·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中,，因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍,。 同時， 可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VD R M 和反向重復(fù)峰值電壓 V R R M 時的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM 和 IRRM,。 [1]·通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降,。為減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VT M 小的可控硅,。 [1]·維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流,，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高,， 則 IH 越小,。 [1]額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值,。昆山好的可控硅模塊現(xiàn)價

四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式由于在雙向可控硅的主電極上,，無論加以正向電壓或是反向電壓,，也不管觸發(fā)信號是正向還是反向,，它都能被觸發(fā)導(dǎo)通，因此它有以下四種觸發(fā)方式：(1)當(dāng)主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓,，控制極G對***電極Tl所加的也是正向觸發(fā)信號（圖5a）,。雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，電流I2l的方向從T2流向T1,。由特性曲線可知,，這時雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是按***象限的特性進(jìn)行的，又因為觸發(fā)信號是正向的,，所以把這種觸發(fā)叫做“***象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式,。 [常熟好的可控硅模塊現(xiàn)價可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值,。

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形?？煽毓柙慕Y(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何,，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),。見圖1。它有三個PN結(jié)（J1,、J2,、J3），從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A,，從N2層引出陰級K,，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件,。結(jié)構(gòu)原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,，共有三個PN結(jié)，分析原理時,，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,，其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件,，也稱作雙向晶閘管,。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流,，具有無火花,、動作快、壽命長,、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點,。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似,，也有三個電極,。

晶閘管特性單向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號為了能夠直觀地認(rèn)識晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板（圖3）,。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來,，通過開關(guān)S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極,，陰極K接電源的負(fù)極,，控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在1.5V直流電源的正極（這里使用的是KP1型晶閘管，若采用KP5型,，應(yīng)接在3V直流電源的正極）,。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接，也就是說,，給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓,。合上電源開關(guān)S，小燈泡不亮,，說明晶閘管沒有導(dǎo)通,；再按一下按鈕開關(guān)SB,，給控制極輸入一個觸發(fā)電壓，小燈泡亮了,，說明晶閘管導(dǎo)通了,。這個演示實驗給了我們什么啟發(fā)呢?它具有體積小、效率高,、壽命長等優(yōu)點,。

單向可控硅和雙向可控硅，都是三個電極,。單向可控硅有陰極（K）,、陽極（A）、控制極（G）,。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成,。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極,，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）,。?1,、單、雙向可控硅的判別：先任測兩個極,，若正,、反測指針均不動（R×1擋），可能是A,、K或G,、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2,、G極（對雙向可控硅）,。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐,，則必為單向可控硅,。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極,，剩下即為A極,。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐,，則必為雙向可控硅,。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測，其中必有一次阻值稍大,，則稍大的一次紅筆接的為G極,，黑筆所接為T1極,，余下是T2極。?控制極觸發(fā)電流（IGT）,，俗稱觸發(fā)電流,。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。吳中區(qū)使用可控硅模塊現(xiàn)價

可控硅的優(yōu)點很多,，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；昆山好的可控硅模塊現(xiàn)價

功率半導(dǎo)體模塊就是按一定功能,、模式的組合體,，功率半導(dǎo)體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導(dǎo)體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實現(xiàn)不同功能,，功率半導(dǎo)體模塊配用風(fēng)冷散熱可作風(fēng)冷模塊,，配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率mosfet,，常簡寫為功率mos),、絕緣柵雙極晶體管(igbt)以及功率集成電路(power ic，常簡寫為pic)為主,。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作,，而電路在高頻工作時能更節(jié)能、節(jié)材,，能大幅減少設(shè)備體積和重量,。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(tǒng)(power system on a chip，簡寫psoc),，它能把傳感器件與電路,、信號處理電路、接口電路,、功率器件和電路等集成在一個硅芯片上,，使其具有按照負(fù)載要求精密調(diào)節(jié)輸出和按照過熱、過壓,、過流等情況自我進(jìn)行保護(hù)的智能功能,。國際**把它的發(fā)展喻為第二次電子學(xué)**。昆山好的可控硅模塊現(xiàn)價

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