IGBT是強電流,、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。MOSFET由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,，而這個通道卻具有很高的電阻率,，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點,。雖然***一代功率MOSFET器件大幅度改進了RDS(on)特性,，但是在高電平時，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 高出很多,。IGBT較低的壓降,，轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu),，與同一個標準雙極器件相比,，可支持更高電流密度，并簡化 IGBT驅(qū)動器的原理圖,。 [1]MOSFET驅(qū)動功率很小,，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小,。太倉使用IGBT模塊銷售廠家

IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動，各種驅(qū)動保護電路,，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù),，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM,、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM,。PIM向高壓大電流發(fā)展,，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調(diào)速外,，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器,。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB,，用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB,，**降低電路接線電感,，提高系統(tǒng)效率，現(xiàn)已開發(fā)成功第二代IPEM,，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中,。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點,。高新區(qū)智能IGBT模塊聯(lián)系方式在那個時候,，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT(非穿通)型設(shè)計。

IGBT的應(yīng)用范圍一般都在耐壓600V以上,、電流10A以上,、頻率為1kHz以上的區(qū)域。多使用在工業(yè)用電機,、民用小容量電機,、變換器（逆變器）、照相機的頻閃觀測器,、感應(yīng)加熱（InductionHeating）電飯鍋等領(lǐng)域,。根據(jù)封裝的不同，IGBT大致分為兩種類型,，一種是模壓樹脂密封的三端單體封裝型,，從TO－3P到小型表面貼裝都已形成系列。另一種是把IGBT與FWD （FleeWheelDiode）成對地（2或6組）封裝起來的模塊型,，主要應(yīng)用在工業(yè)上,。模塊的類型根據(jù)用途的不同，分為多種形狀及封裝方式,，都已形成系列化,。

確定IGBT 的門極電荷對于設(shè)計一個驅(qū)動器來說，**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷),，如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊中能夠找到這個參數(shù),，那么我們就可以運用公式計算出：門極驅(qū)動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]門極驅(qū)動功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅(qū)動器總功率 P = PG + PS（驅(qū)動器的功耗）平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開關(guān)頻率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)峰值電流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min其中的 RG min = RG extern + RG intern裝IGBT模塊的容器，應(yīng)選用不帶靜電的容器,。

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用,，在實際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動器的作用對整個換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要,。驅(qū)動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統(tǒng)的可靠性,。驅(qū)動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導(dǎo)致 IGBT 和驅(qū)動器損壞。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動器輸出性能的計算方法以供選型時參考。圖2IGBT 的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻,。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖,，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容、CCE 是集電極-發(fā)射極電容,、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）,。1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間,。吳江區(qū)好的IGBT模塊哪里買

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IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流,，使IGBT 導(dǎo)通,。反之，加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流,，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后,，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子）,，對N 一層進行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻,，使IGBT 在高電壓時,，也具有低的通態(tài)電壓。IGBT驅(qū)動電路是驅(qū)動IGBT模塊以能讓其正常工作,，并同時對其進行保護的電路,。太倉使用IGBT模塊銷售廠家

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