IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關,。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時,，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時,，開關損耗增大,，使原件發(fā)熱加劇，因此,，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流,。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大,，發(fā)熱加劇,，選用時應該降等使用。IGBT Modules 在使用中的注意事項由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離,。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V,。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一,。因此使用中要注意以下幾點：在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分,，當必須要觸摸模塊端子時,，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸,；在用導電材料連接模塊驅(qū)動端子時,，在配線未接好之前請先不要接上模塊；盡量在底板良好接地的情況下操作,。此時即可判斷IGBT 是好的,。吳中區(qū)使用IGBT模塊量大從優(yōu)

在應用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極比較大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓,。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號,，以減少寄生電感,。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓,。此外，在柵極—發(fā)射極間開路時,，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化,，由于集電極有漏電流流過,，柵極電位升高，集電極則有電流流過,。這時,，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞,。蘇州應用IGBT模塊品牌GTR飽和壓降低,，載流密度大，但驅(qū)動電流較大,；

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點,。GTR飽和壓降低，載流密度大,，但驅(qū)動電流較大,；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快,，但導通壓降大,，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,，驅(qū)動功率小而飽和壓降低,。IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器,、開關電源,、照明電路、牽引傳動等領域,。

導通壓降電導調(diào)制效應使電阻RN減小,，使通態(tài)壓降小。關斷當在柵極施加一個負偏壓或柵壓低于門限值時,，溝道被禁止,，沒有空穴注入N-區(qū)內(nèi)。在任何情況下,，如果MOSFET電流在開關階段迅速下降,，集電極電流則逐漸降低,，這是因為換向開始后，在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子（少子）,。這種殘余電流值（尾流）的降低,，完全取決于關斷時電荷的密度，而密度又與幾種因素有關,，如摻雜質(zhì)的數(shù)量和拓撲,，層次厚度和溫度。少子的衰減使集電極電流具有特征尾流波形,，集電極電流引起以下問題：功耗升高,；交叉導通問題，特別是在使用續(xù)流二極管的設備上,，問題更加明顯,。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。

2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓,。在IGBT關斷期間,，由于電路中其他部分的工作，會在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號,，這些信號輕則會使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài),，增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài),。因此,，比較好給處于截止狀態(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5～15 V)，使IGBT在柵極出現(xiàn)開關噪聲時仍能可靠截止,。3)具有柵極電壓限幅電路,，保護柵極不被擊穿。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V,，驅(qū)動信號超出此范圍就可能破壞柵極,。開關損耗增大，使原件發(fā)熱加劇,，因此,，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。張家港應用IGBT模塊工廠直銷

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大電流高電壓的IGBT已模塊化，它的驅(qū)動電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外,，已制造出集成化的IGBT**驅(qū)動電路,。其性能更好，整機的可靠性更高及體積更小。選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關,。其相互關系見下表,。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大,。同時,，開關損耗增大，使原件發(fā)熱加劇,，因此,，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時,，由于開關損耗增大，發(fā)熱加劇,，選用時應該降等使用,。吳中區(qū)使用IGBT模塊量大從優(yōu)

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