四川阻焊油墨光刻膠國產(chǎn)廠家

來源：發(fā)布時間：2025-06-04

厚板光刻膠

電路板制造：在制作對線路精度和抗蝕刻性能要求高的電路板時，厚板光刻膠可確保線路的精細度和穩(wěn)定性,，比如汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域的電路板,，能承受復雜環(huán)境和大電流,、高電壓等工況。
功率器件制造：像絕緣柵雙極晶體管（IGBT）這類功率器件,，需要承受高電壓和大電流,，厚板光刻膠可用于其芯片制造過程中的光刻環(huán)節(jié)，保障芯片內(nèi)部電路的精細布局,，提高器件的性能和可靠性,。

負性光刻膠

半導體制造：在芯片制造過程中，用于制作一些對精度要求高,、圖形面積較大的結(jié)構(gòu),，如芯片的金屬互連層、接觸孔等,。通過負性光刻膠的曝光和顯影工藝,，能實現(xiàn)精確的圖形轉(zhuǎn)移，確保芯片各部分之間的電氣連接正常,。
平板顯示制造：在液晶顯示器（LCD）和有機發(fā)光二極管顯示器（OLED）的制造中,，用于制作電極、像素等大面積圖案,。以 LCD 為例,，負性光刻膠可幫助形成液晶層與玻璃基板之間的電極圖案，控制液晶分子的排列,，從而實現(xiàn)圖像顯示,。

吉田半導體助力區(qū)域經(jīng)濟發(fā)展，推動產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新,。四川阻焊油墨光刻膠國產(chǎn)廠家

關(guān)鍵應用領(lǐng)域

半導體制造：

? 在晶圓表面涂覆光刻膠,，通過掩膜曝光、顯影,，刻蝕出晶體管,、電路等納米級結(jié)構(gòu)（如EUV光刻膠用于7nm以下制程）。

印刷電路板（PCB）：

? 保護電路圖形或作為蝕刻抗蝕層,，制作線路和焊盤,。

顯示面板（LCD/OLED）：

? 用于制備彩色濾光片、電極圖案等,。

微機電系統(tǒng)（MEMS）：

? 加工微結(jié)構(gòu)（如傳感器,、執(zhí)行器）,。

工作原理（以正性膠為例）

1. 涂膠：在基材（如硅片）表面均勻旋涂光刻膠,，烘干形成薄膜。

2. 曝光：通過掩膜版,，用特定波長光線照射,，曝光區(qū)域的光敏劑分解,，使樹脂變得易溶于顯影液。

3. 顯影：用顯影液溶解曝光區(qū)域,，留下未曝光的光刻膠圖案,，作為后續(xù)刻蝕或離子注入的掩蔽層。

4. 后續(xù)工藝：刻蝕基材（保留未被光刻膠保護的區(qū)域）,，或去除光刻膠（剝離工藝）,。

無錫阻焊光刻膠工廠吉田半導體光刻膠，45nm 制程驗證,，國產(chǎn)替代方案,！

廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，主要涵蓋厚板,、負性,、正性、納米壓印及光刻膠等類別,，以滿足不同領(lǐng)域的需求,。

厚板光刻膠：JT-3001 型號，具有優(yōu)異的分辨率和感光度,，抗深蝕刻性能良好,，符合歐盟 ROHS 標準，保質(zhì)期 1 年,。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝,，如特定電路板制造。

負性光刻膠

SU-3 負性光刻膠：分辨率優(yōu)異,，對比度良好,，曝光靈敏度高，光源適應,，重量 100g,。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領(lǐng)域,。
負性光刻膠 JT-1000：有 1L 和 100g 兩種規(guī)格,，具有優(yōu)異的分辨率、良好的對比度和高曝光靈敏度,，光源適應,。主要應用于對光刻精度要求高的領(lǐng)域，如半導體器件制造,。
耐腐蝕負性光刻膠 JT-NF100：重量 1L,，具備耐腐蝕特性。適用于有腐蝕風險的光刻工藝，如特殊環(huán)境下的半導體加工或電路板制造,。

主要優(yōu)勢：細分領(lǐng)域技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同

技術(shù)積累與自主化能力

公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗,，實現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化,。例如,，其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系，分辨率達3μm,，適用于MEMS傳感器,、光學器件等領(lǐng)域，填補了國內(nèi)空白,。

技術(shù)壁壘：掌握光刻膠主要原材料（如樹脂,、光酸）的合成技術(shù)，部分原材料純度達PPT級,，金屬離子含量低于0.1ppb,，良率超99%。

產(chǎn)品多元化與技術(shù)化布局

產(chǎn)品線覆蓋芯片光刻膠,、納米壓印光刻膠,、LCD光刻膠、半導體錫膏等,，形成“光刻膠+配套材料”的完整體系,。例如：

? LCD光刻膠：適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術(shù),，與京東方,、TCL華星合作開發(fā)高分辨率產(chǎn)品，良率提升至98%,。

? 半導體錫膏：供應華為,、OPPO等企業(yè)，年采購量超200噸,，用于5G手機主板封裝,。

技術(shù)化延伸：計劃2025年啟動半導體用KrF光刻膠研發(fā)，目標進入中芯國際,、長江存儲供應鏈,。

質(zhì)量控制與生產(chǎn)能力

通過ISO9001:2008質(zhì)量體系認證，生產(chǎn)環(huán)境執(zhí)行8S管理,，原材料采用美,、德、日進口高質(zhì)量材料,。擁有全自動化生產(chǎn)線,，年產(chǎn)能達2000噸（光刻膠及配套材料），支持大規(guī)模訂單交付。

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吉田半導體突破 ArF 光刻膠技術(shù)壁壘，國產(chǎn)替代再迎新進展

自主研發(fā) ArF 光刻膠通過中芯國際驗證,，吉田半導體填補國內(nèi)光刻膠空白,。
吉田半導體成功研發(fā)出 AT-450 ArF 光刻膠，分辨率達 90nm,，適用于 14nm 及以上制程,，已通過中芯國際量產(chǎn)驗證。該產(chǎn)品采用國產(chǎn)原材料與自主配方,，突破日本企業(yè)對 ArF 光刻膠的壟斷,。其光酸產(chǎn)率提升 30%，蝕刻選擇比達 4:1,，性能對標日本信越的 ArF 系列,。吉田半導體的技術(shù)突破加速了國產(chǎn)芯片制造材料自主化進程，為國內(nèi)晶圓廠提供高性價比解決方案,。

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半導體集成電路

? 應用場景：

? 晶圓制造：正性膠為主（如ArF/EUV膠），實現(xiàn)20nm以下線寬,，用于晶體管柵極,、接觸孔等精細結(jié)構(gòu)；

? 封裝工藝：負性膠用于凸點（Bump）制造,，厚膠（5-50μm）耐電鍍?nèi)芤焊g,。

? 關(guān)鍵要求：高分辨率、低缺陷率,、耐極端工藝（如150℃以上高溫,、等離子體轟擊）。

印刷電路板（PCB）

? 應用場景：

? 線路成像：負性膠（如環(huán)化橡膠膠）用于雙面板/多層板外層線路,，線寬≥50μm,，耐堿性蝕刻液（如氯化銅）；

? 阻焊層：厚負性膠（50-100μm）覆蓋非焊盤區(qū)域,，耐260℃焊接溫度和助焊劑腐蝕,；

? 撓性PCB（FPC）：正性膠用于精細線路（線寬≤20μm），需耐彎曲應力,。

? 優(yōu)勢：工藝簡單,、成本低，適合大面積基板（如1.2m×1.0m的PCB基板）。

平板顯示

? 應用場景：

? 彩色濾光片：正性膠制作黑矩陣（BM）和RGB色阻間隔層,，耐UV固化和濕法蝕刻（如HF溶液）,；

? OLED像素定義：負性膠形成像素開口（孔徑5-50μm），耐有機溶劑（如OLED蒸鍍前的清洗液）,；

? 觸控面板：正性膠制作透明電極（如ITO線路）,，線寬≤10μm，需透光率＞90%,。

? 關(guān)鍵參數(shù)：高透光性,、低收縮率（避免圖案變形）。

四川阻焊油墨光刻膠國產(chǎn)廠家

標簽：錫膏光刻膠錫片

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