場效應(yīng)管由源極（Source）,、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個(gè)主要部分組成,。在JFET中,，柵極和通道之間通過PN結(jié)隔離,；而在MOSFET中,，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離,。當(dāng)在柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r(shí),，會(huì)在柵極下方的半導(dǎo)體中形成一個(gè)導(dǎo)電溝道,，從而控制漏極和源極之間的電流流動(dòng)。主要參數(shù)閾值電壓（Vth）：使場效應(yīng)管開始導(dǎo)電的較小柵極電壓,。閾值電壓是場效應(yīng)管從截止區(qū)（Cutoff Region）過渡到飽和區(qū)（Saturation Region）的臨界電壓,。當(dāng)柵極-源極電壓（VGS）低于Vth時(shí)，場效應(yīng)管處于關(guān)閉狀態(tài),，通道不導(dǎo)電,；當(dāng)VGS超過Vth時(shí)，通道形成,，電流開始流動(dòng),。使用場效應(yīng)管時(shí)需要注意靜電放電問題，避免對(duì)器件造成損壞,。肇慶小噪音場效應(yīng)管市場價(jià)格

場效應(yīng)管的用途：一,、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器。二,、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。三,、場效應(yīng)管可以用作可變電阻,。四、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源,。五,、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān),。場效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍，了解基礎(chǔ)知識(shí)之后我們接下來就可以運(yùn)用它做一些電子開發(fā)了,。場效應(yīng)管是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,。場效應(yīng)管又是單極型晶體管，即導(dǎo)電過程中幾乎只有一種載流子運(yùn)動(dòng),，類似金屬導(dǎo)電,。南京漏極場效應(yīng)管尺寸使用場效應(yīng)管時(shí)，需要注意柵極電壓的控制范圍,，以避免損壞器件,。

VMOS場效應(yīng)管，VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管,，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管,。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件,。它不只繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）,、驅(qū)動(dòng)電流小（左右0.1μA左右）,，還具有耐壓高（較高可耐壓1200V）,、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）,、跨導(dǎo)的線性好,、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性,。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身,，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器,、開關(guān)電源和逆變器中正獲得普遍應(yīng)用,。

N溝道耗盡型MOSFET場效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu)：a.結(jié)構(gòu)：N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強(qiáng)型MOS管基本相似。b.區(qū)別：耗盡型MOS管在vGS=0時(shí),，漏——源極間已有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生,，而增強(qiáng)型MOS管要在vGS≥VT時(shí)才出現(xiàn)導(dǎo)電溝道。c.原因：制造N溝道耗盡型MOS管時(shí),，在SiO2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻入負(fù)離子),，如圖1(a)所示，因此即使vGS=0時(shí),，在這些正離子產(chǎn)生的電場作用下,，漏——源極間的P型襯底表面也能感應(yīng)生成N溝道(稱為初始溝道)，只要加上正向電壓vDS,，就有電流iD,。 如果加上正的vGS,，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子，溝道加寬,，溝道電阻變小,，iD增大。反之vGS為負(fù)時(shí),，溝道中感應(yīng)的電子減少,，溝道變窄，溝道電阻變大,，iD減小,。當(dāng)vGS負(fù)向增加到某一數(shù)值時(shí)，導(dǎo)電溝道消失,，iD趨于零,，管子截止，故稱為耗盡型,。溝道消失時(shí)的柵－源電壓稱為夾斷電壓,，仍用VP表示。與N溝道結(jié)型場效應(yīng)管相同,，N溝道耗盡型MOS管的夾斷電壓VP也為負(fù)值,，但是，前者只能在vGS<0的情況下工作,。而后者在vGS=0,，vGS>0場效應(yīng)管在電子器件中的功率管理、信號(hào)放大等方面有重要作用,。

雪崩失效分析（電壓失效）,，底什么是雪崩失效呢，簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓,、變壓器反射電壓,、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式,。簡而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見的失效模式,。下面的圖片為雪崩測試的等效原理圖，做為電源工程師可以簡單了解下,?？赡芪覀兘?jīng)常要求器件生產(chǎn)廠家對(duì)我們電源板上的MOSFET進(jìn)行失效分析，大多數(shù)廠家都光給一個(gè)EAS.EOS之類的結(jié)論,，那么到底我們?cè)趺磪^(qū)分是否是雪崩失效呢,，下面是一張經(jīng)過雪崩測試失效的器件圖，我們可以進(jìn)行對(duì)比從而確定是否是雪崩失效,。IGBT結(jié)合了場效應(yīng)管和雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn),，適用于高電壓和高頻率的場合,。上海源極場效應(yīng)管哪家好

場效應(yīng)管還可以用于設(shè)計(jì)溫度傳感器、微波探測器和光電探測器等電子器件,。肇慶小噪音場效應(yīng)管市場價(jià)格

對(duì)比：場效應(yīng)管與三極管的各自應(yīng)用特點(diǎn)：1.場效應(yīng)管的源極s,、柵極g、漏極d分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極e,、基極b,、集電極c，它們的作用相似,。2.場效應(yīng)管是電壓控制電流器件,，由vGS控制iD，其放大系數(shù)gm一般較小,，因此場效應(yīng)管的放大能力較差,；三極管是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC,。3.場效應(yīng)管柵極幾乎不取電流（ig»0）,；而三極管工作時(shí)基極總要吸取一定的電流。因此場效應(yīng)管的柵極輸入電阻比三極管的輸入電阻高,。4.場效應(yīng)管是由多子參與導(dǎo)電,；三極管有多子和少子兩種載流子參與導(dǎo)電，而少子濃度受溫度,、輻射等因素影響較大,，因而場效應(yīng)管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng),。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應(yīng)選用場效應(yīng)管,。肇慶小噪音場效應(yīng)管市場價(jià)格