以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D,。源極與襯底在內(nèi)部連通,，二者總保持等電位,。當(dāng)漏接電源正極,，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時，溝道電流（即漏極電流）ID=0,。隨著VGS逐漸升高,，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子,，形成從漏極到源極的N型溝道,，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時，N溝道管開始導(dǎo)通,，形成漏極電流ID,。場效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明,，但是實(shí)用的器件一直到1952年才被制造出來（結(jié)型場效應(yīng)管，Junction-FET,，JFET）,。1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect transistor, MOSFET），從而大部分代替了JFET,，對電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義,。場效應(yīng)管在無線電領(lǐng)域具有普遍應(yīng)用,，如射頻放大器,、混頻器、振蕩器等,，提高通信質(zhì)量,。中山MOS場效應(yīng)管制造

場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名,。場效應(yīng)管（fet）是電場效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件,。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高,、噪聲低,、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單等特點(diǎn),，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應(yīng)用,。場效應(yīng)器件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定,、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢,，在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三極管的趨勢。但它還是非常嬌貴的,，雖然多數(shù)已經(jīng)內(nèi)置了保護(hù)二極管,，但稍不注意，也會損壞,。所以在應(yīng)用中還是小心為妙,。廣州金屬場效應(yīng)管行價場效應(yīng)管在數(shù)字電子電路中的應(yīng)用日益普遍，可以用于高速通訊,、計(jì)算機(jī)處理和控制系統(tǒng)中,。

開關(guān)時間：場效應(yīng)管從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通（或相反）所需的時間。柵極驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)對開關(guān)時間有明顯影響,，同時寄生電容的大小也會影響開關(guān)時間,，此外，器件的物理結(jié)構(gòu),，也會影響開關(guān)速度,。典型應(yīng)用電路：開關(guān)電路：開關(guān)電路是指用于控制場效應(yīng)管開通和關(guān)斷的電路,。放大電路：場效應(yīng)管因其高輸入阻抗和低噪聲特性，常用于音頻放大器,、射頻放大器等模擬電路中,。電源管理：在開關(guān)電源中，場效應(yīng)管用于控制能量的存儲和釋放,，實(shí)現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換,。

我們經(jīng)常看MOS管的PDF參數(shù),，MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來定義導(dǎo)通阻抗,，對開關(guān)應(yīng)用來說，RDS(ON)也是較重要的器件特性,。數(shù)據(jù)手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動)電壓VGS以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān),，但對于充分的柵極驅(qū)動，RDS(ON)是一個相對靜態(tài)參數(shù),。一直處于導(dǎo)通的MOS管很容易發(fā)熱,。另外，慢慢升高的結(jié)溫也會導(dǎo)致RDS(ON)的增加,。MOS管數(shù)據(jù)手冊規(guī)定了熱阻抗參數(shù),，其定義為MOS管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力。RθJC的較簡單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗,。確保場效應(yīng)管的散熱問題,，提高其穩(wěn)定性和可靠性。

MOSFET選型注意事項(xiàng)：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道,。在功率系統(tǒng)中,，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,，其開關(guān)導(dǎo) 通,。導(dǎo)通時，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極,。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻,，稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端,，因此,，總 是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空,，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作,，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗,。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時,，開關(guān)關(guān)閉,，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經(jīng)關(guān)閉,，但仍然有微小電流存在,，這稱之為漏電流，即IDSS,。場效應(yīng)管在功率電子領(lǐng)域有普遍應(yīng)用,，如電機(jī)驅(qū)動、電源管理等,。中山MOS場效應(yīng)管制造

場效應(yīng)管的工作原理是通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電流,。中山MOS場效應(yīng)管制造

Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate,，如果GATE電壓超過了閾值電壓,，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel,。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅,，由電子組成的電流從source通過channel流到drain，總的來說,，只有在gate 對source電壓V 超過閾值電壓Vt時,，才會有drain電流。在對稱的MOS管中,，對source和drain的標(biāo)注有一點(diǎn)任意性,，定義上，載流子流出source,，流入drain,，因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。有時晶體管上的偏置電壓是不定的,，兩個引線端就會互相對換角色,，這種情況下，電路設(shè)計(jì)師必須指定一個是drain另一個是source,。中山MOS場效應(yīng)管制造