遼寧低溫光刻膠感光膠

來源：發(fā)布時間：2025-05-15

作為深耕半導(dǎo)體材料領(lǐng)域二十余年的綜合性企業(yè),，廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司始終將技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)品質(zhì)量視為重要發(fā)展動力,。公司位于東莞松山湖產(chǎn)業(yè)集群,，依托區(qū)域產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢,，持續(xù)為全球客戶提供多元化的半導(dǎo)體材料解決方案,。

公司產(chǎn)品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠,、LCD 光刻膠,、半導(dǎo)體錫膏、焊片及靶材等,，原材料均嚴格選用美國,、德國,、日本等國的質(zhì)量進口材料。通過全自動化生產(chǎn)設(shè)備與精細化工藝控制,，確保每批次產(chǎn)品的穩(wěn)定性與一致性,。例如，納米壓印光刻膠采用特殊配方,，可耐受 250℃高溫及復(fù)雜化學環(huán)境,，適用于高精度納米結(jié)構(gòu)制造；LCD 光刻膠以高分辨率和穩(wěn)定性,，成為顯示面板行業(yè)的推薦材料,。

感光膠的工藝和應(yīng)用。遼寧低溫光刻膠感光膠

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,，主要涵蓋厚板,、負性、正性,、納米壓印及光刻膠等類別,，以滿足不同領(lǐng)域的需求。

厚板光刻膠：JT-3001 型號,，具有優(yōu)異的分辨率和感光度,，抗深蝕刻性能良好，符合歐盟 ROHS 標準,，保質(zhì)期 1 年,。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝，如特定電路板制造,。

負性光刻膠

SU-3 負性光刻膠：分辨率優(yōu)異,，對比度良好，曝光靈敏度高,，光源適應(yīng)，重量 100g,。常用于對曝光精度和光源適應(yīng)性要求較高的微納加工,、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。
負性光刻膠 JT-1000：有 1L 和 100g 兩種規(guī)格,，具有優(yōu)異的分辨率,、良好的對比度和高曝光靈敏度，光源適應(yīng),。主要應(yīng)用于對光刻精度要求高的領(lǐng)域,，如半導(dǎo)體器件制造。
耐腐蝕負性光刻膠 JT-NF100：重量 1L,，具備耐腐蝕特性,。適用于有腐蝕風險的光刻工藝，如特殊環(huán)境下的半導(dǎo)體加工或電路板制造。

蘇州PCB光刻膠廠家吉田半導(dǎo)體強化研發(fā),，布局下一代光刻技術(shù),。

工藝流程

? 目的：去除基板表面油污、顆粒,，增強感光膠附著力,。

? 方法：

? 化學清洗（硫酸/雙氧水、去離子水）,；

? 表面處理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化,，PCB基板用粗化處理）。

涂布（Coating）

? 方式：

? 旋涂：半導(dǎo)體/顯示領(lǐng)域,，厚度控制精確（納米至微米級）,，轉(zhuǎn)速500-5000rpm；

? 噴涂/輥涂：PCB/MEMS領(lǐng)域,，適合大面積或厚膠（微米至百微米級,，如負性膠可達100μm）。

? 關(guān)鍵參數(shù)：膠液黏度,、涂布速度,、基板溫度（影響厚度均勻性）。

前烘（Soft Bake）

? 目的：揮發(fā)溶劑,，固化膠膜,，增強附著力和穩(wěn)定性。

? 條件：

? 溫度：60-120℃（正性膠通常更低,，如90℃,；負性膠可至100℃以上）；

? 時間：5-30分鐘（根據(jù)膠厚調(diào)整,，厚膠需更長時間）,。

曝光（Exposure）

? 光源：

? 紫外光（UV）：G線（436nm）、I線（365nm）用于傳統(tǒng)光刻（分辨率≥1μm）,；

? 深紫外（DUV）：248nm（KrF）,、193nm（ArF）用于半導(dǎo)體先進制程（分辨率至20nm）；

? 極紫外（EUV）：13.5nm,，用于7nm以下制程（只能正性膠適用）,。

? 曝光方式：

? 接觸式/接近式：掩膜版與膠膜直接接觸（PCB、MEMS,，低成本但精度低）,；

? 投影式：通過物鏡聚焦（半導(dǎo)體，分辨率高,，如ArF光刻機精度達22nm）,。

光刻膠（Photoresist）是一種對光敏感的高分子材料,，主要用于光刻工藝中，通過光化學反應(yīng)實現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移,，是半導(dǎo)體,、集成電路（IC）、印刷電路板（PCB）,、液晶顯示（LCD）等制造領(lǐng)域的材料之一,。

光刻膠特性與組成

? 光敏性：在特定波長（如紫外光、極紫外光EUV等）照射下,，會發(fā)生化學結(jié)構(gòu)變化（如交聯(lián)或分解）,，從而改變在顯影液中的溶解性。

? 主要成分：

? 樹脂（成膜劑）：形成基礎(chǔ)膜層,，決定光刻膠的機械和化學性能,。

? 光敏劑：吸收光能并引發(fā)化學反應(yīng)（如光分解、光交聯(lián)）,。

? 溶劑：調(diào)節(jié)粘度,，便于涂覆成膜。

? 添加劑：改善性能（如感光度,、分辨率,、對比度等）。

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LCD顯示

? 彩色濾光片（CF）：

? 黑色矩陣（BM）光刻膠：隔離像素,，線寬精度±2μm,，透光率<0.1%。

? RGB色阻光刻膠：形成紅/綠/藍像素,，需高色純度（NTSC≥95%）和耐光性,。

? 陣列基板（Array）：

? 柵極絕緣層光刻膠：用于TFT-LCD的柵極圖案化，分辨率≤3μm,。

OLED顯示（柔性/剛性）

? 像素定義層（PDL）光刻膠：在基板上形成有機發(fā)光材料的 confinement 結(jié)構(gòu),，線寬精度±1μm，需耐溶劑侵蝕（適應(yīng)蒸鍍工藝）,。

? 觸控電極（如ITO/PET）：通過光刻膠圖形化實現(xiàn)透明導(dǎo)電線路，線寬≤5μm,。

Mini/Micro LED

? 巨量轉(zhuǎn)移前的芯片制備：使用高分辨率光刻膠（分辨率≤5μm）定義微米級LED陣列,，良率要求>99.99%。

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技術(shù)挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢

更高分辨率需求：

? EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度（LER）”問題（目標＜5nm）,，通過納米顆粒分散技術(shù)或新型聚合物設(shè)計改善。

缺陷控制：

? 半導(dǎo)體級正性膠要求金屬離子含量＜1ppb,，顆粒（＞50nm）＜1個/mL,，需優(yōu)化提純工藝（如多級過濾+真空蒸餾）。

國產(chǎn)化突破：

? 國內(nèi)企業(yè)（如上海新陽,、南大光電,、容大感光）已在KrF/ArF膠實現(xiàn)批量供貨，但EUV膠仍被日本JSR,、美國陶氏,、德國默克壟斷，需突破樹脂合成,、PAG純度等瓶頸,。

環(huán)保與節(jié)能：

? 開發(fā)水基顯影正性膠（減少有機溶劑使用），或低烘烤溫度膠（降低半導(dǎo)體制造能耗）,。

典型產(chǎn)品示例

? 傳統(tǒng)正性膠：Shipley S1813（G/I線,，用于PCB）、Tokyo Ohka TSM-305（LCD黑矩陣）,。

? DUV正性膠：信越化學的ArF膠（用于14nm FinFET制程）,、中芯國際認證的國產(chǎn)KrF膠（28nm節(jié)點）。

? EUV正性膠：JSR的NeXAR系列（7nm以下,，全球市占率超70%）,。

正性光刻膠是推動半導(dǎo)體微縮的主要材料，其技術(shù)進步直接關(guān)聯(lián)芯片制程的突破,，未來將持續(xù)向更高精度,、更低缺陷、更綠色工藝演進,。

遼寧低溫光刻膠感光膠

標簽：光刻膠錫膏錫片

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