表1 IGBT門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動(dòng)電路的變化而變化，因而驅(qū)動(dòng)電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作,。為使IGBT能可靠工作,。IGBT對(duì)其驅(qū)動(dòng)電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍?。并且在IGBT導(dǎo)通后,。柵極驅(qū)動(dòng)電路提供給IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓和電流要有足夠的幅度，使IGBT的功率輸出級(jí)總處于飽和狀態(tài),。瞬時(shí)過載時(shí),，柵極驅(qū)動(dòng)電路提供的驅(qū)動(dòng)功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān),，在漏源電流一定的情況下,，VGE越高，VDS值就越低,，器件的導(dǎo)通損耗就越小,，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力,。但是， VGE并非越高越好,，一般不允許超過20 V,，原因是一旦發(fā)生過流或短路，柵壓越高,，則電流幅值越高,，IGBT損壞的可能性就越大。通常,，綜合考慮取+15 V為宜,。任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT,。工業(yè)園區(qū)本地IGBT模塊量大從優(yōu)

2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓,。在IGBT關(guān)斷期間，由于電路中其他部分的工作,，會(huì)在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號(hào),，這些信號(hào)輕則會(huì)使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài)，增加管子的功耗,。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài),。因此，比較好給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5～15 V),，使IGBT在柵極出現(xiàn)開關(guān)噪聲時(shí)仍能可靠截止,。3)具有柵極電壓限幅電路，保護(hù)柵極不被擊穿,。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V,，驅(qū)動(dòng)信號(hào)超出此范圍就可能破壞柵極。工業(yè)園區(qū)本地IGBT模塊廠家現(xiàn)貨一是防止NPN部分接通,，分別改變布局和摻雜級(jí)別,。二是降低NPN和PNP晶體管的總電流增益。

IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng),，各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù),，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM,、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM,。PIM向高壓大電流發(fā)展,，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調(diào)速外,，600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車VVVF逆變器,。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB,，用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB,，**降低電路接線電感,，提高系統(tǒng)效率，現(xiàn)已開發(fā)成功第二代IPEM,，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中,。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點(diǎn),。

IGBT是先進(jìn)的第三代功率模塊,，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中,。例電動(dòng)汽車,、伺服控制器、UPS,、開關(guān)電源,、斬波電源、無軌電車等,。問世迄今有十年多歷史,，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR,、GTO,、GTR、MOSFET,、雙極型達(dá)林頓管等如今功率可高達(dá)1MW的低頻應(yīng)用中,，單個(gè)元件電壓可達(dá)4.0KV（pt結(jié)構(gòu)）一6.5KV（npt結(jié)構(gòu)），電流可達(dá)1.5KA,是較為理想的功率模塊,。 [1]a,柵極與任何導(dǎo)電區(qū)要絕緣,，以免產(chǎn)生靜電而擊穿，所以包裝時(shí)將g極和e極之間要有導(dǎo)電泡沫塑料,，將它短接,。裝配時(shí)切不可用手指直接接觸，直到g極管腳進(jìn)行長久性連接,。  將萬用表撥在R×10KΩ擋,，用黑表筆接IGBT 的漏極(D)，紅表筆接IGBT 的源極(S),，此時(shí)萬用表的指針指在無窮處,。

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,，具有出色的器件性能,。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器,、變頻家電等領(lǐng)域,。IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大,，驅(qū)動(dòng)功率小,，控制電路簡單，開關(guān)損耗小,，通斷速度快,，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn),。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件,，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體化。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低,，開關(guān)頻率高（可達(dá)20khz）,，這兩點(diǎn)非常顯著的特性,，**近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳,，相繼東芝、富士,、ir,摩托羅拉亦已在開發(fā)研制新品種,。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。工業(yè)園區(qū)本地IGBT模塊量大從優(yōu)

為了減少接觸熱阻,，在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂,。工業(yè)園區(qū)本地IGBT模塊量大從優(yōu)

2010年，中國科學(xué)院微電子研究所成功研制國內(nèi)***可產(chǎn)業(yè)化IGBT芯片,，由中國科學(xué)院微電子研究所設(shè)計(jì)研發(fā)的15-43A /1200V IGBT系列產(chǎn)品（采用Planar NPT器件結(jié)構(gòu)）在華潤微電子工藝平臺(tái)上流片成功,，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，部分性能優(yōu)于國外同類產(chǎn)品,。這是我國國內(nèi)***自主研制可產(chǎn)業(yè)化的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）產(chǎn)品,，標(biāo)志著我國全國產(chǎn)化IGBT芯片產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程取得了重大突破，擁有了***條專業(yè)的完整通過客戶產(chǎn)品設(shè)計(jì)驗(yàn)證的IGBT工藝線,。該科研成果主要面向家用電器應(yīng)用領(lǐng)域,，聯(lián)合江蘇矽萊克電子科技有限公司進(jìn)行市場推廣，目前正由國內(nèi)***的家電企業(yè)用戶試用,，微電子所和華潤微電子將聯(lián)合進(jìn)一步推動(dòng)國產(chǎn)自主IGBT產(chǎn)品的大批量生產(chǎn),。 [2]工業(yè)園區(qū)本地IGBT模塊量大從優(yōu)

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