場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,，要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái),、電烙鐵,、線(xiàn)路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時(shí),，先焊源極；在連入電路之前,，管的全部引線(xiàn)端保持互相短接狀態(tài),，焊接完后才把短接材料去掉,；從元器件架上取下管時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等,；當(dāng)然,，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵，焊接場(chǎng)效應(yīng)管是比較方便的,，并且確保安全,；在未關(guān)斷電源時(shí)，一定不可以把管插人電路或從電路中拔出,。以上安全措施在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)必須注意,。場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是通過(guò)控制柵極電壓來(lái)調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電流。深圳金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠(chǎng)家

LED 燈具的驅(qū)動(dòng),。設(shè)計(jì)LED燈具的時(shí)候經(jīng)常要使用MOS管,，對(duì)LED恒流驅(qū)動(dòng)而言，一般使用NMOS,。功率MOSFET和雙極型晶體管不同,，它的柵極電容比較大，在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電,，當(dāng)電容電壓超過(guò)閾值電壓(VGS-TH)時(shí)MOSFET才開(kāi)始導(dǎo)通,。因此，設(shè)計(jì)時(shí)必須注意柵極驅(qū)動(dòng)器負(fù)載能力必須足夠大,，以保證在系統(tǒng)要求的時(shí)間內(nèi)完成對(duì)等效柵極電容(CEI)的充電,。而MOSFET的開(kāi)關(guān)速度和其輸入電容的充放電有很大關(guān)系。使用者雖然無(wú)法降低Cin的值,，但可以降低柵極驅(qū)動(dòng)回路信號(hào)源內(nèi)阻Rs的值,，從而減小柵極回路 的充放電時(shí)間常數(shù)，加快開(kāi)關(guān)速度一般IC驅(qū)動(dòng)能力主要體現(xiàn)在這里,，我們談選擇MOSFET是指外置MOSFET驅(qū)動(dòng)恒流IC,。上海雙柵極場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠(chǎng)家使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，需要注意柵極電壓的控制范圍,，以避免損壞器件,。

在要求輸入阻抗較高的場(chǎng)合使用時(shí)，必須采取防潮措施,，以免由于溫度影響使場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻降低,。如果用四引線(xiàn)的場(chǎng)效應(yīng)管，其襯底引線(xiàn)應(yīng)接地,。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性,，應(yīng)注意避光使用。對(duì)于功率型場(chǎng)效應(yīng)管，要有良好的散熱條件,。因?yàn)楣β市蛨?chǎng)效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用,，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過(guò)額定值,，使器件長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠地工作,。總之,，確保場(chǎng)效應(yīng)管安全使用,，要注意的事項(xiàng)是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣,，廣大的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員,，特別是廣大的電子愛(ài)好者，都要根據(jù)自己的實(shí)際情況出發(fā),，采取切實(shí)可行的辦法,，安全有效地用好場(chǎng)效應(yīng)管。

本文介紹N溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管,；（1）結(jié)構(gòu),，在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū),，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,，分別作漏極d和源極s。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層,，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極g,。襯底上也引出一個(gè)電極B，這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管,。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠(chǎng)前已連接好),。它的柵極與其它電極間是絕緣的。場(chǎng)效應(yīng)管在電子設(shè)備中扮演著關(guān)鍵角色,。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管,。當(dāng)滿(mǎn)足 MOS 管的導(dǎo)通條件時(shí)，MOS 管的 D 極和 S 極會(huì)導(dǎo)通,，這個(gè)時(shí)候體二極管是截止?fàn)顟B(tài),。因?yàn)?MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小，不足以使寄生二極管導(dǎo)通,。MOS管的導(dǎo)通條件：PMOS增強(qiáng)型管：UG-US<0 , 且 |UG-US|>|UGSTH| ,， UGSTH是開(kāi)啟電壓；NMOS增強(qiáng)型管：UG-US>0,，且 |UG-US|>|UGSTH| ,，UGSTH是開(kāi)啟電壓；PMOS導(dǎo)通是在G和S之間加G負(fù)S正電壓。NMOS相反,。MOS管工作狀態(tài),。MOSFET 不同于三極管，因?yàn)槟承┬吞?hào)封裝內(nèi)有并聯(lián)二極管,，所以其 D 和 S 極是不能反接的，且 N 管必須由 D 流向 S,，P 管必須由 S 流向 D,。可以用下表判斷工作狀態(tài)：使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)需要注意靜電放電問(wèn)題,，避免對(duì)器件造成損壞,。肇慶強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商

場(chǎng)效應(yīng)管可用于開(kāi)關(guān)電路，實(shí)現(xiàn)電路的通斷控制,，如電子開(kāi)關(guān),、繼電器驅(qū)動(dòng)等。深圳金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠(chǎng)家

內(nèi)置MOSFET的IC當(dāng)然 不用我們?cè)倏紤]了,，一般大于1A電流會(huì)考慮外置MOSFET.為了獲得到更大,、更靈活的LED功率能力，外置MOSFET是獨(dú)一的選擇方式,，IC需要合適 的驅(qū)動(dòng)能力,MOSFET輸入電容是關(guān)鍵的參數(shù),。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電容。一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻,，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動(dòng)輸出能力有關(guān),，可以近似認(rèn)為R=Vcc/Ipeak.一般結(jié)合IC驅(qū)動(dòng)能力 Rg選擇在10-20Ω左右。一般的應(yīng)用中IC的驅(qū)動(dòng)可以直接驅(qū)動(dòng)MOSFET,，但是考慮到通常驅(qū)動(dòng)走線(xiàn)不是直線(xiàn),，感量可能會(huì)更大,并且為了防止外部干擾，還是要使用Rg驅(qū)動(dòng)電阻進(jìn)行抑制.考慮到走線(xiàn)分布電容的影響,這個(gè)電阻要盡量靠近MOSFET的柵極,。深圳金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠(chǎng)家