1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng),。額定電流：IA小于2A,。2：大；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路,。像可調(diào)壓輸出直流電源等等,。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等,?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪健⑵桨迨胶推降资饺N,，螺旋式的應(yīng)用較多,。可控硅有三個(gè)電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）,。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個(gè)PN結(jié)?？煽毓韬椭挥幸粋€(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。在應(yīng)用可控硅時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽極電流或電壓,。大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等,。常熟加工可控硅模塊聯(lián)系方式

功率半導(dǎo)體模塊就是按一定功能,、模式的組合體，功率半導(dǎo)體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體,。功率半導(dǎo)體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實(shí)現(xiàn)不同功能,，功率半導(dǎo)體模塊配用風(fēng)冷散熱可作風(fēng)冷模塊，配用水冷散熱可作水冷模塊等,。功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率mosfet,，常簡(jiǎn)寫為功率mos)、絕緣柵雙極晶體管(igbt)以及功率集成電路(power ic,，常簡(jiǎn)寫為pic)為主,。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作，而電路在高頻工作時(shí)能更節(jié)能,、節(jié)材,，能大幅減少設(shè)備體積和重量,。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(tǒng)(power system on a chip，簡(jiǎn)寫psoc),，它能把傳感器件與電路,、信號(hào)處理電路、接口電路,、功率器件和電路等集成在一個(gè)硅芯片上,，使其具有按照負(fù)載要求精密調(diào)節(jié)輸出和按照過熱、過壓,、過流等情況自我進(jìn)行保護(hù)的智能功能,。國(guó)際**把它的發(fā)展喻為第二次電子學(xué)**。工業(yè)園區(qū)新型可控硅模塊報(bào)價(jià)塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。

·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中,，因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍,。 同時(shí)， 可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VD R M 和反向重復(fù)峰值電壓 V R R M 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM 和 IRRM,。 [1]·通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降,。為減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VT M 小的可控硅,。 [1]·維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流,，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高,， 則 IH 越小,。 [1]

可控硅質(zhì)量好壞的判別可以從四個(gè)方面進(jìn)行。***是三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好,；第二是當(dāng)陰極和陽極間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷,，不導(dǎo)通；第三是當(dāng)控制極開路時(shí),，陽極和陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通,；第四是給控制極加上正向電流，給陰極和陽極加正向電壓時(shí),，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通，把控制極電流去掉,，仍處于導(dǎo)通狀態(tài),。用萬用表的歐姆擋測(cè)量可控硅的極間電阻，就可對(duì)**個(gè)方面的好壞進(jìn)行判斷,。具體方法是：用R×1k或R×10k擋測(cè)陰極和陽極之間的正反向電阻（控制極不接電壓）,，此兩個(gè)阻值均應(yīng)很大,。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小,。如果測(cè)得的阻值很低,，或近于無窮大，說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路,，此可控硅不能使用了,。控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大。

大家使用的是單向晶閘管,，也就是人們常說的普通晶閘管,，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié),，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2（P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A,，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K,。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2（以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,，因?yàn)樗奶匦灶愃朴谡婵臻l流管，所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管,，簡(jiǎn)稱晶閘管T,，又因?yàn)榫чl管**初的在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件,，簡(jiǎn)稱為可控硅SCR,。可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱SCR,，是一種大功率電器元件,，也稱晶閘管。相城區(qū)新型可控硅模塊現(xiàn)價(jià)

小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng),。額定電流：IA小于2A,。常熟加工可控硅模塊聯(lián)系方式

主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS,，NEC,，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI,，LITTELFUSE/TECCOR,，TOSHIBA，JX ,，SANREX,，SANKEN ,，SEMIKRON ，EUPEC,，IR,，JBL等。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流IF(AV)--正向平均電流PGM--門極峰值功率PG----門極平均功率常熟加工可控硅模塊聯(lián)系方式

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