場效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）為了安全使用場效應(yīng)管,，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過管的耗散功率,，較大漏源電壓,、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值。（2）各類型場效應(yīng)管在使用時,，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中,，要遵守場效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié),，N溝道管柵極不能加正偏壓,；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等,。（3）MOS場效應(yīng)管由于輸入阻抗極高,，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路,，要用金屬屏蔽包裝,，以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿。尤其要注意,，不能將MOS場效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi),，保存時較好放在金屬盒內(nèi)，同時也要注意管的防潮,。場效應(yīng)管雖然體積小,，但在現(xiàn)代電子技術(shù)中的作用不可忽視。南京小噪音場效應(yīng)管廠商

以N溝道為例,，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+,，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通,，二者總保持等電位,。當(dāng)漏接電源正極，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時,，溝道電流（即漏極電流）ID=0,。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引,，在兩個擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子,，形成從漏極到源極的N型溝道，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時,，N溝道管開始導(dǎo)通,，形成漏極電流ID。場效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明,，但是實(shí)用的器件一直到1952年才被制造出來（結(jié)型場效應(yīng)管,，Junction-FET，JFET）。1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect transistor, MOSFET）,，從而大部分代替了JFET,，對電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義。江門增強(qiáng)型場效應(yīng)管尺寸場效應(yīng)管驅(qū)動電路簡單,，只需一個電壓信號即可實(shí)現(xiàn)控制,，降低電路復(fù)雜度。

對于開關(guān)頻率小于100kHz的信號一般?。?00～500）kHz載波頻率較好,，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯,，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好,。這種驅(qū)動電路只適合于信號頻率小于100kHz的場合，因信號頻率相對載波頻率太高的話,，相對延時太多,，且所需驅(qū)動功率增大，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高,，故100kHz以上開關(guān)頻率只對較小極電容的MOSFET才可以,。對于1kVA左右開關(guān)頻率小于100kHz的場合，它是一種良好的驅(qū)動電路,。該電路具有以下特點(diǎn)：單電源工作,，控制信號與驅(qū)動實(shí)現(xiàn)隔離，結(jié)構(gòu)簡單尺寸較小,，尤其適用于占空比變化不確定或信號頻率也變化的場合,。來看這個電路，控制信號PGC控制V4.2是否給P_GPRS供電,。此電路中,，源漏兩端沒有接反，R110與R113存在的意義在于R110控制柵極電流不至于過大,，R113控制柵極的常態(tài),，將R113上拉為高，截至PMOS,，同時也可以看作是對控制信號的上拉,，當(dāng)MCU內(nèi)部管腳并沒有上拉時，即輸出為開漏時,，并不能驅(qū)動PMOS關(guān)閉,，此時，就需要外部電壓給予的上拉,，所以電阻R113起到了兩個作用,。R110可以更小,，到100歐姆也可。

場效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場效應(yīng)管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管,；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下,，應(yīng)選用晶體管,。（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件,，而晶體管是即有多數(shù)載流子,，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件,。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好,。（4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用,。MOSFET通過柵極與源極電壓調(diào)節(jié),，是現(xiàn)代電子器件中常見的元件。

作為電氣系統(tǒng)中的基本部件,，工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢,？本文將討論如何通過四步來選擇正確的MOSFET。溝道的選擇,。為設(shè)計(jì)選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET,。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個MOSFET接地,，而負(fù)載連接到干線電 壓上時,，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中,，應(yīng)采用N溝道MOSFET,，這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOSFET連接到 總線及負(fù)載接地時,，就要用高壓側(cè)開關(guān),。通常會在這個拓?fù)渲胁捎肞溝道MOSFET，這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮,。場效應(yīng)管具有很高的耐壓特性,，可承受較高的電壓，適用于高壓電路。江門增強(qiáng)型場效應(yīng)管尺寸

場效應(yīng)管的使用方法包括選擇合適的工作點(diǎn)和電源電壓,，以及連接正確的外部電路,。南京小噪音場效應(yīng)管廠商

Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate,，如果GATE電壓超過了閾值電壓,，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅,，由電子組成的電流從source通過channel流到drain,，總的來說，只有在gate 對source電壓V 超過閾值電壓Vt時,，才會有drain電流,。在對稱的MOS管中，對source和drain的標(biāo)注有一點(diǎn)任意性,，定義上,，載流子流出source，流入drain,，因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了,。有時晶體管上的偏置電壓是不定的，兩個引線端就會互相對換角色,，這種情況下,，電路設(shè)計(jì)師必須指定一個是drain另一個是source。南京小噪音場效應(yīng)管廠商