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吳中區(qū)使用IGBT模塊量大從優(yōu)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-06-06

IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān),。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí),,所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí),,開關(guān)損耗增大,使原件發(fā)熱加劇,,因此,,選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流,。特別是用作高頻開關(guān)時(shí),,由于開關(guān)損耗增大,發(fā)熱加劇,,選用時(shí)應(yīng)該降等使用,。IGBT Modules 在使用中的注意事項(xiàng)由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,。由于此氧化膜很薄,,其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一,。因此使用中要注意以下幾點(diǎn):在使用模塊時(shí),,盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,,再觸摸;在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),,在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊,;盡量在底板良好接地的情況下操作,。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的,。吳中區(qū)使用IGBT模塊量大從優(yōu)

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在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒有超過柵極比較大額定電壓,,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,,通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào),,以減少寄生電感,。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓,。此外,在柵極—發(fā)射極間開路時(shí),,若在集電極與發(fā)射極間加上電壓,,則隨著集電極電位的變化,由于集電極有漏電流流過,,柵極電位升高,,集電極則有電流流過。這時(shí),,如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,,則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。蘇州應(yīng)用IGBT模塊品牌GTR飽和壓降低,,載流密度大,,但驅(qū)動(dòng)電流較大;

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),,絕緣柵雙極型晶體管,,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。GTR飽和壓降低,載流密度大,,但驅(qū)動(dòng)電流較大,;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,,但導(dǎo)通壓降大,,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),,驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器,、開關(guān)電源,、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域,。

導(dǎo)通壓降電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使電阻RN減小,,使通態(tài)壓降小。關(guān)斷當(dāng)在柵極施加一個(gè)負(fù)偏壓或柵壓低于門限值時(shí),,溝道被禁止,,沒有空穴注入N-區(qū)內(nèi)。在任何情況下,,如果MOSFET電流在開關(guān)階段迅速下降,,集電極電流則逐漸降低,這是因?yàn)閾Q向開始后,在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子(少子),。這種殘余電流值(尾流)的降低,,完全取決于關(guān)斷時(shí)電荷的密度,而密度又與幾種因素有關(guān),,如摻雜質(zhì)的數(shù)量和拓?fù)?,層次厚度和溫度。少子的衰減使集電極電流具有特征尾流波形,,集電極電流引起以下問題:功耗升高,;交叉導(dǎo)通問題,特別是在使用續(xù)流二極管的設(shè)備上,,問題更加明顯,。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。

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2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓,。在IGBT關(guān)斷期間,,由于電路中其他部分的工作,會(huì)在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號(hào),,這些信號(hào)輕則會(huì)使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài),,增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài),。因此,,比較好給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5~15 V),使IGBT在柵極出現(xiàn)開關(guān)噪聲時(shí)仍能可靠截止,。3)具有柵極電壓限幅電路,,保護(hù)柵極不被擊穿。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V,,驅(qū)動(dòng)信號(hào)超出此范圍就可能破壞柵極,。開關(guān)損耗增大,使原件發(fā)熱加劇,,因此,,選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。張家港應(yīng)用IGBT模塊工廠直銷

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),,驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,。吳中區(qū)使用IGBT模塊量大從優(yōu)

大電流高電壓的IGBT已模塊化,它的驅(qū)動(dòng)電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外,,已制造出集成化的IGBT**驅(qū)動(dòng)電路,。其性能更好,整機(jī)的可靠性更高及體積更小,。選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表,。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí),,所產(chǎn)生的額定損耗亦變大,。同時(shí),開關(guān)損耗增大,,使原件發(fā)熱加劇,,因此,選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流,。特別是用作高頻開關(guān)時(shí),,由于開關(guān)損耗增大,發(fā)熱加劇,,選用時(shí)應(yīng)該降等使用,。吳中區(qū)使用IGBT模塊量大從優(yōu)

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