場效應(yīng)管與雙極型晶體管比,，它的體積小,，重量輕,，壽命長等優(yōu)點,，而且輸入回路的內(nèi)阻特別高,，噪聲低、熱穩(wěn)定性好（因為幾乎只利用多子導(dǎo)電）,、防輻射能力強以及省電等優(yōu)點,，幾乎場效應(yīng)管占據(jù)的絕大部分市場。有利就有弊,，而場效應(yīng)管的放大倍數(shù)要小于雙極型晶體管的放大倍數(shù)（原因后續(xù)詳解）,。根據(jù)制作主要工藝主要分為結(jié)型場效應(yīng)管(Junction Field Effect Transistor，JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS管),，下面來具體來看這兩種管子,。場效應(yīng)管(FET)基礎(chǔ)知識：名稱，場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor 縮寫(FET)）,，簡稱場效應(yīng)管,。結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET-JFET)，金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管 （metal-oxide semiconductor FET,，簡稱MOS-FET）,，由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管,，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。與之對應(yīng)的是由兩種載流子參與導(dǎo)電的雙極型晶體管，三極管(BJT),，屬于電流控制型半導(dǎo)體器件,。場效應(yīng)管具有體積小、重量輕的優(yōu)點,，便于在緊湊的電子設(shè)備中使用,。嘉興場效應(yīng)管定制價格

場效應(yīng)管的用途：一、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器。二,、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。三,、場效應(yīng)管可以用作可變電阻,。四、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源,。五,、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。場效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍,，了解基礎(chǔ)知識之后我們接下來就可以運用它做一些電子開發(fā)了,。場效應(yīng)管是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。場效應(yīng)管又是單極型晶體管,，即導(dǎo)電過程中幾乎只有一種載流子運動,，類似金屬導(dǎo)電。嘉興場效應(yīng)管定制價格選擇場效應(yīng)管時,，應(yīng)考慮其耐壓,、耐流等參數(shù)，以確保其在工作環(huán)境中能夠穩(wěn)定可靠地運行,。

SOA失效（電流失效）再簡單說下第二點,，SOA失效，SOA失效是指電源在運行時異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上面,，造成瞬時局部發(fā)熱而導(dǎo)致的破壞模式,。或者是芯片與散熱器及封裝不能及時達到熱平衡導(dǎo)致熱積累,，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過氧化層限制而導(dǎo)致的熱擊穿模式,。關(guān)于SOA各個線的參數(shù)限定值可以參考下面圖片。1：受限于較大額定電流及脈沖電流2：受限于較大節(jié)溫下的RDSON,。3：受限于器件較大的耗散功率,。4：受限于較大單個脈沖電流。5：擊穿電壓BVDSS限制區(qū),。我們電源上的MOSFET,，只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內(nèi)，就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導(dǎo)致的電源失效問題的產(chǎn)生,。這個是一個非典型的SOA導(dǎo)致失效的一個解刨圖,，由于去過鋁,，可能看起來不那么直接，參考下,。

計算導(dǎo)通損耗,。MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化,，因此功率耗損也會隨之按比例變化,。對便攜 式設(shè)計來說，采用較低的電壓比較容易(較為普遍),，而對于工業(yè)設(shè)計,，可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升,。關(guān)于RDS(ON)電 阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到,。計算系統(tǒng)的散熱要求。設(shè)計人員必須考慮兩種不同的情況,，即較壞情況和真實情況,。建議采用針對較壞情況的計算結(jié)果，因為這個結(jié)果提供更大的安全余量,，能 確保系統(tǒng)不會失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數(shù)據(jù),；比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻,，以及較大的結(jié)溫。開關(guān)損耗其實也是一個很重要的指標,。從下圖可以看到,，導(dǎo)通瞬間的電壓電流乘積相當大。一定程度上決定了器件的開關(guān)性能,。不過,，如果系統(tǒng)對開關(guān)性能要求比較高，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET,。使用場效應(yīng)管時,，需要注意柵極電壓的控制范圍，以避免損壞器件,。

如果GATE相對于BACKGATE反向偏置,，空穴被吸引到表面，channel形成了,，因此PMOS管的閾值電壓是負值,。由于NMOS管的閾值電壓是正的，PMOS的閾值電壓是負的,，所以工程師們通常會去掉閾值電壓前面的符號,，一個工程師可能說,，"PMOS Vt從0.6V上升到0.7V"， 實際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V,。場效應(yīng)管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流,。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小,。較普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體,。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）,。因為MOS管更小更省電,，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。使用場效應(yīng)管時需要注意靜電放電問題,，避免對器件造成損壞,。銅陵場效應(yīng)管現(xiàn)貨直發(fā)

MOSFET通過柵極與源極電壓調(diào)節(jié)，是現(xiàn)代電子器件中常見的元件,。嘉興場效應(yīng)管定制價格

MOS管發(fā)熱情況有：1.電路設(shè)計的問題,，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài),。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因,。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V,，才能完全導(dǎo)通,，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,，等效直流阻抗比較大,，壓降增大，所以U*I也增大,，損耗就意味著發(fā)熱,。這是設(shè)計電路的較忌諱的錯誤。2.頻率太高,，主要是有時過分追求體積,，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大了,，所以發(fā)熱也加大了,。3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計，電流太高,，MOS管標稱的電流值,，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于較大電流,，也可能發(fā)熱嚴重,，需要足夠的輔助散熱片,。4.MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤,，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮,，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。嘉興場效應(yīng)管定制價格