場效應(yīng)管注意事項(xiàng)：為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測試儀器、工作臺(tái),、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地,；管腳在焊接時(shí)，先焊源極,；在連入電路之前,，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉,；從元器件架上取下管時(shí),，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當(dāng)然,，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵,，焊接場效應(yīng)管是比較方便的，并且確保安全,；在未關(guān)斷電源時(shí),，一定不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應(yīng)管時(shí)必須注意,。在安裝場效應(yīng)管時(shí),，要確保其散熱良好，避免過熱導(dǎo)致性能下降或損壞,。珠海半導(dǎo)體場效應(yīng)管廠家

SOA失效的預(yù)防措施：1：確保在較差條件下，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內(nèi),。2：將OCP功能一定要做精確細(xì)致,。在進(jìn)行OCP點(diǎn)設(shè)計(jì)時(shí)，一般可能會(huì)取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多,，然后就根據(jù)IC的保護(hù)電壓比如0.7V開始調(diào)試RSENSE電阻,。有些有經(jīng)驗(yàn)的人會(huì)將檢測延遲時(shí)間、CISS對OCP實(shí)際的影響考慮在內(nèi)。但是此時(shí)有個(gè)更值得關(guān)注的參數(shù),，那就是MOSFET的Td（off）,。它到底有什么影響呢，我們看下面FLYBACK電流波形圖（圖形不是太清楚,，十分抱歉,，建議雙擊放大觀看）。電流波形在快到電流尖峰時(shí),，有個(gè)下跌,，這個(gè)下跌點(diǎn)后又有一段的上升時(shí)間，這段時(shí)間其本質(zhì)就是IC在檢測到過流信號(hào)執(zhí)行關(guān)斷后,，MOSFET本身也開始執(zhí)行關(guān)斷,，但是由于器件本身的關(guān)斷延遲，因此電流會(huì)有個(gè)二次上升平臺(tái),，如果二次上升平臺(tái)過大,，那么在變壓器余量設(shè)計(jì)不足時(shí)，就極有可能產(chǎn)生磁飽和的一個(gè)電流沖擊或者電流超器件規(guī)格的一個(gè)失效,。珠海半導(dǎo)體場效應(yīng)管廠家場效應(yīng)管的開關(guān)速度快,，適用于需要快速響應(yīng)的電路系統(tǒng)中。

場效應(yīng)管的用途：一,、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。二、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換,。三、場效應(yīng)管可以用作可變電阻,。四,、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。五,、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān),。場效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍，了解基礎(chǔ)知識(shí)之后我們接下來就可以運(yùn)用它做一些電子開發(fā)了,。場效應(yīng)管是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,。場效應(yīng)管又是單極型晶體管，即導(dǎo)電過程中幾乎只有一種載流子運(yùn)動(dòng),，類似金屬導(dǎo)電,。

與雙極型晶體管相比,，場效應(yīng)管具有如下特點(diǎn)。（1）場效應(yīng)管是電壓控制器件,，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）,；（2）場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大,。（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù),；（5）場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng),；（6）由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低,。場效應(yīng)管有三種類型,，分別是MOSFET、JFET和IGBT,，它們各自具有不同的特性和應(yīng)用領(lǐng)域,。

場效應(yīng)管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”,。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度,，即溝道截面積,，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故,。在VGS=0的非飽和區(qū)域,，表示的過渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽螅鶕?jù)漏極-源極間所加VDS的電場,，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,，即從漏極向源極有電流ID流動(dòng)。從門極向漏極擴(kuò)展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型,，ID飽和,。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋,，并不是電流被切斷,。場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)簡單，易于集成,，有助于電子設(shè)備的小型化,、輕量化。珠海氧化物場效應(yīng)管現(xiàn)貨直發(fā)

JFET有三個(gè)電極：柵極,、漏極和源極,，工作原理類似MOSFET。珠海半導(dǎo)體場效應(yīng)管廠家

對比：場效應(yīng)管與三極管的各自應(yīng)用特點(diǎn)：1.場效應(yīng)管的源極s,、柵極g,、漏極d分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b,、集電極c,，它們的作用相似。2.場效應(yīng)管是電壓控制電流器件,，由vGS控制iD,，其放大系數(shù)gm一般較小，因此場效應(yīng)管的放大能力較差,；三極管是電流控制電流器件,，由iB（或iE）控制iC。3.場效應(yīng)管柵極幾乎不取電流（ig»0）,；而三極管工作時(shí)基極總要吸取一定的電流,。因此場效應(yīng)管的柵極輸入電阻比三極管的輸入電阻高。4.場效應(yīng)管是由多子參與導(dǎo)電,；三極管有多子和少子兩種載流子參與導(dǎo)電,，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,，因而場效應(yīng)管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好,、抗輻射能力強(qiáng)。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應(yīng)選用場效應(yīng)管,。珠海半導(dǎo)體場效應(yīng)管廠家