MOSFET應(yīng)用案例解析：開關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言,，這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷,。同時(shí)，有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_關(guān)電源,，這里考慮一個(gè)簡單的例子,。DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依靠兩個(gè)MOSFET來執(zhí)行開關(guān)功能(下圖),，這些開關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量，然后把能量開釋給負(fù)載,。目前,，設(shè)計(jì)職員經(jīng)常選擇數(shù)百kHz乃至1 MHz以上的頻率，由于頻率越高,，磁性元件可以更小更輕,。開關(guān)電源中第二重要的MOSFET參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓,、柵極阻抗和雪崩能量,。在開關(guān)電路中，場效應(yīng)管可以實(shí)現(xiàn)快速的開關(guān)操作,，普遍應(yīng)用于數(shù)字電路和電源控制中,。徐州源極場效應(yīng)管供應(yīng)商

在近期的工作中，小編接觸到了之前不太熟悉的一種電子元器件——場效應(yīng)管,，在查找相關(guān)資料時(shí),，經(jīng)常會(huì)看到另幾個(gè)元器件，比如mos管,、二極管,、三極管，網(wǎng)上甚至有種說法：場效應(yīng)管和mos管就是一種東西,。這種說法當(dāng)然是不夠準(zhǔn)確的,，為了能夠更好地認(rèn)識(shí)這幾種元器件，本文就給大家詳細(xì)科普一下！場效應(yīng)管,，場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管,，主要有兩種類型（junction FET-JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,，具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小,、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者,。徐州源極場效應(yīng)管供應(yīng)商場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)簡單,，易于集成，有助于電子設(shè)備的小型化,、輕量化,。

對(duì)于開關(guān)頻率小于100kHz的信號(hào)一般取（400～500）kHz載波頻率較好,，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K,、7K等高頻環(huán)形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好,。這種驅(qū)動(dòng)電路只適合于信號(hào)頻率小于100kHz的場合,，因信號(hào)頻率相對(duì)載波頻率太高的話，相對(duì)延時(shí)太多,，且所需驅(qū)動(dòng)功率增大,，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高，故100kHz以上開關(guān)頻率只對(duì)較小極電容的MOSFET才可以,。對(duì)于1kVA左右開關(guān)頻率小于100kHz的場合,，它是一種良好的驅(qū)動(dòng)電路。該電路具有以下特點(diǎn)：單電源工作,，控制信號(hào)與驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)隔離,，結(jié)構(gòu)簡單尺寸較小，尤其適用于占空比變化不確定或信號(hào)頻率也變化的場合,。來看這個(gè)電路,，控制信號(hào)PGC控制V4.2是否給P_GPRS供電。此電路中，源漏兩端沒有接反,，R110與R113存在的意義在于R110控制柵極電流不至于過大,，R113控制柵極的常態(tài)，將R113上拉為高,，截至PMOS,，同時(shí)也可以看作是對(duì)控制信號(hào)的上拉，當(dāng)MCU內(nèi)部管腳并沒有上拉時(shí),，即輸出為開漏時(shí),，并不能驅(qū)動(dòng)PMOS關(guān)閉，此時(shí),，就需要外部電壓給予的上拉,，所以電阻R113起到了兩個(gè)作用。R110可以更小,，到100歐姆也可,。

結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）：1、結(jié)型場效應(yīng)管的分類：結(jié)型場效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式,，它們是N溝道結(jié)型場效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管,。結(jié)型場效應(yīng)管也具有三個(gè)電極，它們是：柵極,；漏極,；源極。電路符號(hào)中柵極的箭頭方向可理解為兩個(gè)PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?,、結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例),，N溝道結(jié)構(gòu)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡,，故PN基本上是不導(dǎo)電的,，形成了所謂耗盡區(qū)，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí),，如果柵極電壓越負(fù),，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏,、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄,，漏極電流ID就愈小,；反之,，如果柵極電壓沒有那么負(fù)，則溝道變寬,，ID變大,，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化,，就是說，場效應(yīng)管是電壓控制元件,。在選擇場效應(yīng)管時(shí),，要考慮其成本效益，根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的性價(jià)比產(chǎn)品,。

我們經(jīng)?？碝OS管的PDF參數(shù)，MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來定義導(dǎo)通阻抗,，對(duì)開關(guān)應(yīng)用來說,，RDS(ON)也是較重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊(cè)定義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動(dòng))電壓VGS以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān),，但對(duì)于充分的柵極驅(qū)動(dòng),，RDS(ON)是一個(gè)相對(duì)靜態(tài)參數(shù)。一直處于導(dǎo)通的MOS管很容易發(fā)熱,。另外，慢慢升高的結(jié)溫也會(huì)導(dǎo)致RDS(ON)的增加,。MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定了熱阻抗參數(shù),，其定義為MOS管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力。RθJC的較簡單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗,。場效應(yīng)管的優(yōu)勢在于低噪聲,、高放大倍數(shù)和低失真，適用于高要求的音頻放大電路中,。上海源極場效應(yīng)管廠商

場效應(yīng)管在數(shù)字電子電路中的應(yīng)用日益普遍,，可以用于高速通訊、計(jì)算機(jī)處理和控制系統(tǒng)中,。徐州源極場效應(yīng)管供應(yīng)商

場效應(yīng)管（Field-Effect Transistor,，簡稱FET）是電子技術(shù)中普遍使用的一種半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗,、噪聲低和低功耗等優(yōu)點(diǎn),。場效應(yīng)管的用途：一、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器,。二,、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換,。三,、場效應(yīng)管可以用作可變電阻,。四、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源,。五,、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)?？偨Y(jié)場效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍,，了解基礎(chǔ)知識(shí)之后我們接下來就可以運(yùn)用它做一些電子開發(fā)了。徐州源極場效應(yīng)管供應(yīng)商