形式比較多了,。NMOS管的開路漏極電路，在開關(guān)電源應(yīng)用方面,，這種應(yīng)用需要MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷,。比如，DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個MOS管來執(zhí)行開關(guān)功能,，這些開關(guān)交替在電感里存儲能量,，然后把能量釋放給負(fù)載。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率,，因為頻率越高,，磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間,，MOS管只相當(dāng)于一個導(dǎo)體,。因此，我們電路或者電源設(shè)計人員較關(guān)心的是MOS的較小傳導(dǎo)損耗,。廣州VMOS場效應(yīng)管制造場效應(yīng)管具有較高的耐熱性能,，適用于高溫環(huán)境。

雪崩失效分析（電壓失效），底什么是雪崩失效呢,，簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓,、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間,，導(dǎo)致的一種失效模式,。簡而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見的失效模式。下面的圖片為雪崩測試的等效原理圖,，做為電源工程師可以簡單了解下,。可能我們經(jīng)常要求器件生產(chǎn)廠家對我們電源板上的MOSFET進行失效分析,，大多數(shù)廠家都光給一個EAS.EOS之類的結(jié)論,，那么到底我們怎么區(qū)分是否是雪崩失效呢，下面是一張經(jīng)過雪崩測試失效的器件圖,，我們可以進行對比從而確定是否是雪崩失效,。

場效應(yīng)管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是電子技術(shù)中普遍使用的一種半導(dǎo)體器件,，具有高輸入阻抗,、噪聲低和低功耗等優(yōu)點。場效應(yīng)管的用途：一,、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。二、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換,。三、場效應(yīng)管可以用作可變電阻,。四,、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。五,、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān),。總結(jié)場效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍,，了解基礎(chǔ)知識之后我們接下來就可以運用它做一些電子開發(fā)了,。場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，通過外部電場調(diào)節(jié)電導(dǎo),。

MOSFET應(yīng)用案例解析：開關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言,，這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷,。同時，有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_關(guān)電源,，這里考慮一個簡單的例子,。DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依靠兩個MOSFET來執(zhí)行開關(guān)功能(下圖)，這些開關(guān)交替在電感里存儲能量,，然后把能量開釋給負(fù)載,。目前，設(shè)計職員經(jīng)常選擇數(shù)百kHz乃至1 MHz以上的頻率,，由于頻率越高,，磁性元件可以更小更輕。開關(guān)電源中第二重要的MOSFET參數(shù)包括輸出電容,、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量,。場效應(yīng)管的使用壽命與工作溫度,、電壓應(yīng)力等因素有關(guān)。多晶硅金場效應(yīng)管廠家精選

場效應(yīng)管有多種類型,，如JFET,、MOSFET等，滿足不同應(yīng)用需求,。廣州VMOS場效應(yīng)管制造

N溝道耗盡型MOSFET場效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu)：a.結(jié)構(gòu)：N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強型MOS管基本相似,。b.區(qū)別：耗盡型MOS管在vGS=0時，漏——源極間已有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生,，而增強型MOS管要在vGS≥VT時才出現(xiàn)導(dǎo)電溝道,。c.原因：制造N溝道耗盡型MOS管時，在SiO2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時摻入負(fù)離子),，如圖1(a)所示,，因此即使vGS=0時，在這些正離子產(chǎn)生的電場作用下,，漏——源極間的P型襯底表面也能感應(yīng)生成N溝道(稱為初始溝道),，只要加上正向電壓vDS，就有電流iD,。 如果加上正的vGS,，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子，溝道加寬,，溝道電阻變小,，iD增大。反之vGS為負(fù)時,，溝道中感應(yīng)的電子減少,，溝道變窄,，溝道電阻變大，iD減小,。當(dāng)vGS負(fù)向增加到某一數(shù)值時,，導(dǎo)電溝道消失，iD趨于零,，管子截止,，故稱為耗盡型。溝道消失時的柵－源電壓稱為夾斷電壓,，仍用VP表示,。與N溝道結(jié)型場效應(yīng)管相同，N溝道耗盡型MOS管的夾斷電壓VP也為負(fù)值,，但是,，前者只能在vGS<0的情況下工作。而后者在vGS=0,，vGS>0廣州VMOS場效應(yīng)管制造