2010年,中國科學(xué)院微電子研究所成功研制國內(nèi)***可產(chǎn)業(yè)化IGBT芯片,由中國科學(xué)院微電子研究所設(shè)計(jì)研發(fā)的15-43A /1200V IGBT系列產(chǎn)品(采用Planar NPT器件結(jié)構(gòu))在華潤微電子工藝平臺上流片成功,,各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求,,部分性能優(yōu)于國外同類產(chǎn)品,。這是我國國內(nèi)***自主研制可產(chǎn)業(yè)化的IGBT(絕緣柵雙極晶體管)產(chǎn)品,標(biāo)志著我國全國產(chǎn)化IGBT芯片產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程取得了重大突破,,擁有了***條專業(yè)的完整通過客戶產(chǎn)品設(shè)計(jì)驗(yàn)證的IGBT工藝線,。該科研成果主要面向家用電器應(yīng)用領(lǐng)域,,聯(lián)合江蘇矽萊克電子科技有限公司進(jìn)行市場推廣,,目前正由國內(nèi)***的家電企業(yè)用戶試用,,微電子所和華潤微電子將聯(lián)合進(jìn)一步推動國產(chǎn)自主IGBT產(chǎn)品的大批量生產(chǎn),。 [2]通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號,以減少寄生電感,。昆山好的IGBT模塊量大從優(yōu)
導(dǎo)通IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET 的結(jié)構(gòu)十分相似,,主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個(gè)N+ 緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術(shù)沒有增加這個(gè)部分),,其中一個(gè)MOSFET驅(qū)動兩個(gè)雙極器件?;膽?yīng)用在管體的P+和N+ 區(qū)之間創(chuàng)建了一個(gè)J1結(jié),。當(dāng)正柵偏壓使柵極下面反演P基區(qū)時(shí),一個(gè)N溝道形成,,同時(shí)出現(xiàn)一個(gè)電子流,并完全按照功率MOSFET的方式產(chǎn)生一股電流,。如果這個(gè)電子流產(chǎn)生的電壓在0.7V范圍內(nèi),,那么,J1將處于正向偏壓,,一些空穴注入N-區(qū)內(nèi),并調(diào)整陰陽極之間的電阻率,,這種方式降低了功率導(dǎo)通的總損耗,,并啟動了第二個(gè)電荷流,。***的結(jié)果是,在半導(dǎo)體層次內(nèi)臨時(shí)出現(xiàn)兩種不同的電流拓?fù)洌阂粋€(gè)電子流(MOSFET 電流);空穴電流(雙極),。 [4]uGE大于開啟電壓UGE(th)時(shí),MOSFET內(nèi)形成溝道,,為晶體管提供基極電流,,IGBT導(dǎo)通,。 [2]吳中區(qū)智能IGBT模塊推薦廠家保管時(shí),,須注意不要在IGBT模塊上堆放重物;
IGBT是強(qiáng)電流,、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。MOSFET由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn),。雖然***一代功率MOSFET器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,,但是在高電平時(shí),,功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 高出很多。IGBT較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力,,以及IGBT的結(jié)構(gòu),,與同一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙極器件相比,可支持更高電流密度,,并簡化 IGBT驅(qū)動器的原理圖,。 [1]
圖1(a)所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+ 區(qū)稱為源區(qū),,附于其上的電極稱為源極。N基 區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū),,附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。在漏,、源之間的P 型區(qū)(包括P+ 和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)( Subchannel region ),。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)( Drain injector ),,它是IGBT 特有的功能區(qū),,與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管,起發(fā)射極的作用,,向漏極注入空穴,,進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,以降低器件的通態(tài)電壓,。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極,。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇,當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱,,而發(fā)生故障,。
將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的漏極(D),,紅表筆接IGBT 的源極(S),,此時(shí)萬用表的指針指在無窮處。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和漏極(D),,這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,,萬用表的指針擺向阻值 較小的方向,并能站住指示在某一位置,。然后再用手指同時(shí)觸及一下源極(S)和柵極(G),,這時(shí)IGBT 被阻 斷,萬用表的指針回到無窮處,。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的,。 注意:若進(jìn)第二次測量時(shí),,應(yīng)短接一下源極(S)和柵極(G)。 任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT,。注意判斷IGBT 好壞時(shí),,一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋,因R×1K Ω擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低,,檢測好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通,,而無法判斷IGBT 的好壞。在那個(gè)時(shí)候,,硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT(非穿通)型設(shè)計(jì),。常熟本地IGBT模塊聯(lián)系方式
80年代初期,用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體)工藝被采用到IGBT中來,。昆山好的IGBT模塊量大從優(yōu)
在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極比較大額定電壓,,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓,。為此,,通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號,以減少寄生電感,。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓,。此外,在柵極—發(fā)射極間開路時(shí),,若在集電極與發(fā)射極間加上電壓,,則隨著集電極電位的變化,由于集電極有漏電流流過,,柵極電位升高,,集電極則有電流流過,。這時(shí),,如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞,。昆山好的IGBT模塊量大從優(yōu)
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