MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在,，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產生的,。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些,，但沒有辦法避免，后邊再詳細介紹,。在MOS管原理圖上可以看到,，漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管,，在驅動感性負載（如馬達）,，這個二極管很重要?？梢栽贛OS管關斷時為感性負載的電動勢提供擊穿通路從而避免MOS管被擊穿損壞,。順便說一句，體二極管只在單個的MOS管中存在,，在集成電路芯片內部通常是沒有的,。JFET常用于低頻放大電路、高輸入阻抗的場合,。嘉興場效應管行價

MOSFET應用案例解析：開關電源應用從定義上而言,，這種應用需要MOSFET定期導通和關斷。同時,，有數(shù)十種拓撲可用于開關電源,，這里考慮一個簡單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依靠兩個MOSFET來執(zhí)行開關功能(下圖),，這些開關交替在電感里存儲能量,，然后把能量開釋給負載。目前,，設計職員經常選擇數(shù)百kHz乃至1 MHz以上的頻率,，由于頻率越高，磁性元件可以更小更輕,。開關電源中第二重要的MOSFET參數(shù)包括輸出電容,、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量,?；葜萁^緣柵場效應管供應場效應管的工作原理是利用電荷的寄主控制電流流動，具有與電阻不同的工作方式,。

我們經?？碝OS管的PDF參數(shù)，MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來定義導通阻抗,，對開關應用來說,，RDS(ON)也是較重要的器件特性,。數(shù)據(jù)手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅動)電壓VGS以及流經開關的電流有關,，但對于充分的柵極驅動,，RDS(ON)是一個相對靜態(tài)參數(shù)。一直處于導通的MOS管很容易發(fā)熱,。另外,，慢慢升高的結溫也會導致RDS(ON)的增加。MOS管數(shù)據(jù)手冊規(guī)定了熱阻抗參數(shù),，其定義為MOS管封裝的半導體結散熱能力,。RθJC的較簡單的定義是結到管殼的熱阻抗。

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS,，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值,，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS,，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓,，由于柵極與P型半導體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過絕緣層耐壓均會擊穿,，故有兩個方向“±”,。注③：漏級較大電流ID與體二極管流過的反向漏級較大電流IDR（或稱為IS）一般規(guī)格書中數(shù)值一致，均為流過N型半導體與P型半導體襯底形成的PN結的較大電流,。注④：ID（pulse）需要看施加電流的脈沖寬度,，脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書數(shù)據(jù)。注⑤：雪崩電流IAP同樣需要關注脈沖寬度,。場效應管的優(yōu)勢之一是具有高輸入阻抗,，可以減少對輸入信號源的負載。

雙柵極場效應管在衛(wèi)星通信中的功能：衛(wèi)星通信面臨著復雜的電磁環(huán)境,，雙柵極場效應管肩負著重要的職責,。衛(wèi)星與地面站通信時，不僅要接收來自遙遠衛(wèi)星的微弱信號,，還要應對宇宙射線,、電離層干擾等諸多挑戰(zhàn)。雙柵極場效應管的雙柵極結構設計精妙,，一個柵極專門用于接收微弱的衛(wèi)星信號,，如同敏銳的耳朵，不放過任何一絲信息,；另一個柵極則根據(jù)干擾情況動態(tài)調整增益,，抑制干擾信號，增強有用信號強度,。在衛(wèi)星電視信號傳輸中,，雙柵極場效應管確保信號清晰，讓用戶能夠收看到高清,、流暢的電視節(jié)目,；在衛(wèi)星電話通話中,，保障通話質量，使遠在太空的宇航員與地面指揮中心能夠順暢溝通,。它為全球通信網(wǎng)絡的穩(wěn)定運行提供了有力支撐,，讓信息能夠跨越浩瀚的宇宙，實現(xiàn)無縫傳遞,。JFET在低頻放大和高阻抗放大中比較常用,，其工作原理比較簡單,。嘉興場效應管行價

場效應管具有放大作用,，能將較小的輸入信號放大成較大的輸出信號，普遍應用于音頻放大器,、射頻放大器等,。嘉興場效應管行價

場效應管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經溝道的ID,， 用柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓進行控制”,。更正確地說，ID流經通路的寬度,，即溝道截面積,，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故,。在VGS=0的非飽和區(qū)域,，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場,，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型,，ID飽和,。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋,，并不是電流被切斷,。嘉興場效應管行價