判斷源極S,、漏極D,，將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻,。用交換表筆法測兩次電阻,，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極,，紅表筆接D極,。因為測試前提不同,，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些,。丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）,，在源-漏之間有一個PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正,、反向電阻存在差異,，可識別S極與D極。例如用500型萬用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管,，RDS（on）=3.2W,，大于0.58W（典型值）。在開關(guān)電路中,，場效應(yīng)管可以實(shí)現(xiàn)快速的開關(guān)操作,，普遍應(yīng)用于數(shù)字電路和電源控制中。廣州雙柵極場效應(yīng)管市場價格

場效應(yīng)管產(chǎn)品特性：(1)轉(zhuǎn)移特性：柵極電壓對漏極電流的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性,。(2)輸出特性： UDS與ID的關(guān)系稱為輸出特性,。(3)結(jié)型場效應(yīng)管的放大作用：結(jié)型場效應(yīng)管的放大作用一般指的是電壓放大作用,。電氣特性：場效應(yīng)管與晶體管在電氣特性方面的主要區(qū)別有以下幾點(diǎn)：貼片場效應(yīng)管：1：場效應(yīng)管是電壓控制器件,，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件,，管子的導(dǎo)電情況取決于基極電流的大小,。 2：場效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量,。3：場效應(yīng)管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm 決定,，晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大系數(shù)β決定。也就是說,，場效應(yīng)管的放大能力用Gm 衡量,，晶體管的放大能力用β衡量。4：場效應(yīng)管的輸入阻抗很大,，輸入電流極?。痪w管輸入阻抗很小,，在導(dǎo)電時輸入電流較大,。5：一般場效應(yīng)管功率較小，晶體管功率較大,。無錫小噪音場效應(yīng)管MOSFET有三個電極：柵極,、漏極和源極,。

Source和drain不同摻雜不同幾何形狀的就是非對稱MOS管，制造非對稱晶體管有很多理由,，但所有的較終結(jié)果都是一樣的,，一個引線端被優(yōu)化作為drain，另一個被優(yōu)化作為source,，如果drain和source對調(diào),，這個器件就不能正常工作了。晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管,，或NMOS,。P-channel MOS管也存在，是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管,。如果這個晶體管的GATE相對于BACKGATE正向偏置,，電子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面,。硅的表面就積累,，沒有channel形成。

馬達(dá)控制應(yīng)用馬達(dá)控制應(yīng)用是功率MOSFET大有用武之地的另一個應(yīng)用領(lǐng)域,。典型的半橋式控制電路采用2個MOSFET (全橋式則采用4個),，但這兩個MOSFET的關(guān)斷時間(死區(qū)時間)相等。對于這類應(yīng)用,，反向恢復(fù)時間(trr) 非常重要,。在控制電感式負(fù)載(比如馬達(dá)繞組)時，控制電路把橋式電路中的MOSFET切換到關(guān)斷狀態(tài),，此時橋式電路中的另一個開關(guān)經(jīng)過MOSFET中的體二極管臨時反向傳導(dǎo)電流,。于是，電流重新循環(huán),，繼續(xù)為馬達(dá)供電,。當(dāng)頭一個MOSFET再次導(dǎo)通時，另一個MOSFET二極管中存儲的電荷必須被移除,，通過頭一個MOSFET放電,，而這是一種能量的損耗，故trr 越短,，這種損耗越小,。場效應(yīng)管的工作原理是通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電流。

電極,，所有的FET都有柵極（gate）,、漏極（drain）、源極（source）三個端，分別大致對應(yīng)BJT的基極（base）,、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）,。除JFET以外，所有的FET也有第四端,，被稱為體（body）,、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）,。這個第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行,；在電路設(shè)計中，很少讓體端發(fā)揮大的作用,，但是當(dāng)物理設(shè)計一個集成電路的時候,，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長度（length）L,，是指源和漏的距離,。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直,。通常情況下寬度比長度大得多,。長度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz，0.2微米則是約30GHz,。場效應(yīng)管的工作溫度范圍需要在規(guī)定的范圍內(nèi),，以確保正常工作。無錫小噪音場效應(yīng)管

場效應(yīng)管的特性可以通過外部電路的調(diào)整來滿足不同的應(yīng)用需求,。廣州雙柵極場效應(yīng)管市場價格

合理的熱設(shè)計余量,，這個就不多說了，各個企業(yè)都有自己的降額規(guī)范,，嚴(yán)格執(zhí)行就可以了,，不行就加散熱器。MOSFET發(fā)熱原因分析,，做電源設(shè)計，或者做驅(qū)動方面的電路,，難免要用到MOS管,。MOS管有很多種類，也有很多作用,。做電源或者驅(qū)動的使用,，當(dāng)然就是用它的開關(guān)作用。無論N型或者P型MOS管,，其工作原理本質(zhì)是一樣的,。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發(fā)生像三極管做開關(guān)時的因基極電流引起的電荷存儲效應(yīng),，因此在開關(guān)應(yīng)用中,，MOS管的開關(guān)速度應(yīng)該比三極管快。廣州雙柵極場效應(yīng)管市場價格