MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS,，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值,，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS,，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓,，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過絕緣層耐壓均會擊穿,，故有兩個方向“±”,。注③：漏級較大電流ID與體二極管流過的反向漏級較大電流IDR（或稱為IS）一般規(guī)格書中數(shù)值一致，均為流過N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體襯底形成的PN結(jié)的較大電流,。注④：ID（pulse）需要看施加電流的脈沖寬度,，脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書數(shù)據(jù)。注⑤：雪崩電流IAP同樣需要關(guān)注脈沖寬度。場效應(yīng)管可構(gòu)成恒流源,，為負(fù)載提供穩(wěn)定的電流,，應(yīng)用于精密測量、激光器等領(lǐng)域,。上海結(jié)型場效應(yīng)管價位

場效應(yīng)管（Field-Effect Transistor,，簡稱FET）是電子技術(shù)中普遍使用的一種半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗,、噪聲低和低功耗等優(yōu)點,。場效應(yīng)管的用途：一、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器,。二,、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換,。三、場效應(yīng)管可以用作可變電阻,。四,、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。五,、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān),。總結(jié)場效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍,，了解基礎(chǔ)知識之后我們接下來就可以運用它做一些電子開發(fā)了,。上海結(jié)型場效應(yīng)管價位在設(shè)計電路時，合理選擇場效應(yīng)管的型號和工作參數(shù),，以滿足電路要求,。

場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名,，場效應(yīng)管[2]是常見的電子元件,，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）,、噪聲小,、功耗低、動態(tài)范圍大,、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,。場效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明,，但是實用的器件一直到1952年才被制造出來（結(jié)型場效應(yīng)管）,，1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，從而大部分代替了JFET,，對電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義,。

在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動,，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性,，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場,，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近,，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象,。其次,，VGS向負(fù)的方向變化，讓VGS=VGS(off),，此時過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài),。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場,，只有靠近源極的很短部分,，這更使電流不能流通。場效應(yīng)管在靜態(tài)工作時功耗較低,，有利于節(jié)能降耗,。

MOS場效應(yīng)管，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）,，屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,，因此具有很高的輸入電阻（較高可達1015Ω）,。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起,。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,，MOSFET又分增強型、耗盡型,。所謂增強型是指：當(dāng)VGS=0時管子是呈截止?fàn)顟B(tài),，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極,，從而“增強”了該區(qū)域的載流子,，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當(dāng)VGS=0時即形成溝道,，加上正確的VGS時,，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子,，使管子轉(zhuǎn)向截止,。場效應(yīng)管有三種類型，分別是MOSFET,、JFET和IGBT,，它們各自具有不同的特性和應(yīng)用領(lǐng)域。肇慶半導(dǎo)體場效應(yīng)管市場價格

場效應(yīng)管的使用方法包括選擇合適的工作點和電源電壓,，以及連接正確的外部電路,。上海結(jié)型場效應(yīng)管價位

MOSFET的特性和作用：MOS管導(dǎo)作用，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,，由于SiO2絕緣層的存在,，在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在，電壓VGS產(chǎn)生電場從而導(dǎo)致源source和drain是可以對調(diào)的,，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的,，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。目前在市場應(yīng)用方面,，排名頭一的是消費類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計算機主板,、NB,、計算機類適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品,，隨著國情的發(fā)展計算機主板,、計算機類適配器、LCD顯示器對MOS管的需求有要超過消費類電子電源適配器的現(xiàn)象了,。第三的就屬網(wǎng)絡(luò)通信,、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了,，這些產(chǎn)品對于MOS管的需求也是很大的,，特別是現(xiàn)在汽車電子對于MOS管的需求直追消費類電子了。上海結(jié)型場效應(yīng)管價位