本文介紹N溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管,；（1）結(jié)構(gòu)，在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上,，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū),，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作漏極d和源極s,。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層,，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極g。襯底上也引出一個(gè)電極B,，這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管,。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好)。它的柵極與其它電極間是絕緣的,。場(chǎng)效應(yīng)管的主要作用是在電路中放大或開(kāi)關(guān)信號(hào),，用于控制電流或電壓。東莞柵極場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠家

場(chǎng)效應(yīng)管（英語(yǔ)：field-effect transistor,，縮寫(xiě)：FET）是一種通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的電子器件,。它依靠電場(chǎng)去控制導(dǎo)電溝道形狀，因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類型載流子的溝道的導(dǎo)電性,。場(chǎng)效應(yīng)晶體管有時(shí)被稱為“單極性晶體管”，以它的單載流子型作用對(duì)比雙極性晶體管,。由于半導(dǎo)體材料的限制,，以及雙極性晶體管比場(chǎng)效應(yīng)晶體管容易制造，場(chǎng)效應(yīng)晶體管比雙極性晶體管要晚造出,，但場(chǎng)效應(yīng)晶體管的概念卻比雙極性晶體管早,。MOS管的寄生二極管，由于生產(chǎn)工藝,，MOS 管會(huì)有寄生二極管,，或稱體二極管。這是mos管與三極管較大的一個(gè)區(qū)別,。珠海高穩(wěn)定場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管在新能源汽車,、物聯(lián)網(wǎng)、5G通信等新興領(lǐng)域具有巨大的創(chuàng)新應(yīng)用潛力,。

雪崩失效分析（電壓失效）,，底什么是雪崩失效呢，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)MOSFET在電源板上由于母線電壓,、變壓器反射電壓,、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式,。簡(jiǎn)而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過(guò)其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見(jiàn)的失效模式,。下面的圖片為雪崩測(cè)試的等效原理圖,，做為電源工程師可以簡(jiǎn)單了解下?？赡芪覀兘?jīng)常要求器件生產(chǎn)廠家對(duì)我們電源板上的MOSFET進(jìn)行失效分析,，大多數(shù)廠家都光給一個(gè)EAS.EOS之類的結(jié)論，那么到底我們?cè)趺磪^(qū)分是否是雪崩失效呢,，下面是一張經(jīng)過(guò)雪崩測(cè)試失效的器件圖,，我們可以進(jìn)行對(duì)比從而確定是否是雪崩失效。

在要求輸入阻抗較高的場(chǎng)合使用時(shí),，必須采取防潮措施,，以免由于溫度影響使場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻降低。如果用四引線的場(chǎng)效應(yīng)管,，其襯底引線應(yīng)接地,。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性，應(yīng)注意避光使用,。對(duì)于功率型場(chǎng)效應(yīng)管,，要有良好的散熱條件。因?yàn)楣β市蛨?chǎng)效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用,，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器,，確保殼體溫度不超過(guò)額定值，使器件長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠地工作,?？傊_保場(chǎng)效應(yīng)管安全使用,，要注意的事項(xiàng)是多種多樣,，采取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業(yè)技術(shù)人員,，特別是廣大的電子愛(ài)好者,，都要根據(jù)自己的實(shí)際情況出發(fā)，采取切實(shí)可行的辦法,，安全有效地用好場(chǎng)效應(yīng)管,。場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)勢(shì)在于低噪聲、高放大倍數(shù)和低失真,，適用于高要求的音頻放大電路中,。

MOSFET管基本結(jié)構(gòu)與工作原理：mos管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,，屬于絕緣柵型,。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話簡(jiǎn)單描述,。MOS場(chǎng)效應(yīng)三極管分為：增強(qiáng)型（又有N溝道,、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道、P溝道）,。N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)見(jiàn)上圖,。其中：電極 D（Drain） 稱為漏極，相當(dāng)雙極型三極管的集電極,；電極 G（Gate） 稱為柵極,，相當(dāng)于的基極；電極 S（Source）稱為源極,，相當(dāng)于發(fā)射極,。MOSFET是最常見(jiàn)的場(chǎng)效應(yīng)管，其優(yōu)勢(shì)在于高輸入電阻和低功耗,。佛山MOS場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格

場(chǎng)效應(yīng)管的特性可以通過(guò)外部電路的調(diào)整來(lái)滿足不同的應(yīng)用需求,。東莞柵極場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠家

當(dāng)滿足 MOS 管的導(dǎo)通條件時(shí)，MOS 管的 D 極和 S 極會(huì)導(dǎo)通,，這個(gè)時(shí)候體二極管是截止?fàn)顟B(tài),。因?yàn)?MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小，不足以使寄生二極管導(dǎo)通,。MOS管的導(dǎo)通條件,，PMOS增強(qiáng)型管：UG-US<0 , 且 |UG-US|>|UGSTH| ， UGSTH是開(kāi)啟電壓,；NMOS增強(qiáng)型管：UG-US>0,，且 |UG-US|>|UGSTH| ，UGSTH是開(kāi)啟電壓,；PMOS導(dǎo)通是在G和S之間加G負(fù)S正電壓。NMOS相反,。MOS管工作狀態(tài),，MOSFET 不同于三極管，因?yàn)槟承┬吞?hào)封裝內(nèi)有并聯(lián)二極管,，所以其 D 和 S 極是不能反接的,，且 N 管必須由 D 流向 S，P 管必須由 S 流向 D,。東莞柵極場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠家