場效應(yīng)管主要參數(shù)：1,、漏源擊穿電壓。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí),，場效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓,。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS,。2,、較大耗散功率。較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù),，是指場效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的較大漏源耗散功率,。運(yùn)用時(shí)場效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量。3,、較大漏源電流,。較大漏源電流IDSM是另一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場效應(yīng)管正常工作時(shí),，漏源間所允許經(jīng)過的較大電流,。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM。場效應(yīng)管具有高頻響應(yīng)特性,，適用于高頻,、高速電路，如雷達(dá),、衛(wèi)星通信等,。紹興場效應(yīng)管供應(yīng)

結(jié)型場管腳識(shí)別，場效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極,，源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極,。將萬用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測量每兩個(gè)管腳間的正,、反向電阻,。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等,，均為數(shù)KΩ時(shí),，則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個(gè)管腳即為柵極G,。對(duì)于有4個(gè)管腳的結(jié)型場效應(yīng)管,，另外一極是屏蔽極（使用中接地）,。判定柵極，用萬用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極,，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極,。若兩次測出的阻值都很大，說明均是反向電阻,，該管屬于N溝道場效應(yīng)管,，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的,，可以互換使用,，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分,。源極與漏極間的電阻約為幾千歐,。注意不能用此法判定絕緣柵型場效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高,，柵源間的極間電容又很小,，測量時(shí)只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓,，容易將管子損壞,。紹興場效應(yīng)管供應(yīng)場效應(yīng)管在功率電子領(lǐng)域有普遍應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動(dòng),、電源管理等,。

對(duì)于開關(guān)頻率小于100kHz的信號(hào)一般取（400～500）kHz載波頻率較好,，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K,、7K等高頻環(huán)形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好,。這種驅(qū)動(dòng)電路只適合于信號(hào)頻率小于100kHz的場合,，因信號(hào)頻率相對(duì)載波頻率太高的話，相對(duì)延時(shí)太多,，且所需驅(qū)動(dòng)功率增大，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高,，故100kHz以上開關(guān)頻率只對(duì)較小極電容的MOSFET才可以,。對(duì)于1kVA左右開關(guān)頻率小于100kHz的場合，它是一種良好的驅(qū)動(dòng)電路,。該電路具有以下特點(diǎn)：單電源工作,，控制信號(hào)與驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)隔離，結(jié)構(gòu)簡單尺寸較小,，尤其適用于占空比變化不確定或信號(hào)頻率也變化的場合,。

MOS管的工作原理,，在開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路，如圖2漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載,，叫開路漏極,，開路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流,。是理想的模擬開關(guān)器件,。這就是MOS管做開關(guān)器件的原理。當(dāng)然MOS管做開關(guān)使用的電路形式比較多了,。NMOS管的開路漏極電路,，在開關(guān)電源應(yīng)用方面，這種應(yīng)用需要MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷,。比如,，DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個(gè)MOS管來執(zhí)行開關(guān)功能，這些開關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量,，然后把能量釋放給負(fù)載,。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率，因?yàn)轭l率越高,，磁性元件可以更小更輕,。在正常工作期間，MOS管只相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體,。因此,，我們電路或者電源設(shè)計(jì)人員較關(guān)心的是MOS的較小傳導(dǎo)損耗。場效應(yīng)管的功耗較低,，可以節(jié)省能源,。

MOS管發(fā)熱情況有：1.電路設(shè)計(jì)的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),，而不是在開關(guān)狀態(tài),。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開關(guān),，G級(jí)電壓要比電源高幾V,，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反,。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,，等效直流阻抗比較大，壓降增大,，所以U*I也增大,，損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的較忌諱的錯(cuò)誤,。2.頻率太高,，主要是有時(shí)過分追求體積,，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大了,，所以發(fā)熱也加大了,。3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)，電流太高,，MOS管標(biāo)稱的電流值,，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于較大電流,，也可能發(fā)熱嚴(yán)重,，需要足夠的輔助散熱片。4.MOS管的選型有誤,，對(duì)功率判斷有誤,，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大,。MOSFET有三個(gè)電極：柵極,、漏極和源極。紹興場效應(yīng)管供應(yīng)

場效應(yīng)管的使用方法包括選擇合適的工作點(diǎn)和電源電壓,，以及連接正確的外部電路,。紹興場效應(yīng)管供應(yīng)

MOSFET選型注意事項(xiàng)：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,，MOSFET可被看成電氣開關(guān),。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開關(guān)導(dǎo) 通,。導(dǎo)通時(shí),，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻,，稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON),。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此,，總 是要在柵極加上一個(gè)電壓,。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作,，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉,，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時(shí),，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過器件,。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉,，但仍然有微小電流存在,，這稱之為漏電流，即IDSS,。紹興場效應(yīng)管供應(yīng)