MOSFET應(yīng)用案例解析：開關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言,，這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷,。同時(shí)，有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_關(guān)電源,，這里考慮一個(gè)簡單的例子,。DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依靠兩個(gè)MOSFET來執(zhí)行開關(guān)功能(下圖),，這些開關(guān)交替在電感里存儲能量，然后把能量開釋給負(fù)載,。目前,，設(shè)計(jì)職員經(jīng)常選擇數(shù)百kHz乃至1 MHz以上的頻率，由于頻率越高,，磁性元件可以更小更輕,。開關(guān)電源中第二重要的MOSFET參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓,、柵極阻抗和雪崩能量,。場效應(yīng)管是一種重要的半導(dǎo)體器件，它利用電場效應(yīng)控制電流,，實(shí)現(xiàn)電路的開關(guān)和放大功能,。徐州多晶硅金場效應(yīng)管制造

雪崩失效的預(yù)防措施，雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效,，因此預(yù)防我們著重從電壓來考慮,。具體可以參考以下的方式來處理。1：合理降額使用,，目前行業(yè)內(nèi)的降額一般選取80%-95%的降額,，具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關(guān)注點(diǎn)進(jìn)行選取。2：合理的變壓器反射電壓,。合理的RCD及TVS吸收電路設(shè)計(jì),。4：大電流布線盡量采用粗,、短的布局結(jié)構(gòu)，盡量減少布線寄生電感,。5：選擇合理的柵極電阻Rg,。6：在大功率電源中，可以根據(jù)需要適當(dāng)?shù)募尤隦C減震或齊納二極管進(jìn)行吸收,。徐州柵極場效應(yīng)管加工場效應(yīng)管的可靠性較高,，壽命長。

電機(jī)驅(qū)動：在電機(jī)控制系統(tǒng)中,，場效應(yīng)管用于控制電機(jī)的啟動,、停止和速度調(diào)節(jié)。LED驅(qū)動：場效應(yīng)管用于LED驅(qū)動電路中,，提供恒流源以保證LED的穩(wěn)定亮度,。場效應(yīng)管的這些應(yīng)用展示了其在現(xiàn)代電子技術(shù)中的多樣性和重要性。通過選擇合適的場效應(yīng)管類型和設(shè)計(jì)合適的電路,，可以實(shí)現(xiàn)高效,、可靠的電子系統(tǒng)。我們知道三極管全稱為半導(dǎo)體三極管,，也稱雙極型晶體管,、晶體三極管，是一種電流控制型半導(dǎo)體器件,，其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號,， 也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。

場效應(yīng)管主要參數(shù)：1,、漏源擊穿電壓,。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓,。這是一項(xiàng)極限參數(shù),，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。2,、較大耗散功率,。較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù)，是指場效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的較大漏源耗散功率,。運(yùn)用時(shí)場效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量,。3、較大漏源電流,。較大漏源電流IDSM是另一項(xiàng)極限參數(shù),，是指場效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許經(jīng)過的較大電流,。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM,。在開關(guān)電路中,，場效應(yīng)管可以實(shí)現(xiàn)快速的開關(guān)操作，普遍應(yīng)用于數(shù)字電路和電源控制中,。

場效應(yīng)管注意事項(xiàng)：為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,，要求一切測試儀器、工作臺,、電烙鐵,、線路本身都必須有良好的接地,；管腳在焊接時(shí),，先焊源極；在連入電路之前,，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時(shí),，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等,；當(dāng)然，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵,，焊接場效應(yīng)管是比較方便的,，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時(shí),，一定不可以把管插人電路或從電路中拔出,。以上安全措施在使用場效應(yīng)管時(shí)必須注意。場效應(yīng)管在無線電領(lǐng)域具有普遍應(yīng)用,，如射頻放大器,、混頻器、振蕩器等,，提高通信質(zhì)量,。江門源極場效應(yīng)管加工

使用場效應(yīng)管時(shí)，應(yīng)注意其溫度特性,，避免在高溫或低溫環(huán)境下使用影響其性能,。徐州多晶硅金場效應(yīng)管制造

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET,，簡稱MOS-FET）,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管,。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小,、功耗低,、動態(tài)范圍大,、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。徐州多晶硅金場效應(yīng)管制造