當(dāng)滿足 MOS 管的導(dǎo)通條件時(shí),，MOS 管的 D 極和 S 極會導(dǎo)通,，這個(gè)時(shí)候體二極管是截止?fàn)顟B(tài)。因?yàn)?MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小,，不足以使寄生二極管導(dǎo)通,。MOS管的導(dǎo)通條件,，PMOS增強(qiáng)型管：UG-US<0 , 且 |UG-US|>|UGSTH| ， UGSTH是開啟電壓,；NMOS增強(qiáng)型管：UG-US>0,，且 |UG-US|>|UGSTH| ，UGSTH是開啟電壓,；PMOS導(dǎo)通是在G和S之間加G負(fù)S正電壓,。NMOS相反。MOS管工作狀態(tài),，MOSFET 不同于三極管,，因?yàn)槟承┬吞柗庋b內(nèi)有并聯(lián)二極管，所以其 D 和 S 極是不能反接的,，且 N 管必須由 D 流向 S,，P 管必須由 S 流向 D。MOSFET是最常見的場效應(yīng)管,，其優(yōu)勢在于高輸入電阻和低功耗,?；葜輪螛O型場效應(yīng)管廠家精選

場效應(yīng)管與雙極型晶體管比，它的體積小,，重量輕,，壽命長等優(yōu)點(diǎn)，而且輸入回路的內(nèi)阻特別高,，噪聲低,、熱穩(wěn)定性好（因?yàn)閹缀踔焕枚嘧訉?dǎo)電）、防輻射能力強(qiáng)以及省電等優(yōu)點(diǎn),，幾乎場效應(yīng)管占據(jù)的絕大部分市場,。有利就有弊，而場效應(yīng)管的放大倍數(shù)要小于雙極型晶體管的放大倍數(shù)（原因后續(xù)詳解）,。根據(jù)制作主要工藝主要分為結(jié)型場效應(yīng)管(Junction Field Effect Transistor,，JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS管),，下面來具體來看這兩種管子,。場效應(yīng)管(FET)基礎(chǔ)知識：名稱，場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor 縮寫(FET)）,，簡稱場效應(yīng)管,。結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET-JFET)，金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管 （metal-oxide semiconductor FET,，簡稱MOS-FET）,，由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管,，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。與之對應(yīng)的是由兩種載流子參與導(dǎo)電的雙極型晶體管，三極管(BJT),，屬于電流控制型半導(dǎo)體器件,。東莞耗盡型場效應(yīng)管制造在開關(guān)電路中，場效應(yīng)管可以實(shí)現(xiàn)快速的開關(guān)操作,，普遍應(yīng)用于數(shù)字電路和電源控制中,。

場效應(yīng)管注意事項(xiàng)：為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測試儀器,、工作臺,、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地,；管腳在焊接時(shí),，先焊源極；在連入電路之前,，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),，焊接完后才把短接材料去掉,；從元器件架上取下管時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等,；當(dāng)然,，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵，焊接場效應(yīng)管是比較方便的,，并且確保安全,；在未關(guān)斷電源時(shí)，一定不可以把管插人電路或從電路中拔出,。以上安全措施在使用場效應(yīng)管時(shí)必須注意,。

合理的熱設(shè)計(jì)余量，這個(gè)就不多說了,，各個(gè)企業(yè)都有自己的降額規(guī)范,，嚴(yán)格執(zhí)行就可以了，不行就加散熱器,。MOSFET發(fā)熱原因分析,，做電源設(shè)計(jì)，或者做驅(qū)動方面的電路,，難免要用到MOS管,。MOS管有很多種類，也有很多作用,。做電源或者驅(qū)動的使用,，當(dāng)然就是用它的開關(guān)作用。無論N型或者P型MOS管,，其工作原理本質(zhì)是一樣的,。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性,，不會發(fā)生像三極管做開關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲效應(yīng),，因此在開關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開關(guān)速度應(yīng)該比三極管快,。熟練掌握場效應(yīng)管的使用方法和注意事項(xiàng),，對于電子工程師來說是提升電路設(shè)計(jì)能力和解決實(shí)際問題的重要技能。

場效應(yīng)管由源極（Source）,、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個(gè)主要部分組成,。在JFET中，柵極和通道之間通過PN結(jié)隔離,；而在MOSFET中,，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離。當(dāng)在柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r(shí)，會在柵極下方的半導(dǎo)體中形成一個(gè)導(dǎo)電溝道,，從而控制漏極和源極之間的電流流動,。主要參數(shù)閾值電壓（Vth）：使場效應(yīng)管開始導(dǎo)電的較小柵極電壓。閾值電壓是場效應(yīng)管從截止區(qū)（Cutoff Region）過渡到飽和區(qū)（Saturation Region）的臨界電壓,。當(dāng)柵極-源極電壓（VGS）低于Vth時(shí),，場效應(yīng)管處于關(guān)閉狀態(tài)，通道不導(dǎo)電,；當(dāng)VGS超過Vth時(shí),，通道形成，電流開始流動,。場效應(yīng)管驅(qū)動電路簡單,，只需一個(gè)電壓信號即可實(shí)現(xiàn)控制，降低電路復(fù)雜度,。珠海耗盡型場效應(yīng)管價(jià)格

場效應(yīng)管的價(jià)格相對較低,，適合大規(guī)模生產(chǎn)?；葜輪螛O型場效應(yīng)管廠家精選

場效應(yīng)管是一種電壓控制器件,，其工作原理是通過改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓來控制漏極（Drain）與源極之間的電流。與傳統(tǒng)的雙極型晶體管（BJT）相比,，F(xiàn)ET只利用單一類型的載流子（電子或空穴）進(jìn)行導(dǎo)電,，因此也被稱為單極型晶體管,。分類：結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）：基于PN結(jié)形成的通道,，分為N溝道JFET和P溝道JFET。絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS管）：分為增強(qiáng)型MOS管和耗盡型MOS管,，每種類型又分為N溝道和P溝道,。耗盡型MOS管：在柵極電壓（VGS）為零時(shí)，耗盡型MOS管已經(jīng)形成了導(dǎo)電溝道,，即使沒有外加電壓,，也會有漏極電流（ID）。這是因?yàn)樵谥圃爝^程中,，通過摻雜在絕緣層中引入正離子,，使得在半導(dǎo)體表面感應(yīng)出負(fù)電荷，形成導(dǎo)電溝道,。增強(qiáng)型MOS管：在VGS為零時(shí)是關(guān)閉狀態(tài),，不導(dǎo)電。只有當(dāng)施加適當(dāng)?shù)恼驏艠O電壓時(shí),，才會在半導(dǎo)體表面感應(yīng)出足夠的多數(shù)載流子,，形成導(dǎo)電溝道。惠州單極型場效應(yīng)管廠家精選